2024年1月26日，按照CASAS相關管理辦法，經管理委員會投票，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會（CASAS）通過11項SiC MOSFET測試方面的團體標準立項建議，并分配標準編號。希望本系列標準更好支撐SiC MOSFET產業化發展。

1. T/CASAS 037—202X 《SiC MOSFET柵極電荷測試方法》 

牽頭單位：東南大學

聯合單位：工業和信息化部電子第五研究所、蘇州匯川聯合動力系統股份有限公司、智新半導體有限公司、北京華峰測控技術股份有限公司、芯聯集成電路制造股份有限公司、復旦大學寧波研究院

2. T/CASAS 038—202X 《SiC MOSFET非鉗位電感開關（UIS）測試方法》、T/CASAS 039—202X 《SiC MOSFET單管功率器件短路可靠性測試方法》、T/CASAS 040—202X 《SiC MOSFET功率模塊短路可靠性測試方法》 

牽頭單位：北京華峰測控技術股份有限公司

聯合單位：工業和信息化部電子第五研究所、東南大學、智新半導體有限公司、江蘇易矽科技有限公司、華潤微電子封測事業群、寧波達新半導體有限公司、杭州飛仕得科技股份有限公司 

3. T/CASAS 041—202X 《基于無功負載的車規級功率模塊變頻測試規范》 

牽頭單位：智新半導體有限公司

聯合單位：株洲中車時代半導體有限公司、湖北九峰山實驗室、重慶大學、山東閱芯電子科技有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、化合積電(廈門)半導體科技有限公司、杭州士蘭微電子股份有限公司、深圳市原力創造科技有限公司、東風汽車研發總院、智新科技股份有限公司、中國第一汽車集團有限公司研發總院、武漢大學

4. T/CASAS 042—202X 《SiC MOSFET高溫柵偏試驗方法》、T/CASAS 043—202X 《SiC MOSFET高溫反偏試驗方法》、T/CASAS 044—202X 《SiC MOSFET高溫高濕反偏試驗方法》

牽頭單位：忱芯科技（上海）有限公司

聯合單位：工業和信息化部電子第五研究所、湖北九峰山實驗室、中國科學院微電子研究所、復旦大學、廣電計量檢測集團股份有限公司、芯聯集成電路制造股份有限公司、安徽長飛先進半導體有限公司、東北電力大學、吉林省特種設備監督檢驗中心

5. T/CASAS 045—202X 《SiC MOSFET動態柵偏試驗方法》 

牽頭單位：復旦大學寧波研究院、復旦大學

聯合單位：清純半導體（寧波）有限公司、工業和信息化部電子第五研究所、重慶大學、杭州三海電子科技股份有限公司、中國科學院微電子研究所、深圳市禾望電氣股份有限公司、智新半導體有限公司、常州銀河世紀微電子股份有限公司

6. T/CASAS 046—202X 《SiC MOSFET動態反偏(DRB)試驗方法》、T/CASAS 047—202X 《SiC MOSFET動態高溫高濕反偏(DH3RB)試驗方法》 

牽頭單位：工業和信息化部電子第五研究所

聯合單位：忱芯科技（上海）有限公司、中國科學院電工研究所、比亞迪半導體股份有限公司、復旦大學寧波研究院

秘書處將向CASAS正式成員發出征集起草單位的通知，組建標準起草小組，請CASAS正式成員關注秘書處郵件（casas@casa-china.cn）。