日前結束的中央經濟工作會議提出，要以科技創新推動產業創新，特別是以顛覆性技術和前沿技術催生新產業、新模式、新動能，發展新質生產力。以碳化硅為代表的第三代半導體作為未來電子產業基石，是國家產業政策鼓勵發展的關鍵戰略材料之一，具備擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，廣泛應用于半導體照明、新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等尖端領域。

近日國內碳化硅襯底龍頭企業，山東天岳先進科技股份有限公司董事長宗艷民做客《滬市匯·硬科硬客》第二期“換道超車第三代半導體”，與國內第三代半導體產業鏈華潤微總裁華潤微總裁李虹、芯聯集成總經理趙奇，齊聚一堂，共謀未來。

在圓桌論壇交流中，行業大咖們表示，目前全球第三代半導體處于起步階段，增長潛力強勁，我國第三代半導體有望“換道超車”。推動第三代半導體行業發展基石的襯底材料，天岳先進等龍頭企業已經實現了突破，走在了國際前列。

目前天岳先進已經成為全球少數能批量供應高質量4英寸、6英寸半絕緣型碳化硅襯底、6英寸導電型碳化硅襯底，以及8英寸導電型碳化硅襯底制備，產品不僅滿足了國內需求，還實現了海外出口，公司已成為包括英飛凌、博世等海外頭部企業的主要供貨商。

宗艷民表示，天岳先進在半絕緣襯底、車規級襯底已經走在國際前列。公司上海臨港工廠已經投入運營，目前產能正在進一步提升。近年來，天岳先進與眾多知名企業簽訂長期供貨協議，一方面公司產品獲得廣泛的客戶認可，特別是車規級襯底產品具備優勢，另一方面也為公司業績增長提供了有力支撐。

業界認為第三代半導體技術難點主要在材料和制造工藝。半導體襯底材料是第三代半導體行業發展的基石，襯底材料的突破，推動產業的蓬勃發展。天岳先進成立于2010年，“自成立以來，公司集中精力做好一件事，就是要把材料做出來，能夠產業化，還要趕超海外，目前這個目標我們已經做到了”，宗艷民介紹。

天岳先進長期以來保持了高強度的研發投入，著力推進自主研發創新，已全面掌握碳化硅單晶制備全流程關鍵技術，部分技術已經走在國際前列。截至 2023 年 6 月末，公司及下屬子公司累計獲得境內發明專利授權 152 項，實用新型專利授權 324 項，境外發明專利授權 12 項，專并建立了完整有效的知識產權保護機制。公開資料顯示，早在2019年，天岳先進已經獲得國家科技進步一等獎，在半絕緣襯底領域已經持續多年位列全球前三。

宗艷民表示，碳化硅材料的缺陷是影響良率和成本的關鍵因素，公司將繼續在缺陷管理方面加大基礎性技術研發。同時，隨著終端應用的不斷擴大，襯底規?；a之后有望進一步降低成本。

目前，全球第三代半導體行業整體處于起步階段，并正在加速發展。碳化硅器件具有顯著的節能效果，屬于典型的綠色節能器件，產業結構低碳轉型將會給碳化硅器件規模化應用帶來重大發展機遇。新能源汽車領域應用占比最高，使用碳化硅半導體功率器件能夠大幅提高電動汽車的性能和增加續航里程，另外AI人工智能同樣需要轉換效率更高的半導體器件提升能源管理系統的性能。

第三代半導體因性能優勢，在半導體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網、高速軌道交通等領域都具有廣闊的應用前景。其中多領域應用場景將給第三代半導體帶來巨大的市場空間。

嘉賓們認為，我國在第三代半導體領域進行了全產業鏈布局，各環節均涌現出具有國際競爭力的企業。相比硅基半導體而言，在第三代半導體領域和國際上處于同一起跑線，有望實現“換道超車”。

第三代半導體材料龍頭天岳先進已經具備先發優勢。宗艷民表示，將緊抓當下行業發展機遇，繼續踐行技術引領發展的理念，持續夯實技術實力， 不斷提升產品品質、降低成本，更好地服務和支持下游產業發展，以厚積薄發之底氣振興和發展我國半導體產業。