據國家知識產權局公告，比亞迪（002594）半導體股份有限公司申請一項名為“半導體器件終端結構、制備方法及半導體器件“，公開號CN117374099A，申請日期為2022年6月。專利摘要顯示，本發明涉及一種半導體器件終端結構、制備方法及半導體器件，該終端結構包括：漏極電極，位于漏極電極上的襯底，位于襯底上的外延層，位于外延層上的金屬場板和鈍化層；外延層遠離襯底一側的兩端還分別設置有主結區和截止環，主結區和截止環之間的外延層內沿外延層的豎向依次設置至少兩層場限環結構，每層場限環結構均包括沿外延層橫向分布的至少一個場限環，靠近襯底的場限環結構中場限環的數量小于靠近金屬場板的場限環結構中場限環的數量且每層場限環結構最外側的場限環沿襯底至金屬場板的方向呈階梯狀設置；鈍化層從主結區起覆蓋至截止環的部分區域，金屬場板覆蓋于截止環上未被鈍化層覆蓋的區域。本發明可以提高擊穿電壓及器件的可靠性。