12月22日，中電科半導體材料有限公司下屬國盛公司南京外延材料產業基地傳出提振人心的好消息：第一枚硅基氮化鎵外延片成功下線。該產品的下線，標志著國盛公司實現多元化布局，進入第三代半導體產業發展快車道。

江寧開發區相關負責人介紹，當前全球半導體產業處于迭代升級的關鍵期，相比一代、二代，我國在第三代半導體領域和國際上基本處于同一起跑線，為搶抓“開道超車”機遇期，園區已招引數十家關聯企業落地，今年產值將實現兩位數增長，產業鏈條初步建成。

“國盛”南京基地

兩項重大成果落地

“我們必須在一些核心關鍵領域擁有絕對的一技之長！”今年9月，中國電科集團總經理陳錫明來寧參加第三代半導體產業創新發展大會時曾預測，未來2-3年，既是全球第三代半導體市場全面爆發的關鍵時期，也是我國搶占行業話語權和制高點的重大機遇期。

陳錫明對產業展望的“余音”尚在，國盛公司南京外延材料產業基地就有了重大突破。第一枚硅基氮化鎵外延片的下線，對于中國制造業升級意義深遠。硅基氮化鎵材料擁有高頻率、低損耗、抗輻射性強等優勢，同時具有更大的成本優勢，市場競爭力極高。國盛公司制備的硅基氮化鎵外延片，可以滿足電力電子用氮化鎵器件的需求。

據悉，國盛公司前身是55所電子材料產品部，專業從事半導體8-12英寸硅外延材料的研發及批量生產。值得一提的是，數月前，國盛公司大尺寸硅外延材料產業化項目的第一枚碳化硅外延片也已經在江寧開發區問世。

產業迭代期

“開道超車”機遇來了

長期以來，半導體產業關鍵核心技術缺失，是阻礙我國產業鏈向高端攀升的“絆腳石”。

據了解，第一代半導體材料主要是指硅、鍺半導體材料，興起于二十世紀五十年代，帶動了以集成電路為核心的微電子產業的快速發展。

第二代半導體材料是以砷化鎵、銻化銦為主的化合物半導體，主要用于制作高頻、高速以及大功率電子器件。

第三代半導體材料包括了以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶化合物半導體。

目前，第一、二代半導體材料工藝已經逐漸接近物理極限，相比于第一代及第二代半導體材料，第三代半導體材料在耐高溫、耐高壓以及承受大電流等多個方面具備明顯優勢，被稱為“未來電子產業基石”，也被資本市場視為科創板上“新質生產力”，在新能源汽車、光伏、軌道交通、高壓輸變電、智能電網等方面有廣闊應用前景。

在第一、二代半導體材料的發展上，我國起步時間慢于其他國家，且“彎道超車”難度很大。但在第三代半導體材料領域，國內外企業處于同一起跑線，在第三代半導體的全新跑道上“開道超車”，是中國業界的愿景。

為實現產業破局，2021年3月，科技部、財政部批復，按照“1總部+6中心”（即“中電科集團+北京、南京、蘇州、深圳、長沙、太原”）的模式建設“國家第三代半導體技術創新中心”。其中，國家第三代半導體技術創新中心（南京）（以下簡稱南京中心）落戶于江寧開發區，聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用方向重點突破。

南京中心依托55所現有資源，在省市區各級政府部門支持下近期取得一系列技術成果：碳化硅電力電子器件已經在國內頭部車企車載電源系統獲得大批量應用，裝載上車超1000萬只，保障近200萬輛汽車需求；功率模塊擬用于紅旗首款電驅車型，有望2024年正式裝車。在高壓和特高壓SiC器件方向，南京中心不斷刷新紀錄，比如國內首只6.5kV和15kV碳化硅芯片，20kV碳化硅大功率模塊，在國際首個35kV全碳化硅變電站等場景示范應用。

南京中心副主任楊勇表示：“下一步,我們將按照省委要求和市委全會部署，加速開展第三代半導體元器件的技術研發、產品研制及應用，打通基礎前沿開發到產品大規模應用之間的壁壘，確保第三代半導體國產元器件的自主保障，為構建現代化產業體系貢獻科技工作者的力量。”

加速布局

江寧開發區產業鏈條已初步建成

作為南京市發展集成電路產業“一核兩翼”的重要組成部分，江寧開發區是國內較早布局第三代半導體產業的開發園區，也是全市第三代半導體產業鏈布局最完備的板塊。目前，該產業板塊已集聚數十家頭部關聯企業，“鏈條”已初步打通建成。

目前，江寧開發區第三代半導體產業“第一梯隊”，由國博電子、國盛電子等“中電科系”龍頭企業“領銜”，今年這些龍頭企業相繼迎來重大發展節點。

今年，總投資30億元的國博射頻集成電路民品產業園一期項目順利投產，二期項目緊鑼密鼓開工。該項目是國博電子立足江寧，建設具有國際領先水平的射頻集成電路全產業鏈的重要項目，將為推動國產射頻集成電路產品在5G移動通信市場上打破國外壟斷、填補國內空白做出積極貢獻。

今年9月，總投資40億元的南京盛鑫大尺寸硅外延材料產業化項目竣工投產。作為南京市集成電路產業鏈建設的地標性項目，該項目建設外延主廠房、晶體加工廠房、綜合試驗樓、動力站等相關建筑，主要從事大尺寸硅外延片和第三代半導體外延片生產。

此外，總投資4億元的芯長征微電子集團芯片封裝生產基地項目、總投資10億元的國兆光電OLED微顯示器件擴產項目已在今年全面開工建設。

為了加速該產業“強鏈補鏈延鏈”，今年江寧開發區專門成立第三代半導體產業專班，根據梳理出的產業鏈“圖譜”，圍繞材料、設備、器件設計與制造、器件與模塊、應用五個環節和襯底、外延、材料、封裝等23個細分方向大力招商。2023年全年，園區新引進英諾賽科、沅程芯電子、博銳半導體、兆熠科技、中電鵬程半導體、芯干線、桑德斯微電子等一批產業項目。

作為配套扶持，園區還梳理出重點培育企業目錄、設立產業基金、打造人才庫。目前，園區第三代半導體產業戰略咨詢專家委員會也已經成立，確定國創中心主任陳辰、東南大學集成電路學院院長孫偉鋒教授、國盛電子總經理李國鵬等12位校企專家作為戰略咨詢專家委員會成員。園區集合資源要素、構建產業生態，全力加速半導體材料的國產化替代進程。

原標題：《重大突破！第三代半導體在寧加速布局》