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IFWS 2023│碳化功率器件及封裝技術(shù)分會新提升

日期:2023-11-30 閱讀:384
核心提示:碳化功率器件因其在高溫、高頻率和高電壓環(huán)境下表現(xiàn)出色的特性而受到廣泛關(guān)注,發(fā)展?jié)摿κ志薮螅绕湓诟邷亍⒏哳l率、高電壓以

 碳化功率器件因其在高溫、高頻率和高電壓環(huán)境下表現(xiàn)出色的特性而受到廣泛關(guān)注,發(fā)展?jié)摿κ志薮螅绕湓诟邷亍⒏哳l率、高電壓以及對輻射抗性要求較高的特殊環(huán)境中具有明顯的優(yōu)勢。未來隨著制造技術(shù)的進步、成本的降低以及對高性能功率器件的不斷需求,碳化功率器件有望在多個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更廣泛的商業(yè)應用。與此同時,碳化功率器件封裝技術(shù)呈現(xiàn)高度集成化,芯片級封裝技術(shù),先進散熱設計,多層、三維封裝,智能化封裝等多種趨勢。封裝技術(shù)不斷演進在適應更高性能、更高集成度和更為復雜應用需求的發(fā)展方向。隨著技術(shù)的不斷創(chuàng)新和市場的發(fā)展,碳化功率器件封裝技術(shù)將繼續(xù)迎來新的突破和提升。

2023年11月27-30日,第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)主辦,廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。

期間,“碳化功率器件及其封裝技術(shù)分會“如期召開,本屆分會得到了三安光電股份有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、賽邁科先進材料股份有限公司、清軟微視(杭州)科技有限公司、九峰山實驗室、德國愛思強股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、清純半導體(寧波)有限公司的協(xié)辦支持。

分會上,來自北卡羅來納州立大學、日本大阪大學、西安交通大學、浙江大學、復旦大學、山東大學、湖南大學、廈門大學、天津工業(yè)大學、桂林電子科技大學、中國電子科技集團第五十五所、湖北九峰山實驗室、、中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、北京智慧能源研究院懷柔實驗室、三安光電、上海瞻芯電子、德國賀利氏電子、北方華創(chuàng)、華為數(shù)字能源、博睿光電等國內(nèi)外實力派科研院所及企業(yè)代表性力量齊聚,共同探討碳化功率器件及其封裝技術(shù)前沿發(fā)展趨勢及最新動向。浙江大學電氣工程學院院長、教授盛況主持了本屆分會。

盛況

浙江大學電氣工程學院院長、教授盛況

Victor VELIADIS視頻報告

Victor Valiads--Power Amarica 首席技術(shù)官、北卡羅來納州立大學教授  視頻報告

SiC chip cost, impact of defects, and the case of price parity with Si at the system level

王德君

王德君--大連理工大學教授

《提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑》

葉念慈

葉念慈--三安半導體技術(shù)總監(jiān)

《產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能》

張軼銘

張軼銘--北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司

《面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案 》

曹峻

曹峻--上海瞻芯電子科技有限公司副總經(jīng)理 

《碳化硅車載功率轉(zhuǎn)換解決方案 》

陳傳彤

陳傳彤--日本大阪大學副教授

《SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進展》

王來利

王來利-西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長、教授

《碳化硅功率半導體多芯片封裝技術(shù)》

董凱

董侃--德國賀利氏電子功率市場經(jīng)理

《先進燒結(jié)解決方案》

袁俊

袁俊—湖北九峰山實驗室功率器件負責人

《新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進展》

黃潤華

黃潤華--中國電子科技集團第五十五所研究所副主任設計師

《750V SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)對器件特性的影響研究》

張鑾喜

張鑾喜--浙江大學

《具有分離保護溝槽柵的超低導通電阻SiC LDMOS和Trench RESURF技術(shù)》

張園覽

張園覽--復旦大學

《1200-V SiC MOSFET在不同總電離劑量下的退化與恢復》

陳家祺

陳家祺--湖南大學 

《總電離劑量輻射對1200V溝道型SiC功率MOSFET雪崩穩(wěn)定性的影響》

張國良

張國良--廈門大學

《一種新型短超結(jié)碳化硅絕緣柵雙極晶體管》

(備注:以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認,僅供參考!)

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