氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。其技術發展將推動多個領域的技術發展，并滿足未來對高性能、高效能轉換和小型化的需求。
2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
期間，“氮化鎵功率電子器件技術分會“如期召開，本屆分會得到了三安光電股份有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司的協辦支持。分會上，來自加拿大多倫多大學、沙特國王科技大學、日本國立材料研究所、臺灣成功大學、日本愛發科株式會社、南方科技大學深港微電子學院、西安電子科技大學、華南師范大學、大連理工大學、深圳大學、湖南大學、南京大學、西交利物浦大學、致能科技、成都氮矽科技等國內外實力派代表性科研力量及實力派企業專家齊聚，共同探討氮化鎵功率電子器件技術的前沿發展趨勢及最新動向。電子科技大學集成電路研究中心主任/教授張波，加拿大多倫多大學教授、多倫多納米制造中心主任吳偉東共同主持了本屆分會。
電子科技大學集成電路研究中心主任/教授張波
加拿大多倫多大學教授、多倫多納米制造中心主任吳偉東
李清庭--臺灣元智大學前副校長、臺灣成功大學特聘教授
《GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管》
牛山史三--日本愛發科株式會社首席技術官
《GaN濺射技術進展》
于洪宇--南方科技大學深港微電子學院院長、教授
《高性能Si基GaN器件和Ga2O3器件研究進展》
黎子蘭--廣東致能科技有限公司總經理
《氮化鎵功率半導體在中高壓領域的進展》
李祥東--西安電子科技大學華山教授，廣州第三代半導體創新中心副主任
《氮化鎵高壓電力電子器件中試技術與平臺》
桑立雯--日本國立材料研究所獨立研究員
《GaN MEMS/NEMS應變調控諧振器》
朱仁強--成都氮矽科技有限公司器件設計總監
《增強型功率氮化鎵器件結構設計進展》
黃火林--大連理工大學教授
《基于電子模式GaN的MIS-HEMTS中的工藝和可靠性問題》
尹以安--華南師范大學研究員
《具復合柵極和階梯結構的新型GaN垂直晶體管研究》
劉新科--深圳大學副教授
《低成本垂直GaN功率器件》
陶明--湖南大學電氣與信息工程學院助理教授
《原位N2或H2/N2等離子體預處理全凹柵增強型LPCVD-Si3N4/PELD-AlN/GaN-MIS-HEMT中陷阱態的研究》
Vishal Khandelwal--沙特國王科技大學
《二維材料Ti3C2柵電極提升氮化鎵電子器件性能》
郭慧--南京大學
《NiO/AlGaN界面載流子輸運與高壓RESURF p-NiO/AlAlGaN/GaN HEMT》
李昂--西交利物浦大學
《適用于48V應用，具有25至250°C的高溫靈敏度,單片GaN雙管溫度傳感器》
（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）
