氮化物襯底、外延生長及相關設備技術在氮化物半導體器件的制備中起著至關重要的作用，涉及到特殊的材料和生長技術，直接影響到制備的器件性能和質量。技術呈現出高質量單晶襯底、大尺寸單晶襯底、多晶氮化物襯底、高通量生產技術、外延層的高度控制和均勻性、更先進的外延技術等多種趨勢，也面臨著缺陷和位錯控制、外延層的高度控制和均勻性、大尺寸單晶襯底制備、外延層的高度控制和均勻性、新型外延技術的研發、先進外延層的設計和控制、多晶氮化物襯底的性能優化等挑戰，需要跨學科的研究和創新，涉及材料科學、物理學、化學和工程學等領域的合作。
2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
29日，“氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術分會“如期召開，本屆分會得到了三安光電股份有限公司、 中微半導體設備（上海）股份有限公司、賽邁科先進材料股份有限公司的協辦支持，南京大學--江蘇省光電信息功能材料重點實驗室學術協辦。
分會上，來自北京大學、 深圳大學物理與光電工程學院、北京化工大學、馬爾文岶納科 、鄭州大學、南京大學、 中微公司、中國科學院蘇州納米所、蘇州大學、深圳大學、香港中文大學等科研院校知名專家及實力派企業代表共同參與，圍繞氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術的發展分享主題報告。北京大學理學部副主任、教授沈波，江蘇第三代半導體研究院院長、中國科學院蘇州納米所副所長、研究員徐科，北京大學教授于彤軍共同主持了本屆分會。
北京大學理學部副主任、教授沈波
江蘇第三代半導體研究院院長、中國科學院蘇州納米所副所長、研究員徐科
于彤軍--北京大學教授
《大尺寸AlN單晶生長研究》
范澤龍-深圳大學
《PVT法同質擴徑制備大尺寸氮化鋁晶體 》
鐘明光--馬爾文岶納科 亞太區半導體行業經理
《高分辨率X射線衍射技術在半導體材料分析中的應用 》
魯正乾--鄭州大學
MOCVD生長AlN薄膜的成核研究
修向前--南京大學教授
基于HVPE的氮化鎵單晶設備與工藝技術
陳耀--中微公司MOCVD工藝總監
用單晶MOCVD平臺在8“Si襯底上生長高質量GaN基HEMT
冀東--香港中文大學（深圳）助理教授
《氮化鎵同質外延中的雪崩擊穿特性》
司志偉--中國科學院蘇州納米所助理研究員
《助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展 》
（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）
