2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

29日，“碳化功率器件及其封裝技術分會“如期召開，本屆分會得到了三安光電股份有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司、賽邁科先進材料股份有限公司、清軟微視（杭州）科技有限公司、九峰山實驗室、德國愛思強股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、清純半導體(寧波)有限公司的協辦支持。

分會上，中國電子科技集團第五十五所研究所副主任設計師黃潤華帶來了“750V SiC MOSFET元胞結構對器件特性的影響研究”的主題報告，研究顯示四種SiC MOSFET單元結構已經被酰化，實現并測試了750V條形和改進的六邊形單元結構的SiC MOSFET，改進的六邊形單元結構具有較低的比導通電阻和較高的開關損耗，在下一步工作中，將優化單元結構以降低開關損耗。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）