化合物半導體在高功率、高頻率、光電子學和光伏等領域的應用表現出色，推動了許多先進技術的發展。近年來在在光電子學、GaN功率器件的商業化等多個領域都取得了顯著進展，并對電子、光電子學和能源等領域的技術發展產生了深遠的影響。隨著技術不斷創新，預計未來化合物半導體領域將繼續推動科技的發展。

2023年11月28日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心盛大開幕。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

開幕大會上，三安光電股份有限公司副董事長、總經理林科闖帶來了《化合物半導體-下一個二十年》的主題報告，詳細分享了當前化合物半導體的光電子、射頻電子、電源設備等技術水平和行業現狀，趨勢與挑戰。介紹了Micro LED技術、AR Micro LED 技術、園藝照明技術及園藝照明應用，大功率激光技術等的發展。報告指出，激光應用市場持續增長，國內激光電視、激光投影和激光焊接的關鍵部件——高功率激光器仍由國外制造商主導。GaN基射頻器件是新一代移動通信的關鍵部件，與硅基和砷化鎵基相比，它具有更高的功率、更高的效率、更高工作溫度和抗輻射性，是迄今為止最具優勢的射頻器件。歐盟/美國巨頭壟斷射頻市場，國內設備全球份額增加，尤其是在中國本土品牌終端產品制造商中。國內品牌終端產品制造商確實需要關鍵部件本地化才能穩定供應，這會拉動供應鏈。5G基站方面，國產GaN射頻達到國際水平。本地生產的GaN RF功率放大器器件達到世界水平并批量生產。

對于未來的發展趨勢，報告指出，2024年，市場對Micro-LED某些應用的需求將穩步上升，在市場化方面邁出重要一步。Micro-LED芯片市場的增長率預計為101%，預計微型LED的發展將逐步轉向其他應用，如可穿戴設備/頭戴式顯示器。激光產業發展需要提高制造能力，將核心材料和設備本地化，以擺脫對外出口管制；GaN射頻產品滲透率逐漸提高。隨著GaN技術的成熟和成本的降低，滲透率正在提高，預計到2025年將達到50%。電動汽車市場爆發推動SIC超過68.5億元，預計到2026年將達到245億元，年均增長37.5%，這是未來幾年中國SIC市場增長的主要驅動力。根據Wolfspeed的預測，2026年全球SiC器件市場將達到89億美元，新能源汽車、工業和能源為60億美元，用于RF的SiC器件市場規模為29億美元。根據預測，到2024年，SiC的市場份額將超過10%。

報告認為，當未來智能照明無處不在時，光電子的創新將是點亮我們幸福快樂生活的神奇鑰匙。人工智能在未來無處不在，萬物互聯，射頻和濾波器將滲透到通信、交通、醫療、智能機器人和信息安全領域。人工智能的革命需要強大的計算能力，而光通信將是最重要的橋梁。數字經濟即將到來，光網絡作為關鍵承載基地，不斷向超大容量、全光交換演進升級，將承載智慧與智慧。努力打造多維物聯網的“核心”世界，為未來世界提供“核心芯片”，實現人類文明的新格局、新智能、新形態。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）