Micro-LED是未來顯示技術最重要的發展方向之一,MicroLED技術具有響應時間快、亮度高、色彩飽和度高等優勢,但是需要解決制造工藝上的問題和成本問題。MicroLED技術已經取得了一些進展,但其制造難度和成本依然很高,需要進一步降低生產成本并提高量產效率。同時,需要不斷探索新的IC設計和封裝技術,以實現更好的光電轉換效率。
2023年11月27-30日,第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)于廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)主辦,廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
27日,“Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術分會”如期舉行,本屆分會得到了三安光電股份有限公司、納微朗科技(深圳)有限公司、中微半導體設備(上海)股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、廣東晶科電子股份有限公司、深圳市大族半導體裝備科技有限公司的協辦支持。

會上,北京工業大學教授郭偉玲帶來了“MicroLED的尺寸效應與高色彩轉換效率”的主題報告,分享了Micro LED的尺寸效應、提高MicroLED的發光和顏色轉換效率、無源矩陣(PM)的設計和制造,有源矩陣(AM)的設計和制造等研究成果。


報告指出,三種MicroLED尺寸效應上,對于小型微型LED,所有ITO P電極都顯著提高了光功率,盡管電性能有所下降;與照明尺寸相等的ITO面積是MicroLED的更好選擇;在大電流下,方形MicroLED的輻射通量比圓形的要好,因為它們的周長與面積比更高。


利用納米材料和結構提高微型LED的發光和顏色轉換效率,LSP使納米孔陣列微型LED的PL增加1.6倍;具有石墨烯電極的納米柱陣列微型LED上的LSP使PL增加84%,EQE增加36%;
與平面型相比,納米孔陣列上的NRET將顏色轉換效率提高了118%。研究設計并制作了無源矩陣。測量并分析了不同位置像素的性質。設計制作了有源矩陣。
(備注:以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認,僅供參考!)