第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
本屆論壇除了重量級開、閉幕大會，設有七大主題技術分會，以及多場產業峰會，將匯聚全球頂級精英，全面聚焦半導體照明及第三代半導體熱門領域技術前沿及應用進展。
目前，“碳化硅襯底、外延材料生長與加工”分會最新報告日程正式出爐。本屆分會得到了三安光電股份有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司、賽邁科先進材料股份有限公司、清軟微視（杭州）科技有限公司、九峰山實驗室、德國愛思強股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司的協辦支持。
屆時，該分會將有Nitride Crystals Inc.執行總裁Yuri Makarov，河北普興電子科技股份有限公司總經理薛宏偉，德國愛思強股份有限公司中國區總經理方子文，哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司董事長趙麗麗， 中國科學院大連理化所研究員、大連創銳光譜科技有限公司董事長金盛燁，山東大學副教授/南砂晶圓技術總監楊祥龍，賽邁科先進材料股份有限公司首席技術官、副總經理吳厚政，北京國瑞升科技集團股份有限公司研發總監苑亞斐、北京晶格領域半導體有限公司總經理張澤盛，中國科學院半導體所助理研究員閆果果、山東大學孫麗等多位科研院校知名專家及實力派企業代表共同參與，將圍繞碳化硅襯底、外延材料生長與加工的發展分享主題報告。
分會日程詳情如下：
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技術分論壇：碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術
Technical Sub-Forum: Technologies for SiC Substrate, Epitaxy Growth and Equipment
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時間：2023年11月29日08:25-12:00
地點：廈門國際會議中心 • 白鷺廳
Time: Nov 29, 08:25-12:00
Location: Xiamen International Conference Center • Egret Hall
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協辦支持/Co-organizer:
三安半導體 San'an Co.,ltd
廣州南砂晶圓半導體技術有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd
北京北方華創微電子裝備有限公司 NAURA Technology Group Co., Ltd.
賽邁科先進材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation
清軟微視（杭州）科技有限公司 T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.
九峰山實驗室 JFS Laboratory
德國愛思強股份有限公司 AIXTRON SE
河北普興電子科技股份有限公司 HEBEIPOSHINGELECTRONICSTEC
哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
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主持人
Moderator
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徐現剛 / XU Xiangang
山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
Professor & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University
馮 淦 / FENG Gan
瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經理
General Manager of EpiWorld International Co.,Ltd.
陳小龍/CHEN Xiaolong
中國科學院物理研究所研究員
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
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08:25-08:30
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嘉賓致辭 / Opening Address
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08:30-08:50
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利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體
Growth of bulk SiC and AlN crystals by Physical Vapor Transport in a crucible with presence of TaC
Yuri MAKAROV--Nitride Crystals Group Ltd.執行總裁
Yuri MAKAROV--President of Nitride Crystals Group Ltd.
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08:50-09:10
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200 mm 4H-SiC高質量厚層同質外延生長
200mm 4H-SiC for high quality thick-layer homogeneous epitaxial growth
薛宏偉--河北普興電子科技股份有限公司總經理
XUE Hong--General Manager of Hebei Poshing Electronic Technology Co., Ltd
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09:10-09:30
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High throughput Epitaxy Solution for 150mm and 200mm Silicon Carbide
碳化硅6/8英寸高產能外延解決方案
方子文--德國愛思強股份有限公司中國區總經理
FANG Ziwen--General Manager, AIXTRON SE of China
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09:30-09:50
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大尺寸SiC單晶的研究進展Research progress of 8-inch SiC single crystal
楊祥龍--山東大學副教授/南砂晶圓技術總監
YANG Xianglong--Associate professor of Shandong University Technical director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd
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09:50-10:10
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化合物半導體襯底和外延缺陷無損檢測技術 Nondestructive Inspection for Compound Semiconductor Substrate and Epitaxy
周繼樂--清軟微視（杭州）科技有限公司 總經理
ZHOU Jile-- General Manager of T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd
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10:10-10:25
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茶歇 / Coffee Break
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10:25-10:45
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時間分辨光譜技術及其在SiC材料檢測中的應用
Transient Absorption Spectroscopy and Its Applications in Semiconductor Testing
金盛燁--中國科學院大連理化所研究員、大連創銳光譜科技有限公司董事長
JIN Shengye--Professor of Dalian Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Chairman of Dalian Chuangrui Spectral Technology Co., Ltd
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10:45-11:05
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8英寸碳化硅襯底產業化進展
Industrialization progress of 8-inch silicon carbide substrate
趙麗麗--哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司董事長
ZHAO Lili--President of KY Semiconductor, Inc.
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11:05-11:25
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精細石墨——半導體材料制造之柱
Fine Graphite, a pillar for semiconductor material manufacture
吳厚政--賽邁科先進材料股份有限公司首席技術官
WU Houzheng--CTO of SIAMC Advanced Material Corporation
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11:25-11:45
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液相法碳化硅單晶生長技術研究
Research on the Growth Technology of Silicon Carbide Single Crystal by Liquid Phase Method
張澤盛--北京晶格領域半導體有限公司總經理
ZHANG Zesheng--General Manager of Beijing Lattice Semiconductor Co., Ltd
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11:45-12:00
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碳化硅襯底粗研磨和精研磨工藝及耗材技術
SiC Substrate Coarse Lapping and Fine Lapping Processes and Consumables
苑亞斐 北京國瑞升科技集團股份有限公司研發總監
YUAN Yafei R&D Director of Beijing Grish Hitech Co., Ltd
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12:00-12:15
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熱壁反應器在4°離軸襯底上生長150mm低表面粗糙度4H-SiC外延層
Growth of 150 mm 4H-SiC Epilayers with Low Surface Roughness by a Hot-Wall Reactor on 4° off-Axis Substrates
閆果果--中國科學院半導體所助理研究員
YAN Guoguo--Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
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12:15-12:30
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X射線形貌技術（XRT）在SiC缺陷檢測中的應用
Application of X-ray topography in SiC wafer defect detection
孫麗 山東大學
SUN Li Shandong University
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12:00-13:25
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午休 / Adjourn
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（備注：本場會議日程仍在調整中，僅供參考，最終以現場為準！）
部分嘉賓簡介
徐現剛
山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授，分會程序委員會專家
陳小龍
中國科學院物理研究所功能晶體研究與應用中心主任、研究員，分會程序委員會專家
馮 淦
瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經理，分會程序委員會專家
Yuri Makarov，Nitride Crystals Inc. 執行總裁
Yuri Makarov博士的科研領域集中在研究晶體的生長和外延，包括：升華法生長塊狀SiC晶體、升華法生長塊狀AlN晶體、開發和制造PVT法生長SiC和AlN晶體設備、開發設備和氫化物氣相外延法外延生長技術、外延生長和氮化物異質結分析、以及應用于醫學和生物學的蛋白質和DNA檢測石墨烯基層傳感器。
方子文
德國愛思強股份有限公司中國區總經理
方子文博士畢業于英國利物浦大學工程學院，從事先進半導體沉積技術，他在AIXTRON曾擔任工藝科學家，蘇州實驗室部門經理等職，精通三五族化合物半導體MOCVD外延材料生長、制備和測試。其中包括硅基GaN材料用于功率及射頻器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器，及Mini/Micro LED顯示面板產品使用的外延材料。
趙麗麗
哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司董事長 哈爾濱工業大學教授
趙麗麗博士，長期堅持在科研一線、潛心研究新材料與高端裝備，并于2018年受邀擔任深圳第三代半導體研究院晶體材料所所長。2018年響應“大眾創業、萬眾創新”的政策，趙麗麗博士持科技成果創辦哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司（簡稱：科友半導體）擔任董事長。2015年至今，在創業奮斗的過程中，也獲得國家、省、市的各項殊榮。
金盛燁
中國科學院大連理化所研究員、大連創銳光譜科技有限公司董事長
金盛燁，杰出青年科學基金獲得者。現任中國科學院大連化物所研究員、超快時間分辨光譜與動力學研究組組長。致力于利用超快時間分辨光譜技術（熒光光譜和pump-probe瞬態吸收光譜）研究半導體材料和器件中光誘導界面電荷分離、能量轉移和光催化反應動力學過程。在國際上首次建立了超快時間分辨熒光掃描動力學成像方法，實現在微觀尺度內對鈣鈦礦光電材料中載流子運動過程的直接成像觀測，為鈣鈦礦光電材料高效光電轉換結構的設計和制備提供了新思路和新方法。承擔并參與了十余個科研項目，2021年作為負責人承擔了中國科學院穩定支持基礎研究領域青年團隊計劃項目—表界面超快化學反應動力學；2018年作為首席科學家承擔了科技部國家重點研發計劃項目—納米結構跨頻域及跨時域尺度的動力學表征。
楊祥龍
山東大學副教授、南砂晶圓技術總監
楊祥龍，山東大學副教授，博士生導師。長期從事寬禁帶半導體碳化硅晶體生長和缺陷分析研究，主持承擔了國家自然科學基金、省重點研發計劃、省自然科學基金等多項科研項目。
吳厚政
賽邁科先進材料股份有限公司首席技術官、副總經理
吳厚政，牛津大學材料科學博士，曾任天津大學教授，教育部先進陶瓷及加工重點實驗室主任，拉夫堡大學教授，現任賽邁科先進材料股份有限公司首席技術官、副總經理。
閆果果
中科院半導體研究所半導體材料科學重點實驗室助理研究員
閆果果，主要從事第三代寬禁帶半導體材料--碳化硅同質與異質外延生長的研究工作。包括碳化硅生長設備研制、碳化硅外延材料生長、材料測試表征、外延缺陷研究。參加多項課題研究工作，在國內外學術期刊上發表研究論文多篇，申請國家發明專利多項。
薛宏偉
河北普興電子科技股份有限公司總經理
張澤盛
北京晶格領域半導體有限公司總經理
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附論壇詳細信息：
會議時間 : 2023年11月27-30日
會議地點 :中國· 福建 ·廈門國際會議中心
主辦單位：
廈門市人民政府
廈門大學
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）
承辦單位：
廈門市工業和信息化局
廈門市科學技術局
廈門火炬高新區管委會
惠新(廈門)科技創新研究院
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
論壇主題：低碳智聯· 同芯共贏
程序委員會 ：
程序委員會主席團
主席：
張 榮--中國科學院院士，廈門大學黨委書記、教授
聯合主席：
劉 明--中國科學院院士、中國科學院微電子研究所所研究員
顧 瑛--中國科學院院士、解放軍總醫院教授
江風益--中國科學院院士、南昌大學副校長、教授
李晉閩--中國科學院特聘研究員
張國義--北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授
沈 波--北京大學理學部副主任、教授
徐 科--江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰--廈門大學講座教授、全球能源互聯網研究院原副院長
盛 況--浙江大學電氣工程學院院長、教授
張 波--電子科技大學教授
陳 敬--香港科技大學教授
徐現剛--山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
吳偉東--加拿大多倫多大學教授
張國旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席執行官兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授
日程總覽：
備注：更多同期活動正在逐步更新中！
注冊參會：
備注：11月15日前注冊報名，享受優惠票價！
＊中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。
＊學生參會需提交相關證件。
＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的5%作為退款手續費。
＊IFWS相關會議：碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術，氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術，碳化功率器件及其封裝技術I、Ⅱ，氮化鎵功率電子器件，氮化鎵射頻電子器件，超寬禁帶半導體技術，化合物半導體激光器與異質集成技術、氮化物紫外技術 ；
＊SSL技術會議：光品質與光健康醫療技術，Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術，半導體照明芯片、封裝及光通信技術，氮化物半導體固態紫外技術，光農業與生物技術,化合物半導體激光器與異質集成技術、氮化物紫外技術 ；
＊IFWS會議用餐包含：28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL會議用餐：27日晚餐、28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐。
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