得益于高功率、高頻率和高溫環境下的眾多卓越性能，氮化鎵功率電子器件技術在具有廣闊的發展前景。技術發展具有持續的創新和應用前景，將推動多個領域的技術發展，并滿足未來對高性能、高效能轉換和小型化的需求。
第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。本屆論壇除了重量級開、閉幕大會，設有七大主題技術分會，以及多場產業峰會，將匯聚全球頂級精英，全面聚焦半導體照明及第三代半導體熱門領域技術前沿及應用進展。
目前，作為IFWS的重要分會之一的“氮化鎵功率電子器件技術分會“日程出爐，本屆分會得到了三安光電股份有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司的協辦支持。分會上，來自加拿大多倫多大學、沙特國王科技大學、日本國立材料研究所、臺灣成功大學、日本愛發科株式會社、南方科技大學深港微電子學院、西安電子科技大學、華南師范大學、大連理工大學、深圳大學、湖南大學、南京大學、西交利物浦大學、致能科技、成都氮矽科技等國內外實力派代表性科研力量及實力派企業專家將齊聚，共同探討氮化鎵功率電子器件技術的前沿發展趨勢及最新動向。
分會日程詳情如下:
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技術分論壇: 氮化鎵功率電子器件
Technical Sub-Forum: Technologies for GaN Power Electronics Devices
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時間：2023年11月29日13:30-17:30
地點：廈門國際會議中心酒店 • 大同廳
Time: Nov 29, 13:30-17:30
Location: Xiamen International Conference Center • Datong Hall
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協辦支持/Co-organizer:
三安光電股份有限公司 San’an Co.,ltd
中微半導體設備（上海）股份有限公司 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China（AMEC）
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
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主持人
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張波/ZHANG Bo
電子科技大學集成電路研究中心主任/教授
Profssor, University of Electronic Science and Technology of China
陳敬/CHEN Jing
香港科技大學講席教授
Chair Professor, Department of Electronic and Computer Engineering、the Hong Kong University of Science and Technology
吳偉東/Wai Tung NG
加拿大多倫多大學教授、多倫多納米制造中心主任
Director and Professor , Toronto Nanofabrication Centre, University of Toronto
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13:25-13:30
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嘉賓致辭 / Opening Address
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13:30-13:50
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GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管
GaN-based monolithic electronics integrated using complementary metal-oxide-semiconductor D-mode and E-mode high-electron mobility transistors
李清庭--臺灣元智大學前副校長、臺灣成功大學特聘教授
Ching-Ting LEE--Distinguish professor of Cheng Kung University, Twaiwan
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13:50-14:10
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GaN濺射技術進展
Progress of sputtering technology in GaN
牛山史三--日本愛發科株式會社首席技術官
USHIYAMA Fumitada--CTO of ULVAC Co.,ltd
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14:10-14:30
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高性能Si基GaN器件和Ga2O3器件研究進展
Research progress in high-performance Si-based GaN devices and Ga2O3 devices
于洪宇--南方科技大學深港微電子學院院長、教授
YU Hongyu--Professor & Dean of The School of Microelectronics, Southern University of Science and Technology
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14:30-14:50
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氮化鎵功率半導體在中高壓領域的進展
Progress of GaN power semiconductors in the medium and high voltage field
黎子蘭--廣東致能科技有限公司總經理
LI Zilan--General Manager of GuangDong Ziener Technology Co.,Ltd
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14:50-15:10
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用于電源應用的橫向和垂直GaN器件開發
Lateral and Vertical GaN device development for power applications
游淑珍--西安電子科技大學教授
YOU Shuzhen--Professor of Xidian University
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15:10-15:35
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GaN基Buck-Boost LLC變換器的功率補償瞬態響應控制策略
A Transient Response Control Strategy with Power Compensation for GaN-based Buck-Boost LLC Converters
劉琦--加拿大多倫多大學
LIU QI--University of Toronto
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15:35-15:50
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茶歇 / Coffee Break
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15:50-16:10
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GaN MEMS/NEMS應變調控諧振器
GaN MEMS/NEMS resonator through strain engineering
桑立雯--日本國立材料研究所獨立研究員
SANG Liwen--Independent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan
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16:10-16:25
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增強型功率氮化鎵器件結構設計進展
Progress in Structural Design of Enhanced-Mode Power GaN Devices
朱仁強--成都氮矽科技有限公司器件設計總監
ZHU Renqiang--Design Director of Chengdu DanXi Technology Co.,Ltd
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16:25-16:40
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基于電子模式GaN的MIS-HEMTS中的工藝和可靠性問題
Process and Reliability Issues in E-Mode GaN-based MIS-HEMTS
黃火林--大連理工大學教授
HUNAG Huolin--Professor of Dalian University of Technology
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16:40-16:55
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具復合柵極和階梯結構的新型GaN垂直晶體管研究
Research on a Novel GaN Vertical Transistor with Composite Gate and Stepped Structure
尹以安--華南師范大學研究員
YIN Yi'an--Professor of South China Normal University
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16:55-17:10
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低成本垂直GaN功率器件 Low-Cost Vertical GaN Power Devices
劉新科--深圳大學副教授
LIU Xinke--Associate Professor of Shenzhen University
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17:10-17:25
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原位N2或H2/N2等離子體預處理全凹柵增強型LPCVD-Si3N4/PELD-AlN/GaN-MIS-HEMT中陷阱態的研究
Investigation of the Trap States in Fully-Recessed Normally off LPCVD-Si3N4/PEALD-AlN/GaN MIS-HEMT with in-Situ N2 or H2/N2 Plasma Pretreatment
陶明--湖南大學電氣與信息工程學院助理教授
TAO Ming--Assistant Professor,College of Electrical and Information Engineering, Hunan University
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17:25-17:40
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耗盡型AlGaN/GaN HEMT器件的氫效應及可靠性研究
A Study on The Hydrogen Effect and Reliability of a Depletion-Mode AlGaN/GaN HEMT Device
王傳舉--沙特國王科技大學
ChuanJu Wang--King Abdullah University of Science and Technology
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17:40-17:55
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NiO/AlGaN界面載流子輸運與高壓RESURF p-NiO/AlAlGaN/GaN HEMT
Carrier transport at NiO/AlGaN interface and high voltage RESURF p-NiO/AlGaN/GaN HEMTs
郭慧--南京大學
GUOHui--Nanjing University
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17:55-18:10
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適用于48V應用，具有25至250°C的高溫靈敏度,單片GaN雙管溫度傳感器，Monolithic GaN Two-Transistor Temperature Sensor with high Temperature Sensitivity from 25 to 250 °C for 48 V applications
李昂--西交利物浦大學
LI Ang--Xi'an Jiaotong-Liverpool University
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（備注：本場會議日程仍在調整中，僅供參考，最終以現場為準！）
部分嘉賓
張波
電子科技大學集成電路研究中心主任/教授
張波，電子科技大學集成電路研究中心主任/教授。國家自然科學基金委員會第十二屆專家評審組專家；國家“核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產品”科技重大專項總體組專家（2008-2013）；國家“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”科技重大專項總體組特聘專家；國家集成電路人才培養基地專家組專家；中國半導體行業協會理事；中國電工技術學會電力電子學會理事；四川省電子學會半導體集成技術專委會主任等。從1980年代起即致力于新型功率半導體技術研究，在功率半導體領域發表SCI收錄論文200余篇、EI收錄論文300余篇，獲中美發明專利授權80余項，獲國家科技進步二等獎等國家及部級科研獎勵11項（其中牽頭獲得2010年國家科技進步二等獎）。
陳敬
香港科技大學講席教授
陳敬，香港科技大學講席教授。行業實踐包括在日本NTT LSI實驗室和美國安捷倫科技從事III-V高速器件技術研發工作。陳教授自2000年起在香港科技大學任教，現為電子和計算機工程系正教授。他曾在國際期刊和會議論文集中發表300余篇論文，在GaN電子器件技術方面曾獲得9項美國專利授權。他所帶領的團隊目前的研究重點在于開發電力電子、無線電/微波及耐高溫電子應用等方面的GaN器件技術。他是IEEE會士，現為IEEE電子器件學會復合半導體器件與IC技術委員會成員。
吳偉東
加拿大多倫多大學教授、多倫多納米制造中心主任
吳偉東，加拿大多倫多大學教授、多倫多納米制造中心主任。其研究領域涵蓋智能功率半導體器件及其制作工藝，他尤其擅長功率管理集成電路、集成電源開關和集成D類音頻功率放大器的開發。1990年獲得多倫多大學的博士學位后，吳教授加入德州儀器公司，開發適用于汽車應用的功率晶體管。1992年吳教授加入香港大學開始學術研究生涯。1993年，吳教授加入多倫多大學，組建了智能功率集成電路和半導體器件研究團隊，他擁有智能功率集成電路和射頻領域CMOS技術研發與改進的豐富閱歷。
李清庭
臺灣元智大學前副校長、臺灣成功大學特聘教授
李清庭，臺灣元智大學前副校長、臺灣成功大學特聘教授。曾榮獲IEEE會士、IET會士、科技部（國科會）杰出研究獎3次、電子元件及材料協會杰出服務獎、光學工程學會工程獎章、電機工程學會工程獎章、電機工程學會杰出電機工程教授獎及工程師學會杰出工程教授獎，CMO Asia亞洲教育卓越獎/教育領導獎及瑞典國際先進材料學會會士。其研究領域包括奈米材料及元件、硅基奈米發光元件、無機與有機太陽能電池、氧化鋅基發光二極管及光檢測器、氮化鎵基發光二極管及激光、氮化鎵基金氧半高速電子移動率場效晶體管。其研究領域亦涵蓋III-V族半導體激光、光檢測器、高速電子元件、光電元件及光電集成電路。
于洪宇
南方科技大學深港微電子學院院長、教授
于洪宇，南方科技大學深港微電子學院院長、教授。于在集成電路工藝與器件方面，包括CMOS、新型超高密度存儲器、GaN器件與系統集成（GaN HEMT）以及電子陶瓷方面發表學術論文近400篇，其中近180篇被SCI收錄，總他引次數近5000次，H 影響因子為39。編輯2本書籍并撰寫了4本專業書籍的章節。發表/被授予近20 項美國/歐洲專利以及30項以上國內專利。作為項目負責人，承擔超過7000萬人民幣國家/省/市/以及橫向科研項目（包括新加坡主持項目）。產學研方面，在第三代半導體領域承擔了與華為/方正微電子等公司的橫向課題，使得GaN功率器件在其公司的p-line生產，目前承擔一項6寸硅基GaN功率器件產業化的廣東省重大專項。在電子陶瓷領域創辦南灣通信科技有限公司，成功吸引天使投資1500萬用于量產介質濾波器。
桑立雯
日本國立材料研究所獨立研究員
桑立雯，日本國立材料研究所獨立研究員。2012年和2019年兩次獲得日本科學振興機構(JST)杰出青年先驅計劃PRESTO，2017年獲得國際缺陷領域the James W. Corbet Prize，2022年獲得日本國家文部科學省科學技術領域文部科學大臣若手科學者獎, 該獎項是日本青年研究人員最高獎。桑立雯研究員課題組主要從事III-V族氮化物界面調控及光電機械器件研究，已發表SCI論文110余篇，總引用次數2800余次(h指數26)，參與撰寫英文專著2部。
劉新科
深圳大學副教授
劉新科，深圳大學副教授，長期從事寬禁帶氮化鎵以及氮化鎵異質結的半導體器件研究，在Adv. Mater., Adv.Funct.Mater., Adv. Electron. Mater. IEEE EDL, IEEE TED，APL等知名期刊發表第一或通信作者SCI收錄論文80篇，申請專利50項，授權專利9項（含3項PCT和1項美國專利), 科研成果被Semiconductor Today，MaterialsviewChina多次報道，科研成果被Photonic Research 和Advanced Electronic Materials選為封面文章。承擔國家科技部重點研發計劃課題和任務、國家自然科學青年和面上科學基金、廣東省科技計劃項目、廣東省重點研發計劃課題等1多項科研項目。
黃火林
大連理工大學教授
黃火林，大連理工大學教授，入選地方高層次人才計劃。曾在新加坡國立大學電機工程系工作多年，從事新一代氮化鎵（GaN）半導體電子器件技術開發，典型研究成果是獲得3V閾值電壓和650V耐壓等級的常關型（增強型）功率器件，綜合指標達到同期國際先進水平。回國加入大連理工大學后，目前作為大連理工大學氮化鎵電子器件實驗室負責人，從事高可靠性氮化鎵功率器件設計與制造以及新型傳感器集成技術研究。在學術成果方面，分別獲得中國發明協會發明創業獎創新獎二等獎（排名第一）、中國循環經濟協會科學技術獎二等獎（排名第二）、大連理工大學學術成果獎一等獎（排名第一）；在IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Power Electronics等領域著名期刊和重要國際會議上發表學術論文超過五十篇，作為主要起草人制定氮化鎵器件可靠性測試行業標準兩項，申請或授權國際/國內發明專利三十余項（第一發明人、近五年）；近五年主持國家級重點類課題、國家基金委項目、省部級縱向和橫向各級項目或課題二十余項；擔任國家基金委重點類/面上/聯合等項目、教育部/多省科技廳項目及人才項目（會評）評審專家。
尹以安
華南師范大學研究員
尹以安，華南師范大學研究員。多年來專注半導體材料與器件的基礎科學、工程技術(晶圓/芯片/專利)和產業應用領域的創新研究。主要研究方向包括第三代半導體/寬禁帶半導體(GaN)的外延生長與摻雜機制、器件設計與模擬仿真、芯片制造與模塊集成封裝，成功研發了一系列藍、綠紫外LED、肖特基二極管(SBD)、HEMT器件。自主研發的高效深紫外LED芯片，依托大數據支撐，并加入物聯網技術，應用于個人及家用的消毒殺菌產品。主持包括廣東省科技計劃、廣東省自然科學基金、廣東省產學研、廣州市科技計劃等在內的多個科研項目。個人項目成果入選了廣東高校高質量科技成果庫。研究方向涉及寬禁帶半導體功率器件、射頻器件的外延生長、工藝制備及理論計算；半導體光電子器件研發、芯片制造與模塊集成封裝等。
游淑珍
西安電子科技大學教授
游淑珍，西安電子科技大學教授。前imec 氮化鎵器件研發組組長。畢業于比利時魯汶大學并獲得博士學位。自2012年始，深度參與并領導imec GaN器件研發。全球首發了200mm CMOS兼容的650V GaN 橫向晶體管，且通過工業級別可靠性驗證。基于MVSG模型，為imec GaN器件建立了物理緊湊模型，開發了GaN集成電路設計平臺的PDK。歐盟項目UltimateGaN課題負責人，開發1200V GaN垂直器件 及 應用于Lidar 的100V GaN 橫向器件。
陶明
湖南大學電氣與信息工程學院助理教授
陶明，湖南大學電氣與信息工程學院助理教授。主講《數字電子技術基礎》本科生專業核心課程。與北京大學、清華大學、國防科技大學、中科院微電子所、中科院納米所、華為、國家電網等高校、研究所、企事業單位有著良好的合作研究關系。
朱仁強
成都氮矽科技有限公司器件設計總監
朱仁強，成都氮矽科技有限公司器件設計總監。朱仁強博士畢業于香港科技大學，并于香港科技大學從事博士后研究，師從IEEE Fellow Kei May Lau教授。擁有超過五年功率氮化鎵器件研發經驗。作為主要研究人員參與多個香港創新與科技局研究項目。在國際知名期刊和會議發表論文十余篇。
更多論壇進展信息，敬請關注半導體產業網、第三代半導體產業！
附論壇詳細信息：
會議時間 : 2023年11月27-30日
會議地點 :中國· 福建 ·廈門國際會議中心
主辦單位：
廈門市人民政府
廈門大學
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）
承辦單位：
廈門市工業和信息化局
廈門市科學技術局
廈門火炬高新區管委會
惠新(廈門)科技創新研究院
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
論壇主題：低碳智聯· 同芯共贏
程序委員會 ：
程序委員會主席團
主席：
張 榮--中國科學院院士，廈門大學黨委書記、教授
聯合主席：
劉 明--中國科學院院士、中國科學院微電子研究所所研究員
顧 瑛--中國科學院院士、解放軍總醫院教授
江風益--中國科學院院士、南昌大學副校長、教授
李晉閩--中國科學院特聘研究員
張國義--北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授
沈 波--北京大學理學部副主任、教授
徐 科--江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員
邱宇峰--廈門大學講座教授、全球能源互聯網研究院原副院長
盛 況--浙江大學電氣工程學院院長、教授
張 波--電子科技大學教授
陳 敬--香港科技大學教授
徐現剛--山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授
吳偉東--加拿大多倫多大學教授
張國旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席執行官兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授
日程總覽：
備注：更多同期活動正在逐步更新中！
注冊參會：
備注：11月15日前注冊報名，享受優惠票價！
＊中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。
＊學生參會需提交相關證件。
＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的5%作為退款手續費。
＊IFWS相關會議：碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術，氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術，碳化功率器件及其封裝技術I、Ⅱ，氮化鎵功率電子器件，氮化鎵射頻電子器件，超寬禁帶半導體技術，化合物半導體激光器與異質集成技術、氮化物紫外技術 ；
＊SSL技術會議：光品質與光健康醫療技術，Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術，半導體照明芯片、封裝及光通信技術，氮化物半導體固態紫外技術，光農業與生物技術,化合物半導體激光器與異質集成技術、氮化物紫外技術 ；
＊IFWS會議用餐包含：28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL會議用餐：27日晚餐、28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐。
線上報名通道：
組委會聯系方式：
1.投稿咨詢
白老師
010-82387600-602
papersubmission@china-led.net
2.贊助/參會/參展/商務合作
張女士
13681329411
zhangww@casmita.com
賈先生
18310277858
jiaxl@casmita.com
余先生
18110121397
yuq@casmita.com
協議酒店：
