第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學(xué)技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
本屆論壇除了重量級(jí)開、閉幕大會(huì)，設(shè)有五大主題技術(shù)分會(huì)，以及多場(chǎng)產(chǎn)業(yè)峰會(huì)，將匯聚全球頂級(jí)精英，全面聚焦半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體熱門領(lǐng)域技術(shù)前沿及應(yīng)用進(jìn)展。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，氮化鎵技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域都發(fā)揮著越來越重要的作用，具有廣泛的應(yīng)用前景，將會(huì)在更多的領(lǐng)域得到應(yīng)用和發(fā)展，前景廣闊，備受關(guān)注。作為IFWS重要分會(huì)之一，氮化鎵射頻電子器件技術(shù)分會(huì)將著力聚焦最新技術(shù)發(fā)展與前沿趨勢(shì)，目前最新報(bào)告日程正式出爐。
本屆“氮化鎵射頻電子器件技術(shù)分會(huì)”得到了三安光電股份有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司的協(xié)辦支持。屆時(shí)，該分會(huì)將有臺(tái)灣聯(lián)合光電有限公司總經(jīng)理助理邱顯欽，西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授張進(jìn)成，河北博威集成電路有限公司副總經(jīng)理默江輝，北京大學(xué)教授楊學(xué)林，桂林電子科技大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授李海鷗，新加坡國(guó)立大學(xué)教授郭永新，中興通訊有限公司總工程師劉建利，中電科五十五所研究員張凱，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所何佳恒，西安電子科技大學(xué)陳怡霖等科研院校知名專家及實(shí)力派企業(yè)代表共同參與，將圍繞氮化鎵射頻電子器件技術(shù)的發(fā)展分享主題報(bào)告。
分會(huì)日程詳情如下：
備注：最終日程以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)！
【部分嘉賓簡(jiǎn)介】
陳堂勝，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家，分會(huì)程序委員會(huì)專家。長(zhǎng)期從事GaAs、GaN等化合物半導(dǎo)體微波功率器件和單片電路的研制，現(xiàn)為中國(guó)電子科技集團(tuán)公司制造工藝領(lǐng)域首席科學(xué)家，目前在開展金剛石襯底GaN HEMT、異構(gòu)集成等方面的研究。
蔡樹軍，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所所長(zhǎng)，分會(huì)程序委員會(huì)專家。長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體器件與電路科研工作，主持新一代（氮化鎵）半導(dǎo)體核心射頻芯片研制工作，先后帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)突破第三代半導(dǎo)體氮化鎵射頻器件技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了射頻芯片從第二代向第三代跨越；突破了砷化鎵芯片制造瓶頸技術(shù)，補(bǔ)齊砷化鎵芯片落后短板。作為第一完成人，參與項(xiàng)目榮獲2019年度國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)、2017年度國(guó)防科技進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。
郭永新，新加坡國(guó)立大學(xué)電機(jī)與計(jì)算機(jī)工程系終身正教授，新加坡工程院院士，兼任新加坡國(guó)立大學(xué)蘇州研究院智慧醫(yī)療技術(shù)卓越中心主任，高級(jí)研究員。中國(guó)南京理工大學(xué)客座教授，博士生導(dǎo)師。新加坡國(guó)立大學(xué)蘇州研究院首席研究員，新加坡國(guó)立大學(xué)蘇州研究院智慧醫(yī)療技術(shù)卓越研究中心主任，新加坡國(guó)立大學(xué)電機(jī)與計(jì)算機(jī)工程系教授。在生物醫(yī)療、移動(dòng)通信和物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域積極開展原創(chuàng)性研究，主要研究方向有射頻微波與毫米波集成芯片的EDA和設(shè)計(jì)、平面天線理論和設(shè)計(jì)、微波和毫米波雷達(dá)技術(shù)、無線輸能理論及其技術(shù)、三維打印和封裝技術(shù)等。產(chǎn)生的50多項(xiàng)發(fā)明專利技術(shù)，已獲中國(guó)授權(quán)或受理。在國(guó)際著名刊物上發(fā)表論文138余篇, 國(guó)際會(huì)議宣讀論文154余篇。現(xiàn)為國(guó)際電氣與電子工程師協(xié)會(huì)（IEEE）高級(jí)會(huì)員；國(guó)際著名雜志IEEE天線與無線傳播快報(bào)(AWPL)責(zé)任副主編（Associate Editor）；多次擔(dān)任國(guó)際會(huì)議的大會(huì)主席/聯(lián)合主席。
張乃千，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)，分會(huì)程序委員會(huì)專家。曾任職全球最大的射頻半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家RFMD公司，任職期間張乃千擔(dān)任了公司氮化鎵HEMT專業(yè)指導(dǎo)委員會(huì)委員，并因RF3800系列產(chǎn)品的開發(fā)獲得公司“突出貢獻(xiàn)(Spotlight)”獎(jiǎng)。他于2007年回國(guó)創(chuàng)辦了能訊半導(dǎo)體并任總裁。能訊是中國(guó)首家第三代半導(dǎo)體氮化鎵電子器件設(shè)計(jì)與制造商業(yè)企業(yè)，自主進(jìn)行氮化鎵外延生長(zhǎng)、晶圓制造、內(nèi)匹配與封裝等。
張韻，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)、研究員，分會(huì)程序委員會(huì)專家。曾在美國(guó)高平（Kopin）半導(dǎo)體公司III-V部門從事研發(fā)工作。具備多年GaN、GaAs基器件的設(shè)計(jì)、制造工藝及器件物理分析經(jīng)驗(yàn)。2006年至2010年，參與完成與美國(guó)國(guó)防部先進(jìn)研究項(xiàng)目局（DARPA）在深紫外光電探測(cè)器領(lǐng)域的項(xiàng)目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可見光波段激光器領(lǐng)域的項(xiàng)目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光電子器件領(lǐng)域取得了豐碩成果的同時(shí)，在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經(jīng)驗(yàn)和世界領(lǐng)先的成果。
敖金平，日本德島大學(xué)教授、江南大學(xué)教授，分會(huì)程序委員會(huì)專家。曾擔(dān)任電子工業(yè)部第十三研究所GaAs超高速集成電路研究室副主任，高級(jí)工程師。2001年赴日本國(guó)立德島大學(xué)作博士后研究員，2003年11月起加入德島大學(xué)并于2012年升任準(zhǔn)教授。2016年起任西安電子科技大學(xué)特聘教授，博士生導(dǎo)師。主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作。敖博士是國(guó)際電氣電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)高級(jí)會(huì)員，美國(guó)電氣化學(xué)協(xié)會(huì)(ESC)會(huì)員，日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)會(huì)員以及日本電子情報(bào)通信學(xué)會(huì)會(huì)員。
于洪宇，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授，分會(huì)程序委員會(huì)專家。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，承擔(dān)超過7000萬人民幣國(guó)家/省/市/以及橫向科研項(xiàng)目（包括新加坡主持項(xiàng)目）。產(chǎn)學(xué)研方面，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域承擔(dān)了與華為/方正微電子等公司的橫向課題，使得GaN功率器件在其公司的p-line生產(chǎn)，目前承擔(dān)一項(xiàng)6寸硅基GaN功率器件產(chǎn)業(yè)化的廣東省重大專項(xiàng)。在電子陶瓷領(lǐng)域創(chuàng)辦南灣通信科技有限公司，成功吸引天使投資1500萬用于量產(chǎn)介質(zhì)濾波器。
馮志紅，中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任，分會(huì)程序委員會(huì)專家。是中國(guó)電子科學(xué)研究院博士生導(dǎo)師，科技創(chuàng)新特區(qū)太赫茲主題專家組專家，國(guó)際電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)（lEC）專家等。研究方向涉及寬禁帶半導(dǎo)體、碳電子和固態(tài)太赫茲電子技術(shù)。
劉建利，中興通訊股份有限公司無線射頻總工，分會(huì)程序委員會(huì)專家。1998年至2007年任中興通訊股份有限公司，RF研發(fā)工程師兼GSM, CDMA, UMTS等射頻功放研發(fā)團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目經(jīng)理。自2008年起，任中興通訊股份有限公司射頻功放平臺(tái)總工。
邱顯欽，臺(tái)灣聯(lián)合光電有限公司總經(jīng)理助理。2004年加入臺(tái)塑集團(tuán)長(zhǎng)庚大學(xué)電子系進(jìn)行高速組件開發(fā)與毫米波集成電路設(shè)計(jì)并同時(shí)規(guī)劃建立長(zhǎng)庚大學(xué)化合物半導(dǎo)體無塵室及其相關(guān)半導(dǎo)體制程設(shè)備，2007年開始氮化鎵高功率組件與高功率電路技術(shù)開發(fā)。2009年加入長(zhǎng)庚大學(xué)高速智能通訊研究中心并建立110GHz 高頻量測(cè)與建模能力的毫米波核心實(shí)驗(yàn)室，2013年建立四吋氮化鎵功率組件實(shí)驗(yàn)室開發(fā)氮化鎵功率晶體管與驅(qū)動(dòng)模塊，氮化鎵微波晶體管與模塊。
張進(jìn)成，西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授。主要研究領(lǐng)域?yàn)閷捊麕c超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件。獲得國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2項(xiàng)（排名第一和第二），省部級(jí)科技一等獎(jiǎng)4項(xiàng)以及國(guó)家教學(xué)成果一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。1998年起師從中國(guó)科學(xué)院院士郝躍教授，從事寬禁帶半導(dǎo)體電子材料與器件研究，是我國(guó)乃至國(guó)際上最早開展寬禁帶（第三代）半導(dǎo)體電子器件與材料研究的知名學(xué)者之一。
李海鷗，桂林電子科技大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授。入選廣西“特聘專家”、桂林市“漓江學(xué)者”等榮譽(yù)稱號(hào)。近年主持國(guó)家自然科學(xué)基金、廣西自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、廣西創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目、廣西科技重大專項(xiàng)、中國(guó)博士后基金、桂林市科技開發(fā)項(xiàng)目、廣西精密導(dǎo)航技術(shù)與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室項(xiàng)目以及中電集團(tuán)橫向項(xiàng)目項(xiàng)目、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司橫向項(xiàng)目等二十余項(xiàng)科研項(xiàng)目。在國(guó)內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物發(fā)表學(xué)術(shù)論文200余篇，其中SCI、EI收錄100余篇。獲得國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)40余項(xiàng)。
楊學(xué)林，北京大學(xué)教授，2004年獲吉林大學(xué)學(xué)士學(xué)位，2009年獲北京大學(xué)理學(xué)博士學(xué)位，2009-2012年在日本東京大學(xué)從事博士后研究，國(guó)家優(yōu)秀青年科學(xué)基金獲得者。近年來主要圍繞GaN基電子材料和器件開展研究工作，在Si襯底上GaN厚膜及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的MOCVD外延生長(zhǎng)、GaN基材料中雜質(zhì)缺陷研究等方面取得了多項(xiàng)成果。迄今共發(fā)表SCI論文130多篇，包括以第一/通訊作者在Phys. Rev. Lett.、Adv. Funct. Mater.、Appl. Phys. Lett.等期刊上發(fā)表SCI論文45篇。在本領(lǐng)域國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)會(huì)議上做邀請(qǐng)報(bào)告20次，申請(qǐng)/授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利15件。主持國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)/優(yōu)青/面上項(xiàng)目、科技部國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題，華為/北方華創(chuàng)等產(chǎn)學(xué)研合作項(xiàng)目，正在積極推動(dòng)科研成果轉(zhuǎn)化。
默江輝，河北博威集成電路有限公司副總經(jīng)理。公司主要從事微波/射頻混合集成電路及晶振電路的研發(fā)和生產(chǎn)。是國(guó)家有源、無源射頻集成電路生產(chǎn)基地，河北省高新技術(shù)企業(yè)，目前國(guó)內(nèi)最大的微波/射頻集成電路供應(yīng)商。公司主要面向無線通信市場(chǎng)，研發(fā)系列低成本晶振電路、射頻集成VCO、CRO，射頻集成PLL頻率合成器、低噪放LNA、濾波器、功率限幅器、功分器、I/Q調(diào)制器等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各類無線通信系統(tǒng)中，如：PHS、GSM、CDMA、WCDMA、WLNA等系統(tǒng)，同時(shí)在各類頻率合成器、微波接收機(jī)、中頻的接收與處理等領(lǐng)域有著獨(dú)到的優(yōu)勢(shì)。
張凱，博士，南京電子器件研究所研究員。2014年畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院，2015年加入南京電子器件研究所微波毫米波單片集成與模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。他專注于探索創(chuàng)造新穎的、先進(jìn)的GaN器件，包括高線性GaN器件、太赫茲GaN器件以及Si基GaN微波毫米波器件等。目前為止，典型成果包括國(guó)際第一個(gè)具有優(yōu)異功率性能的GaN FinFET器件，國(guó)內(nèi)截止頻率最高的SiC襯底上GaN器件、國(guó)際整體性能最優(yōu)的Si基GaN高頻器件（以上結(jié)論依據(jù)源于已發(fā)表文章、會(huì)議等），成果曾經(jīng)兩次被Semiconductor Today雜志專題報(bào)道。
更多論壇進(jìn)展信息，敬請(qǐng)關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)！
附論壇詳細(xì)信息：
會(huì)議時(shí)間 : 2023年11月27-30日
會(huì)議地點(diǎn) :中國(guó)· 福建 ·廈門國(guó)際會(huì)議中心
主辦單位：
廈門市人民政府
廈門大學(xué)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
承辦單位：
廈門市工業(yè)和信息化局
廈門市科學(xué)技術(shù)局
廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)
惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
論壇主題：低碳智聯(lián)· 同芯共贏
程序委員會(huì) ：
程序委員會(huì)主席團(tuán)
主席：
張 榮--中國(guó)科學(xué)院院士，廈門大學(xué)黨委書記、教授
聯(lián)合主席：
劉 明--中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所研究員
顧 瑛--中國(guó)科學(xué)院院士、解放軍總醫(yī)院教授
江風(fēng)益--中國(guó)科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
李晉閩--中國(guó)科學(xué)院特聘研究員
張國(guó)義--北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長(zhǎng)、教授
沈 波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
徐 科--江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中科院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員
邱宇峰--廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長(zhǎng)
盛 況--浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授
張 波--電子科技大學(xué)教授
陳 敬--香港科技大學(xué)教授
徐現(xiàn)剛--山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授
吳偉東--加拿大多倫多大學(xué)教授
張國(guó)旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授
備注：11月15日前注冊(cè)報(bào)名，享受優(yōu)惠票價(jià)！
＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。
＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的5%作為退款手續(xù)費(fèi)。
＊IFWS相關(guān)會(huì)議：碳化硅功率電子、氮化鎵功率電子、超寬禁帶半導(dǎo)體、Mini/MicroLED技術(shù)；
＊SSL相關(guān)會(huì)議：半導(dǎo)體光源、半導(dǎo)體照明創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/MicroLED技術(shù)；
＊IFWS會(huì)議用餐包含：28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL會(huì)議用餐：27日晚餐、28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐。
線上報(bào)名通道：
組委會(huì)聯(lián)系方式：
1.投稿咨詢
白老師
010-82387600-602
papersubmission@china-led.net
2.贊助/參會(huì)/參展/商務(wù)合作
張女士
13681329411
zhangww@casmita.com
賈先生
18310277858
jiaxl@casmita.com
余先生
18110121397
yuq@casmita.com
協(xié)議酒店：
