據悉，日前，三星電子在第三季度財報電話會議上宣布，將擴大尖端存儲器的供應，包括10nm第四代（1a）和第五代（1b）DRAM內存以及第七代和第八代V-NAND閃存等，而不會進行任何下調。

 

三星電子副總裁Kim Jae-jun表示：“對于生成式人工智能（AI）等高性能產品運行至關重要的尖端存儲的需求正在迅速增長。另一方面，由于去年以來存儲行業的資本投資削減，我們先進節點工藝的擴展受到限制。”

 

Kim Jae-jun補充道：“三星電子將通過維持投資來進一步鞏固其在尖端存儲器市場的地位，以確保其中長期競爭力。”三星電子負責半導體業務的DS部門計劃每年投資47.5萬億韓元的資本支出。

 

然而，Kim Jae-jun解釋說，對于一些傳統產品，該公司正在繼續調整產量以使庫存正常化，“將進行選擇性的生產調整，以在短時間內使庫存正常化。NAND閃存的供應削減幅度將大于DRAM。”

 

同日，三星電子公布第三季度財報業績，合并銷售額67.4047萬億韓元，營業利潤為2.4336萬億韓元。三星電子銷售額較去年第三季度下降12.21%，但較今年第二季度增長12.3%；營業利潤較去年同期下降77.57%。不過，這一數字明顯高于市場預測的1.8358萬億韓元。

 

特別是三星DS部門的經營業績有所改善，營業利潤達到2萬億韓元以上。該公司公布的營業虧損為3.75萬億韓元，與第一季度的4.58萬億韓元和第二季度的4.36萬億韓元相比，虧損大幅縮小。

 

三星電子涵蓋家電和移動業務的DX部門銷售額達44.2萬億韓元，營業利潤達3.73萬億韓元；以智能手機為主的移動體驗和網絡部門創造了3.3萬億韓元的營業利潤；消費電子和視覺顯示部門創造了3800億韓元的營業利潤；三星顯示實現營業利潤1.94萬億韓元；汽車電子子公司哈曼實現營業利潤4500億韓元。 

 

來源：愛集微