當下，新能源汽車、5G通訊、光伏、儲能等下游領域迸射出的強烈需求，正驅動著碳化硅（SiC）產業在高速發展，與此同時多方紛紛加強研發力度，旨在突破技術壁壘，搶占市場先機。
其中，作為碳化硅突破瓶頸的重要工藝節點，8英寸SiC襯底成為各方搶攻的黃金賽道。
下一個拐點尺寸：8英寸SiC襯底
作為第三代半導體代表材料之一，碳化硅具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率等性能優勢，在高溫、高壓、高頻領域表現優異，已成為半導體材料技術領域的主要發展方向之一。
隨著下游需求的帶動，碳化硅正處于高速增長期，據TrendForce集邦咨詢分析2023年整體SiC功率元件市場規模達22.8億美元，年成長41.4%，并預估至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元。
從產業鏈結構上看，SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環節形成，襯底在SiC器件成本中占比高達~45%。業界認為，為了降低單個器件的成本，進一步擴大SiC襯底尺寸，在單個襯底上增加器件的數量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優勢。
Wolfspeed數據顯示，從6英寸升級到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但合格芯片產量可以增加 80%-90%；同時8英寸襯底厚度增加有助于在加工時保持幾何形狀、減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底可以將單位綜合成本降低50%。
另據TrendForce集邦咨詢此前表示，目前碳化硅產業以6英寸為主流，占據近80%市場份額，8英寸則不到1％。8英寸的晶圓尺寸擴展，是進一步降低碳化硅器件成本的關鍵。若達到成熟階段，8英寸單片的售價約為6英寸的1.5倍，且8英寸能夠生產的晶粒數約為6英寸SiC晶圓的1.8倍，晶圓利用率顯著提高。
顯然，6英寸向8英寸擴徑的行業趨勢明確，8英寸SiC襯底蘊含著國內廠商實現彎道超車的機遇，TrendForce集邦咨詢研究數據指出，目前8英寸的產品市占率不到2%，并預測2026年市場份額才會成長到15%左右。
搶抓機遇：進擊8英寸SiC襯底
業界指出，8英寸SiC晶體生長的難點在于，首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題，還要解決應力加大導致晶體開裂問題。
據媒體引述業界人士稱，今年將會是8英寸碳化硅元年。今年以來，國際功率半導體巨頭Wolfspeeed、意法半導體等加速發展8英寸碳化硅。而國內市場來看，碳化硅設備、襯底及外延環節亦迎來突破性進展，并且多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭聯手。
針對8英寸碳化硅襯底布局，TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體市場此前統計，目前國內有10家企業和機構在研發8英寸襯底，包含爍科晶體、晶盛機電、天岳先進、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學、天科合達、科友半導體、乾晶半導體等。
今年來，國內廠商在8英寸碳化硅襯底方面取得了何種成績以及部分產能如何？
科友半導體：
2023年4月，科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產，打破了國際在寬禁帶半導體關鍵材料的限制和封鎖。
2023年6月，科友半導體突破了8英寸SiC量產關鍵技術，并在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩定性等方面取得進步，其中，8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上。
2023年9月，科友半導體首批自產8英寸SiC襯底于科友產學研聚集區襯底加工車間成功下線，這標志著科友在8英寸SiC襯底加工，以及大尺寸襯底產業化方面邁出了堅實一步。
乾晶半導體：
2023年5月，乾晶半導體成功生長出厚度達27毫米的8英寸n型碳化硅單晶錠。據悉，其8英寸碳化硅晶體生長技術于2023年四季度轉入蕭山研發中心進行中試。
9月下旬，乾晶半導體與譜析光晶、綠能芯創簽訂三方戰略合作協議。三方約定緊密配合、共同投入開發及驗證應用于特殊領域的SiC相關產品，簽約同時項目啟動（9月），并簽訂了5年內4.5億的意向訂單。
10月12日，乾晶半導體（衢州）有限公司（以下簡稱“乾晶半導體（衢州）”）碳化硅襯底項目中試線主廠房結頂儀式在智造新城東港八路78號一期地塊舉行。
該項目總占地面積22畝，總建筑面積約19000平方米，第一期總投資約3億元，計劃建成碳化硅6/8英寸單晶生長和襯底加工的中試基地。第一期項目將在2023年底具備設備搬入條件。
乾晶半導體透露稱，隨著衢州生產基地項目一期到三期的分批建成，乾晶將逐步實現年產60萬片碳化硅6-8寸襯底供給能力。
南砂晶圓：
今年6月，南砂晶圓啟動濟南中晶芯源基地建設，規劃產能50萬片，增加8英寸比例，項目計劃在2025年滿產達產，屆時預計產值達到50億元以上。
8月，據《無機材料學報》消息，山東大學與南砂晶圓在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理氣相傳輸法實現了近“零螺位錯（TSD）”密度和低基平面位錯（BPD）密度的8英寸導電型4H-SiC單晶襯底制備，其中螺位錯密度為0.55 cm-2，基平面位錯密度為202 cm-2。
研究團隊認為，近“零TSD”和低BPD密度的8英寸SiC襯底制備，有助于加快國產8英寸SiC襯底的產業化進程，提升市場競爭力。
合盛硅業：
5月，合盛硅業披露8英寸碳化硅襯底研發順利，已經實現了量產。合盛半導體SiC項目營銷部負責人當時表示，公司已完整掌握了Sic材料的原料合成、晶體生長襯底加工等全產業鏈核心工藝技術，突破了關鍵材料多孔石墨、涂層材料) 和裝備的技術壁壘。
截止目前，合盛2萬片寬禁帶半導體SiC襯底產業化生產線項目已通過驗收，并具備量產能力。
同光股份：
4月，據“河北黨員教育”消息，河北同光半導體股份有限公司（同光股份）歷經2年多的研發，8英寸導電型碳化硅晶體樣品已經出爐。預計這款新產品年底可實現小批量生產，將被客戶制為功率芯片。
2021年9月，同光晶體碳化硅單晶淶源項目正式投產，項目總投資10億元，計劃增購單晶生長爐600臺，滿產后達到年產10萬片生產能力。
同光科技董事長鄭清超當時表示，下一步，公司正謀劃建設2000臺碳化硅晶體生長爐生長基地，以及年產60萬片碳化硅單晶襯底加工基地，擬總投資40億元。預計2025年末實現滿產運營，預計新增產值40-50億元，成為全球重要的碳化硅單晶襯底供應商。
天科合達：
2023年1月，天科合達研發團隊在《人工晶體學報》上發表8英寸導電型SiC單晶襯底制備與表征重要文章。根據內容，天科合達研發團隊使用物理氣相傳輸法(PVT)通過擴徑技術制備出直徑為209 mm的4H-SiC單晶，并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標準8英寸SiC單晶襯底。
5月，天科合達與英飛凌簽訂了一份長期協議，為其供應碳化硅材料。根據該協議，第一階段將側重于150毫米碳化硅材料的供應，并將提供200毫米直徑碳化硅材料，幫助英飛凌向200毫米（8英寸）直徑晶圓的過渡。
此外，8月8日，天科合達全資子公司江蘇天科合達碳化硅晶片二期擴產項目開工。二期項目將新增16萬片產能，并計劃明年6月份建設完成，同年8月份竣工投產，屆時江蘇天科合達總產能將達到23萬片。
晶盛機電：
晶盛機電已成功生長出8英寸N型碳化硅晶體，完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現8英寸拋光片的開發，解決了8英寸SiC晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題。
6月27日，晶盛機電帶來了碳化硅設備方面的新消息，即成功研發出8英寸單片式碳化硅外延生長設備，可兼容6、8寸碳化硅外延生產。
目前，該公司在子公司晶瑞的8英寸襯底基礎上，已實現8英寸單片式碳化硅外延生長設備的自主研發與調試，外延的厚度均勻性1.5%以內、摻雜均勻性4%以內，已達到行業領先水平。
三安光電：
今年6月，三安光電宣布與意法半導體在重慶成立合資公司，雙方將新建一座8英寸碳化硅器件制造廠。該工廠全部建設總額預計約達32億美元，計劃于2025年第四季度開始生產，2028年全面建廠，將采用ST的碳化硅專利制造工藝技術生產碳化硅器件。
合資公司持股方面，三安光電下屬子公司湖南三安半導體持股比例為51%，意法半導體持股比例為49%。此外，意法半導體稱，新合資廠將助力公司實現到2030年取得50億美元以上的碳化硅營收目標。
9月，湖南三安半導體首發8英寸碳化硅襯底，適用于電力電子。資料顯示，湖南三安半導體是國內為數不多的碳化硅垂直產業鏈制造平臺，其碳化硅產能已達12000片/月，硅基氮化鎵產能2000片/月。湖南三安二期工程將于2023年貫通，達產后配套年產能將達到36萬片。
10月23日，三安光電宣布，旗下子公司湖南三安8英寸碳化硅襯底已完成開發，產品進入小批量生產及送樣階段。湖南三安依托精準熱場控制的自主PVT工藝，8英寸碳化硅襯底實現更低成本及更低缺陷密度，后續將持續提升良率，加快設備調試與工藝優化，并持續推進湖南與重慶工廠量產進程。
天岳先進：
5月，天岳先進與英飛凌簽訂了一項新的襯底和晶棒供應協議。根據該協議，天岳先進將為英飛凌供應150毫米碳化硅襯底和晶棒，第一階段將側重于150毫米碳化硅材料，但天岳先進將助力英飛凌向200毫米（8英寸）直徑碳化硅晶圓過渡。
此外，英飛凌正著力提升碳化硅產能，以實現在2030年之前占據全球30%市場份額的目標。英飛凌預計，到2027年，其碳化硅產能將增長10倍。
6月，天岳先進采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場、溶液設計和工藝創新突破了碳化硅單晶高質量生長界面控制和缺陷控制難題。除了產品尺寸，在大尺寸單晶高效制備方面，采用公司最新技術制備的晶體厚度已突破60mm，而這對提升產能具有重要意義。
來源：全球半導體觀察
