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格芯獲美國3500萬美元資金,加速制造下一代氮化鎵芯片

日期:2023-10-20 閱讀:675
核心提示:10 月 19 日消息,格芯(GlobalFoundries,格羅方德)最初從 AMD 半導體的制造部門獨立而出,目前為世界第四大專業晶圓代工廠,

 10 月 19 日消息,格芯(GlobalFoundries,格羅方德)最初從 AMD 半導體的制造部門獨立而出,目前為世界第四大專業晶圓代工廠,旗下擁有德國德累斯頓、美國奧斯汀和紐約州 (建設中) 等多座工廠。

格芯現發布新聞稿,宣布獲得從美國國防部提供的 3500 萬美元(IT之家備注:當前約 2.56 億元人民幣)資金,以加速其位于佛蒙特州埃塞克斯工廠制造硅基氮化鎵 (GaN on Si) 芯片。

據格芯稱,該資金建立在與美國政府多年合作的基礎上,其中包括 2020 年至 2022 年提供的 4000 萬美元支持。這筆資金預計將使該公司更接近 200mm 晶圓上硅基氮化鎵的量產,200mm 晶圓是 GaN 技術的最先進技術。

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