以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前景廣闊。封裝對于化合物半導(dǎo)體器件的性能和可靠性至關(guān)重要。隨著化合物半導(dǎo)體器件的日益普及和廣泛應(yīng)用，先進封裝材料、可靠性技術(shù)都在不斷的發(fā)展提升。

10月12-13日，NEPCON ASIA 2023 期間“2023化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)論壇”于深圳國際會展中心（寶安新館）如期舉行。論壇由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 、中國國際貿(mào)易促進委員會電子信息行業(yè)分會、勵展博覽集團聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦，江蘇博睿光電有限公司、ULVAC株式會社、托托科技（蘇州）有限公司等單位支持協(xié)辦。論壇依托強大背景及產(chǎn)業(yè)資源，致力于先進半導(dǎo)體技術(shù)推廣、創(chuàng)新應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)鏈間的合作，為科研機構(gòu)、高校院所、芯片面板及終端制造，上游及材料設(shè)備搭建交流協(xié)作的橋梁。

大連理工大學(xué)教授王德君，寧波錸微半導(dǎo)體有限公司董事長 江南大學(xué)教授敖金平，安徽長飛先進半導(dǎo)體有限公司首席科學(xué)家劉紅超，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院蔣洋，安徽工程大學(xué)副院長、教授林信南，西安電子科技大學(xué)教授劉志宏，邁銳斯自動化（深圳）有限公司/MRSI Systems總經(jīng)理/戰(zhàn)略營銷高級總監(jiān)周利民，南方科技大學(xué)副教授葉懷宇，深圳大學(xué)研究員劉新科，江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超博士，工業(yè)和信息化部電子第五研究所功率器件團隊總師賀致遠，ULVAC株式會社市場戰(zhàn)略中心長王禹，香港中文大學(xué)（深圳）副研究員冀東，托托科技（蘇州）有限公司董事長吳陽博士，安徽芯塔電子科技有限公司高級產(chǎn)品經(jīng)理張陽明，山東華光光電子股份有限公司戰(zhàn)略產(chǎn)品部總經(jīng)理李沛旭，茂碩電源科技股份有限公司總監(jiān)陸文杭，北京聚睿眾邦科技有限公司（米格實驗室）副總經(jīng)理朱震等知名企業(yè)領(lǐng)袖、專家代表出席論壇，聚焦前沿技術(shù)進步與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新應(yīng)用，探討最新進展，促進化合物導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)發(fā)展。

應(yīng)用需求推動，封裝技術(shù)不斷演化提升  

當(dāng)前，化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)仍面臨著一些挑戰(zhàn)，主要涉及到器件本身的高性能特性以及封裝技術(shù)的應(yīng)對能力。封裝技術(shù)也正在不斷演進。一些新型散熱材料和結(jié)構(gòu)被設(shè)計用于更好地滿足高功率器件的散熱需求，而高頻封裝技術(shù)的不斷改進使得射頻應(yīng)用更加可行。此外，可靠性測試和可靠性建模等方法有助于確保高性能化合物半導(dǎo)體器件的長期穩(wěn)定性。應(yīng)用需求繼續(xù)推動化合物半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)的進步和發(fā)展。

大連理工大學(xué)教授王德君

南方科技大學(xué)副教授葉懷宇

論壇主題報告環(huán)節(jié)，嘉賓們圍繞著化合物半導(dǎo)體器件與封裝技術(shù)等最新進展與發(fā)展趨勢分享主題報告，從產(chǎn)業(yè)、工藝、應(yīng)用、趨勢等不同角度展開務(wù)實的深入探討交流。大連理工大學(xué)教授王德君、南方科技大學(xué)副教授葉懷宇共同主持了論壇報告環(huán)節(jié)。

邁銳斯自動化（深圳）有限公司總經(jīng)理、MRSI Systems戰(zhàn)略營銷高級總監(jiān)周利民博士

《化合物半導(dǎo)體芯片封裝需求分析與技術(shù)探討》

化合物半導(dǎo)體芯片的封裝需求會根據(jù)特定的應(yīng)用和性能要求而有所不同。封裝是將芯片保護、連接和集成到電路系統(tǒng)中的關(guān)鍵步驟。邁銳斯自動化（深圳）有限公司總經(jīng)理、MRSI Systems戰(zhàn)略營銷高級總監(jiān)周利民博士帶來了“化合物半導(dǎo)體芯片封裝需求分析與技術(shù)探討”的主題報告，分享了化合物半導(dǎo)體芯片組裝挑戰(zhàn)、技術(shù)解決方案及應(yīng)用與市場趨勢，包括化合物半導(dǎo)體芯片/管芯組件，芯片、基板、模具連接材料，工藝與設(shè)備多種技術(shù)。報告指出，化合物半導(dǎo)體應(yīng)用市場快速增長，高可靠性、高精度、高速度和高靈活性是裝配趨勢。

安徽長飛先進半導(dǎo)體有限公司首席科學(xué)家劉紅超

《生態(tài)共攜手，同享碳化硅輝煌未來》

SiC是新能源領(lǐng)域關(guān)鍵材料與器件，在新能源車、風(fēng)光儲等新能源領(lǐng)域都有著 巨大的市場應(yīng)用前景。中國、歐美日等國家無論是政府還是企業(yè)都投入了巨大的人力物力進行研究和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。安徽長飛先進半導(dǎo)體有限公司首席科學(xué)家劉紅超帶來了“生態(tài)共攜手，同享碳化硅輝煌未來”的主題報告，結(jié)合當(dāng)前供應(yīng)、競爭與投資格局，分享了SiC產(chǎn)業(yè)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)，涉及SiC材料、Mobility遷移率等。報告指出，SiC襯底和外延存在各種晶格和形貌曲線，目前的光學(xué)檢測手段主要是記錄表面缺陷；各種檢測方法因為成像原理以及算法的差異，導(dǎo)致各種方法間沒有完全可比性。同時如何降低來自襯底和外延中缺陷的技術(shù)和設(shè)備正備受關(guān)注。缺陷帶來良率損失，成熟的AOI設(shè)備主要用于檢測晶圓表面缺陷，包括線條形貌、掉落顆粒物等。但SiC晶圓生產(chǎn)過程中，特別是離子注入會產(chǎn)生引起電性能參數(shù)以及可靠性問題的晶體 缺陷，目前還缺乏有效檢測手段。 

寧波錸微半導(dǎo)體有限公司董事長、江南大學(xué)教授敖金平

《氮化鎵微波功率器件的研究與應(yīng)用》

氮化鎵（GaN）微波功率器件具有高功率密度、高頻率工作、高溫度性能和快速開關(guān)速度等諸多優(yōu)勢，有望在通信、軍事、航空航天和科學(xué)研究領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。寧波錸微半導(dǎo)體有限公司董事長、江南大學(xué)教授敖金平帶來了“氮化鎵微波功率器件的研究與應(yīng)用”的主題報告，分享了相關(guān)技術(shù)研究進展，報告指出在射頻器件領(lǐng)域，氮化鎵有絕對優(yōu)勢。射頻功率放大器以外，射頻肖特基二極管呈現(xiàn)綜合性能優(yōu)勢?；贕aN SBD的RF/DC轉(zhuǎn)換效率達到80-90%。

安徽工程大學(xué)副院長、教授林信南

《650V硅基氮化鎵器件結(jié)構(gòu)與工藝研發(fā)》

作為高電壓功率半導(dǎo)體器件，650V硅基氮化鎵（SiGaN）器件結(jié)合了硅（Si）和氮化鎵（GaN）材料的特性，具有多種特性和優(yōu)勢，使其成為高電壓、高功率和高頻率應(yīng)用的理想選擇，有望推動電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新和發(fā)展。安徽工程大學(xué)副院長、教授林信南帶來了“650V硅基氮化鎵器件結(jié)構(gòu)與工藝研發(fā)”的主題報告，分析了當(dāng)前器件制造中的問題，從設(shè)計、工藝角度分享了解決方案，并提出了器件性能優(yōu)化的研究成果。其中，提出并優(yōu)化了一種GFDM AlGaN/GaN器件的制備工藝。通過優(yōu)化的歐姆接觸步長，不僅獲得了1.07 Ω·mm的極低歐姆接觸電阻值，而且在150mm晶圓上獲得了良好的均勻性。提出了一種新型的柵極和鈍化介質(zhì)堆疊，由原位生長在in-situ的Si3N4(3 nm)的薄的MOCVD和生長 Si3N4 (30nm)的厚的(LPCVD)組成。

大連理工大學(xué)教授王德君

《碳化硅柵氧技術(shù)及未來挑戰(zhàn)》

碳化硅（SiC）柵氧技術(shù)涉及到在SiC材料上生長氧化物層，以隔離金屬柵極和SiC通道之間的電荷，并在柵極上形成電場以控制通道的電子流。對于制造高性能的碳化硅MOSFET和其他SiC器件至關(guān)重要。大連理工大學(xué)教授王德君帶來了“碳化硅柵氧技術(shù)及未來挑戰(zhàn)”的主題報告，介紹了SiC MOSFET器件可靠性問題、SiC MOS界面缺陷及其物理模擬、SiC半導(dǎo)體界面缺陷測試分析技術(shù)  SiC MOS器件高溫柵氧化技術(shù)、SiC MOS器件先進柵氧化技術(shù)等進展。研究基于表界面缺陷研究，提升SiC MOS器件性能穩(wěn)定性可靠性，推進測試分析診斷、柵氧/金屬工藝優(yōu)化、制造技術(shù)及裝備、測試技術(shù)及儀器等工作。

ULVAC株式會社市場戰(zhàn)略中心/中心長王禹

《碳化硅功率器件制造工藝設(shè)備技術(shù)進展》

碳化硅（SiC）功率器件的制造涉及一系列工藝步驟和特殊設(shè)備，以生產(chǎn)高性能、高功率密度和高溫穩(wěn)定性的SiC功率器件。ULVAC株式會社市場戰(zhàn)略中心/中心長王禹帶來了“碳化硅功率器件制造工藝設(shè)備技術(shù)進展”的主題報告，指出SiC市場快速增長的兩大驅(qū)動力，一方面是新能源汽車滲透率的加快。另一方面是風(fēng)能、光伏和儲能拉動SiC器件的需求。產(chǎn)業(yè)鏈應(yīng)該更好的合作，才能共同推動產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。低成本單晶生長，更好的體驗和積累技術(shù)，將決定未來市場的發(fā)展空間。

江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超博士

《面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研制及開發(fā)》

超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能和電絕緣性能，能夠有效地傳導(dǎo)和散熱熱量。在高功率電子器件、射頻（RF）和微波器件、光電子器件等多個應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超博士帶來了“面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研制及開發(fā)”的主題報告，分享了高導(dǎo)熱AlN陶瓷基板的研究進展，報告指出AlN陶瓷基板的熱導(dǎo)率提升有利于助推其更廣闊的應(yīng)用前景，面向不同應(yīng)用場景的AlN基板的定向開發(fā)，推動下游封裝技術(shù)發(fā)展，耦合高性能AlN陶瓷基板與金屬化技術(shù)，助力發(fā)展高功率密度器件的封裝需求。

工業(yè)和信息化部電子第五研究所功率器件團隊總師賀致遠博士

《GaN功率器件動態(tài)導(dǎo)通電阻測試技術(shù)研究》

GaN功率器件動態(tài)導(dǎo)通電阻測試，有助于了解性能和可靠性，以進一步優(yōu)化電路設(shè)計和應(yīng)用。測試結(jié)果對于高頻、高功率電子應(yīng)用非常關(guān)鍵。工業(yè)和信息化部電子第五研究所功率器件團隊總師賀致遠博士帶來了“GaN功率器件動態(tài)導(dǎo)通電阻測試技術(shù)研究”的主題報告，報告認為GaN功率器件動態(tài)導(dǎo)通電阻問題仍然是限制器件推廣應(yīng)用的最重要的可靠性問題之一。基于橫向型GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的機理出發(fā)，團隊制定了基于多次雙脈沖累計應(yīng)力時間的動態(tài)導(dǎo)通電阻測試團體標準，并得到了有效驗證。不同器件結(jié)構(gòu)、不同工藝水平造成的動態(tài)導(dǎo)通電阻退化問題區(qū)別較大，相關(guān)機理仍不清晰，需要投入更多的理論及試驗研究。 工藝提升仍是關(guān)鍵，國產(chǎn)GaN功率器件開發(fā)過程中一定要注意相關(guān)參數(shù)的測試評估。長期應(yīng)用過程中的動態(tài)導(dǎo)通電阻退化問題同樣值得關(guān)注。

論壇上，圍繞著“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸”，“功率器件與封裝模塊制造”和“降本增效”，”碳化硅及氮化鎵器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢“等話題，在王德君教授的主持下，王德君教授、周利民總經(jīng)理、梁超博士、賀致遠總師、葉懷宇博士、林信南教授、王禹博士與現(xiàn)場觀眾展開積極務(wù)實的探討，從不同的角度分享，互動交流碰撞，帶來不同視角的信息與啟發(fā)。

論壇為期兩天，明日精彩繼續(xù)！更多論壇信息，敬請關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)！

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