據(jù)電子時報報道，隨著日本對華半導(dǎo)體設(shè)備出口禁令于7月23日正式生效，業(yè)內(nèi)普遍想知道這將對中國半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生的影響。此次出口管制共計23品類半導(dǎo)體設(shè)備，涵蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、熱處理、清洗和檢驗等。DIGITIMES Research分析師Eric Chen表示，對光刻和薄膜沉積設(shè)備的限制更有可能實施，從而影響中國先進的半導(dǎo)體制造。

在光刻設(shè)備方面，荷蘭ASML和日本尼康、佳能公司是主要供應(yīng)商，占據(jù)全球95%以上的市場份額；在刻蝕設(shè)備方面，美國泛林集團、應(yīng)用材料和日本東京電子(TEL)是主要參與者，全球市場份額合計超過90%；在薄膜沉積設(shè)備方面，主要廠商有美國KLA、應(yīng)用材料及日本日立、東京電子和Ulvac(真空技術(shù)株式會社)，此外還有瑞士Evatec和荷蘭ASM。總的來說，這些公司約占全球市場份額的80-90%。

分析師Eric Chen研究顯示，2022年中國半導(dǎo)體設(shè)備進口的60%以上仍來自美國、日本和荷蘭，其中日本仍是中國最大的半導(dǎo)體設(shè)備來源國，約占進口額的30%。

分析師Eric Chen指出，日本近一半的出口管制與薄膜加工設(shè)備有關(guān)。然而，此類設(shè)備涉及多種工藝。在此背景下，出口管制將主要針對諸如采用鈷和釕等材料進行先進工藝的金屬互連沉積設(shè)備、用于40nm以下工藝的原子層沉積(ALD)設(shè)備，以及多圖案化工藝所需的硬掩膜沉積設(shè)備。

對于光刻設(shè)備，Eric Chen認為日本浸潤式深紫外(DUV)光刻設(shè)備的出口可能會受到影響。盡管日本不生產(chǎn)極紫外(EUV)光刻設(shè)備，但分析指出，管制措施仍將針對EUV掩膜沉積設(shè)備、與EUV工藝涂層和開發(fā)相關(guān)的設(shè)備，以及用于EUV設(shè)備的空白或預(yù)曝光掩膜的檢查設(shè)備。

值得注意的是，在刻蝕設(shè)備方面，Eric Chen指出，日本對硅鍺(SiGe)的濕法刻蝕和干法刻蝕設(shè)備都有限制。相比之下，對于硅等其他材料，管制措施僅涉及干法刻蝕設(shè)備。分析人士認為，日本對硅鍺刻蝕設(shè)備出口管制更加嚴格，主要是由于硅鍺器件會廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事等行業(yè)。

來源： 集微網(wǎng)