復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所（以下簡稱“寬禁帶所”）由復旦大學寧波研究院聯合復旦大學工程與應用技術研究院共同組建，聚焦SiC功率半導體材料缺陷表征、器件設計、器件制造工藝、封裝工藝開發等主要方向，以市場需求為導向，技術創新研發為動力，高端人才培養為支撐，采用政府引導、高校支撐、企業聯合研發、全產業鏈協同的政產學研相結合的模式，重點突破SiC材料與器件關鍵共性技術及先進制造工藝，聯合上下游建立虛擬IDM模式，為寧波SiC優勢產業集群的形成提供強有力支撐。

寬禁帶所建設總投入約4.6億元，主要用于器件工藝研發與中試線、先進封裝研發線、測試及可靠性平臺的設備采購、能力建設和日常運營管理等。接下來將按照國家級和省級重點實驗室標準，加快建設面向前瞻研究與成果轉化、具備國際領先水平的碳化硅半導體材料與器件高水平研發平臺，力爭成為國家級碳化硅半導體技術研發中心，打造寧波“碳化硅谷”。

招聘需求

一、研究員/副研究員

應聘要求：

1）博士研究生學歷，省市級人才項目獲得者優先；

2）有寬禁帶半導體相關項目研發、管理或領導經驗，有高水平論文、成果轉化、技術轉移和產業化經歷，其中有高校及領先頭部企業工作經驗者優先，有省市級平臺管理經驗者優先；

3）具有技術研發、產品開發、項目申請、專利申請的相關經驗，具有相關團隊管理經驗，具備較強溝通能力和團隊協作能力。

二、青年研究員/青年副研究員

應聘要求：

1）博士研究生學歷；

2）擁有半導體相關項目研發及管理經驗，可獨立完成項目申請和技術研發的相關工作，有國家/省市/橫向科研項目的主持領導經驗，已發表過高水平論文者優先；

3）品德優秀、敬業愛崗，具有良好的團隊領導能力和協作精神。

薪酬及福利待遇

1、薪酬面議，整體參照國內一流科研機構水平及國內一線高技術企業水平；

2、開放的高校科研、人才、項目資源，強大的自有研發平臺及創新載體支撐；

3、廣闊的職業發展空間和晉升通道，完善的績效獎勵機制；

4、高標準繳納五險一金（含補充商業險）；

5、雙休工作制，提供員工宿舍、帶薪年假、健康體檢等；

6、享受當地政府人才政策，協助高層次人才申報住房補貼、解決子女入學等問題。

應聘程序

應聘者請將個人簡歷發送至郵箱hr-rifun@fudannb.com，郵件主題請注明 “應聘崗位-姓名”。 

我單位承諾對應聘者提交的所有材料嚴格保密。應聘者須對提供的所有材料的真實性負責。 

聯系人：楊老師

電話：0574-82350319（如有不明事宜，可電話咨詢）

所長寄語

張清純

復旦大學特聘教授

復旦大學寧波研究院寬禁帶所所長

寬禁帶半導體即第三代半導體（SiC和GaN）是支撐新能源汽車、高速列車、能源互聯網、新一代移動通信等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件，契合節能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求，被列為國家科技創新2030重大項目“重點新材料研發及應用”重要方向之一。我國在第三代半導體應用領域有戰略優勢，有機會實現核心技術突破和產業戰略引領，在國際競爭中搶占先機，重塑全球新興半導體產業格局。 

碳化硅(SiC)作為新興的第三代半導體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導率等優異性能，是第三代半導體的主要方向，成為繼以Si、Ge等材料為主的第一代半導體以及GaAs、InP等化合物材料為主的第二代半導體后的又一重要突破，已在光電子、功率、微波等方向得到廣泛應用。

我的職業生涯親歷了SiC半導體材料從萌芽到產業化，見證了SiC器件從小眾到主流的整個歷程，積極參與和推動了SiC半導體技術的發展。技術進步沒有止境，SiC半導體材料和器件的不斷迭代仍需要從根本上研究解決諸如材料生長與缺陷形成機制、MOS溝道遷移率、器件及系統可靠性等重大基礎科學問題，亟需發展創新關鍵技術、形成自主知識產權，為SiC半導體產業的快速發展、技術升級提供有力支撐和保障。

熱忱歡迎有志于從事第三代半導體領域科技研發和成果轉化事業的青年才俊加入研究院團隊，共同推動寬禁帶半導體技術發展！

（來源：復旦大學寧波研究院）