8月8日，鍇威特科創板募資申購開啟。招股書顯示，鍇威特此次IPO擬募資約5.3億元，投建智能功率半導體研發升級項目、SiC功率器件研發升級項目、功率半導體研發工程中心升級項目，以及用于補充營運資金。

圖源：蘇州鍇威特半導體股份有限公司招股書

其中，智能功率半導體研發升級項目主要涉及公司的主營產品功率器件、功率IC、IPM、光繼電器（PhotoMOS）等系列產品的技術升級、工藝制程優化及部分新品類的研發及規模化量產。其中，功率器件主要包括高可靠性高壓平面MOSFET（包括FRMOS）、第三代超結MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V屏蔽柵MOSFET產品；功率IC包括高壓高速柵極驅動IC、高功率密度電源管理IC產品。

該項目實施旨在繼續加強公司在功率半導體產品的技術積淀，保持在功率器件、功率IC、IPM、光繼電器（PhotoMOS）產品的領先優勢，挖掘高性能智能功率半導體的發展潛力，打造全系列產品的技術創新平臺，致力于成為市場一流的高性能、智能化功率半導體供應商。

SiC功率器件研發升級項目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V 1700V SiC SBD工藝優化、器件升級及SiC功率模塊的規模化量產。在SiC功率器件方面，一是SiC MOSFET、SiC SBD由4寸晶圓升級到6寸晶圓的研制；二是在SiC MOSFET基礎上開發集成SBD器件，開發出650V和1200V的SiC SKMOS。

功率半導體研發工程中心升級項目將對功率器件和模塊封裝可靠性、SiC高溫封裝、應用、基于SiC MOSFET制作光繼電器（Photo MOS）以及數字電源進行持續深入研究。該項目基于鍇威特現有技術進行了前瞻性布局，有利于提升公司的技術創新能力，進一步豐富技術儲備。項目的實施一方面可以推動公司現有產品的優化升級，提升公司產品附加值；另一方面可以推動研發成果的成功轉化，有助于豐富公司的產品種類，開拓新的產品應用領域，增強公司的盈利能力。

此外，在器件可靠性考核與測試應用能力方面，隨著可靠性實驗室及測試應用中心的建設，公司通過購置先進的測試設備，有利于完備公司可靠性考核能力，有助于提高產品良率，提升出廠產品的質量，更好的滿足和服務于工業級及高可靠領域客戶對產品品質的需求，同時，也使得公司具備完善的測試評價平臺，并能夠有效制作產品應用方案，指導客戶更好的使用公司產品，從而有利于產品的市場推廣。

資料顯示，鍇威特主營業務為功率半導體的設計、研發和銷售，并提供相關技術服務，主要產品包含功率器件及功率IC兩大類。在功率器件方面，鍇威特產品以高壓平面MOSFET為主，并在平面MOSFET工藝平臺基礎上設計研發了集成快恢復高壓功率MOSFET（FRMOS）系列產品；在功率IC方面，鍇威特產品主要包括PWM控制IC和柵極驅動IC。此外，在第三代半導體方面，鍇威特的SiC功率器件已順利實現產品布局并進入產業化階段。

鍇威特表示，未來，公司將繼續專注于功率半導體的設計、研發與銷售，堅持“自主創芯，助力核心芯片國產化”的發展定位，聚焦消費電子、工業控制和高可靠領域，在新能源汽車、光伏能源、軌道交通、智能電網等領域展開布局；在目前掌握的核心技術基礎上，展開產品系列化及下游市場的進一步拓展、延伸。