金剛石寬禁帶半導體材料的禁帶寬度為5.47 eV，具有優異的力學、 電學、 熱學、 聲學和光學特性，帶隙寬、熱導率高、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照，在高功率、高頻、高溫領域等方面發揮重要作用。

近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.ynpmqx.com）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

期間，“平行論壇2：光電子器件及應用”上，化合積電（廈門）半導體科技有限公司大區總監黃開斌帶來了“金剛石基光電探測及激光器技術進展”的主題報告。CVD 金剛石具有極高的導熱率，是理想的散熱材料。單晶金剛石熱導率高達2000W/m.k以上，多晶金剛石熱導率達1000-2000W/m.k。與此同時， 金剛石的熱膨脹系數極低。

金剛石俗稱“金剛鉆”，具有所有已知材料中最高的硬度和抗穿透性，甚至可以磨損最硬的陶瓷材料。金剛石具有出色的電絕緣性，金剛石的導熱性比銅好五倍，比硅好 22 倍。雖然金剛石是一種出色的熱導體，但金剛石也是一種出色的電絕緣體。與當前技術相比，金剛石的高介電強度允許薄金剛石層隔離大量電壓。在隔離10,000V 時，所需金剛石的體積比硅小50倍，尺寸更小的設備可以實現更快的切換。

金剛石具有優良的光學性能，高質量 CVD 金剛石薄膜具有十分優良的光學性能，除 3~6 μm 范圍內的雙聲子區域存在晶格振動而產生的本征吸收峰外，在室溫下，從紫外至遠紅外甚至微波段，都有很高的透過性，理論透過率高達71.6%。由于封裝、互連、載流子濃度的熱增加和其他因素，傳統的硅和 GaAs 器件通常不能在 300°C 以上工作。金剛石半導體器件不受熱產生載流子的影響，這使得它非常適合高溫和高壓應用。

金剛石在半導體激光器、固體激光器、碟片激光器、氣體激光器、金剛石探測器等領域均有應用。其中，半導體激光器使用銅熱沉作為散熱材料，銅的熱導率僅為4W/(k.cm)，散熱能力很有限，而金剛石膜的熱導率是所有物質中最高的，熱導率為20W/(k.cm)，是銅熱導率的5倍，同時金剛石的電阻率可達1015~1016 ?·cm，因此采用既電絕緣又高導熱的金剛石作為大功率半導體激光器的熱沉是比較理想的。

單晶CVD金剛石作為輻射探測器具有許多理想的性能，優異的抗輻射能力、耐高溫、高物理硬度、化學惰性、寬帶隙，信號響應快。通過反應實現對中子、γ射線的探測。這些性能和使用單個傳感器檢測混合輻射類型的能力的結合，使得金剛石在惡劣環境下作為探測器材料特別有吸引力，例如核電站監測（裂變和聚變）和油井測井作業。在惡劣的民用環境下，使用的自支撐多晶 CVD金剛石窗口測儀可探測到鈹窗口無法探測的硼、碳、氮、氧、氟等輕元素發出的特征 X 光譜線，降低了工作危險系數。

化合積電（廈門）半導體科技有限公司，專注于寬禁帶半導體材料研發和生產，致力于成為全球領先的寬禁帶半導體材料制造商，核心產品有多晶金剛石（晶圓級金剛石、金剛石熱沉片、光學級多晶金剛石）、單晶金剛石（熱學級、光學級、電子級）、氮化鋁薄膜（硅基氮化鋁、藍寶石基氮化鋁和金剛石基氮化鋁）等。10余年技術積累，掌握設備開發、材料生長、研磨拋光等最全核心工藝。已建立獨立的知識產權體系，目前公司累計申請20多項專利。與中國集美大學、上海交通大學和韓國亞洲大學等開展國際技術合作，并已建立中國、韓國兩研發中心。據介紹，其金剛石和氮化鋁核心產品已實現規?；a。掌握大尺寸、低成本、高質量金剛石和氮化鋁相關產品制備及加工的核心工藝，公司持續擴產，產能穩步提升。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產業大會（CASICON）”由【極智半導體產業網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動?；顒泳劢瓜冗M半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業為己任，聯合實力資源，持續輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業發展貢獻應盡的力量。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）