半導體產業網獲悉：晶盛機電近期在機構調研中指出，公司成功研發出具有國際先進水平的 8 英寸單片式碳化硅外延生長設備，引領國內碳化硅行業技術升級。

晶盛機電表示，目前公司在 8 英寸襯底基礎上，已實現 8 英寸單片式碳化硅外延生長設備的自主研發與調試，外延的厚度均勻性 1.5%以內、摻雜均勻性 4%以內，已達到行業領先水平,這是公司在第三代半導體設備領域的又一次重要技術突破。