近日，半導體行業動態頻頻，一批半導體項目先后簽約、竣工、投產，涵蓋了半導體設計、材料、制造、設備等多個領域。

 

 

高投芯未高端功率半導體器件及模組研發生產項目在成都高新西區舉行首臺設備搬入儀式。

 

芯未半導體是高新西區首家面向新能源場景的功率半導體器件和集成組件制造企業，項目投產后，可提供從IGBT芯片背面加工-模塊封測代工-集成組件的一條龍代工服務，為包括功率半導體設計企業、制造企業、終端應用企業等提供IGBT特色代工服務。

 

成都高新西區高投芯未高端功率半導體器件及模組研發生產項目于去年8月開工，成都工業和信息化當時消息顯示，芯未項目總投資約10億元，分兩期建設，建成投產后將為功率半導體設計企業提供IGBT特色授權委托加工服務，包括IGBT芯片、模組及方案組建產品等，預計實現年營收9億元、年稅收7000萬元。

 

 

四川富樂華功率半導體陶瓷基板項目竣工投產儀式在內江經開區舉行。

 

據悉，該項目由FerroTec（中國）集團旗下子公司江蘇富樂華半導體科技股份有限公司投資10億元新建，占地約120畝，共建設10余萬平方米的現代化辦公樓、生產廠房和支持系統，引入國內外先進的高溫燒結爐、精密氧化爐、真空釬焊爐、真空蝕刻機、超聲波掃描儀等生產、分析檢測設備約300臺/套，建成3條年產1080萬片功率半導體陶瓷基板的自動化生產線。

 

消息稱，四川富樂華功率半導體陶瓷基板項目建成投產后，將成為中國內陸規模最大的功率半導體陶瓷基板生產基地，主要向全球功率半導體廠商提供代表全球先進材料和技術的功率半導體模塊陶瓷基板產品。

 

此外，據了解，FerroTec（中國）集團下轄的富樂德公司已連續落戶三期項目。去年3月，FerroTec（中國）集團于下轄的江蘇富樂華公司與內江經開區成功簽約落地“功率半導體陶瓷基板項目”，去年6月30日，該項目正式開工。

 

 

羅杰斯curamik高功率半導體陶瓷基板項目正式落地蘇州工業園區。

 

公開消息顯示，該項目規劃總投資1億美元，首期投資3000萬美元，計劃明年建成投用，項目投產后，羅杰斯蘇州將成為羅杰斯美國總部之外，全球唯一擁有集團全部產品研發制造的基地。

 

據悉，本次投資將更大地滿足EV/HEV和可再生能源應用中日益增長的金屬化陶瓷基板的需求，有助于縮短行業交付周期。

 

 

在上海舉行的世界人工智能大會“引領未來，賦能煥新”浦東論壇上，輿芯半導體入選浦東新區第一批人工智能重點項目，并與張江高科成功簽約。

 

據悉，輿芯半導體的芯片項目針對車規級應用設計，包括入門級車規AI MCU、主流車規AI MCU和高端運動控制處理器。這些芯片不僅具備高集成度、低功耗和靈活性，還融入了先進的人工智能技術。輿芯半導體官方信息顯示，其將利用最領先的車規MCU工藝平臺，為客戶提供創新解決方案，廣泛應用于動力、底盤、引擎發動機、電動機等汽車場景，滿足電動化和智能化需求。

 

公開消息顯示，近日，輿芯半導體獲近億元天使輪融資。當時消息顯示，該輪融資資金將主要用于車規級芯片領域的前沿技術開發、產品技術升級以及高端人才儲備等用途。

 

 

近上海強華實業股份有限公司“集成電路核心裝備新材料生產基地項目”開工儀式舉行。

 

據悉，強華股份臨港項目坐落于臨港產業區，由上海強華實業股份有限公司投資興建，中國電子系統工程第三建設有限公司承建。項目占地32畝，主要用于生產8英寸-12英寸高純、高精度石英器件及其它相關硅基器件。該項目今年3月成功拿地，今年7月便實現了開工建設。

 

公開資料顯示，上海強華實業股份有限公司是一家擁有20多年石英加工經驗，主要從事高純、高精度石英材料制品研發、生產及銷售的民營高新企業。強華股份是臨港新片區集成電路材料環節的重點企業。2022年4月，強華正式加入臨港新片區，成功填補了新片區石英材料的空白領域。

 

 

位于浙江麗水經開區的富樂德半導體產業項目開工。

 

麗水經濟技術開發區消息顯示，該項目總投資約120億元，總用地約400畝，主要建設12英寸拋光片項目和傳感器、功率器件等半導體項目，2023年度計劃投資10億元。首期建成后將形成年產360萬片300mm半導體拋光片的生產能力，產品具有代替進口產品等特點，預計可實現年產值22億元。

 

麗水經開區相關負責人表示，爭取項目首期在2024年底前實現投產。

 

據了解，富樂徳半導體產業項目于今年2月簽約落戶浙江麗水，3月份首期用地成功摘牌。當時消息顯示，首期項目計劃今年開工，并在一年內實現竣工投運。

 

 

內江市舉行2023年第三季度重大項目現場推進活動。

 

其中，投資約22億元的能斯特（內江）產業園正式開工。該項目位于內江高新區，總占地約90畝，總建筑面積約7.9萬平方米，主要建設高溫陶瓷芯片、PT200高溫傳感器、氧傳感器、氨傳感器、氫傳感器及氮氧傳感器總成研發生產基地，建成后，中期預計年均產值達35億元。

 

福賽爾科技集團高級副總裁、能斯特科技公司執行董事李亞卓表示，將充分發揮新材料技術和行業優勢，借助內江市產業發展平臺，積極打造具有核心競爭力的高新材料產業集群，助力內江加快建設成渝發展主軸工業強市。

 

 

中核紀元之光碳化硅材料生產項目目前已完成基礎工程和廠房主體建設，正在進行裝飾裝修和設備進場前的準備工作，預計今年10月底項目正式投產使用。

 

據此前報道，中核紀元之光碳化硅材料生產項目是由中核匯能陜西（能源）有限公司投資建設，屬省級新材料產業鏈重點項目，項目總投資6億元。將新建年產50000片碳化硅襯底生產線，包括碳化硅粉料、高純半絕緣碳化硅單晶襯底、N型碳化硅碳單晶襯底以及碳化硅莫桑石材料，配套建設綜合樓及附屬生活區。

 

中核紀元之光碳化硅材料生產項目經理賀亞偉稱，該項目是一個科技含量高、技術先進、能耗污染小的高科技產業項目，建成后將成為延安地區芯片切割、封裝、電子科技發展的關鍵性高新技術企業，為帶動高科技企業入駐延安起到引領示范作用。產品主要用于第三代半導體芯片襯底，在軍工、航空航天、新能源汽車等領域具有廣闊的市場前景。

 

 

浙江省委、省政府舉行2023年“千項萬億”重大項目集中開工儀式，位于衢州的衢州先導集成電路關鍵材料與高端化合物半導體及器件模組項目參加此次省集中開工。

 

據消息，項目位于衢州智造新城高新片區及智造新城東港片區，總用地面積約1038畝。一期總投資約90億元，建設用地約838畝；二期投資約20億元，建設用地約200畝。新建特氣車間、甲類倉庫、原輔料倉庫、研發樓等，引進國內外先進設備。

 

建設工期2023-2026年，建成后形成年產MO源2200余噸、電子特氣150噸、光通器件41.5萬片、接入網器件7200萬個、光纖陀螺9.6萬套、數據中心480萬套、砷化鎵襯底300萬片、磷化銦襯底30萬片、氮化襯底及其外延片、芯片項目6萬片生產能力，預計年新增產值約240億元。

 

 

瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司（以下簡稱“瀚天天成”）宣布完成了具有自主知識產權的8英寸碳化硅外延工藝的技術開發，瀚天天成正式具備了國產8英寸碳化硅外延晶片量產能力。

 

據悉，瀚天天成上周完成了多項長期合約（LTA）的簽訂，包括價值超過1.92億美元的8英寸長約。公司所生產的8英寸碳化硅外延晶片的質量達到國際先進水平，即厚度不均勻性小于3%，濃度不均勻性小于6%，2mm*2mm管芯良率達到98%以上。該技術突破標志著我國已經掌握商業化的8英寸碳化硅外延生長技術，進一步推進了碳化硅外延材料的國產化進程，極大地提升了我國在碳化硅外延領域的國際地位。

 

據瀚天天成公司董事長趙建輝博士介紹，在半導體領域，增大晶片尺寸是提高半導體產品競爭力的最佳途徑。以2mm*2mm尺寸的管芯為例，通過完全同樣的工序，一片8英寸碳化硅外延晶片的芯片（器件）產出量是6英寸晶片產出量的1.8倍，是4英寸晶片產出量的4.3倍。由此可見，8英寸碳化硅外延晶片產品的推出將能夠有效降低器件生產的成本，對推動碳化硅半導體產業的發展具有深遠的意義。

 

公開資料顯示，瀚天天成成立于2011年3月，是一家集研發、生產、銷售碳化硅外延晶片的中美合資高新技術企業，已形成3英寸、4英寸以及6英寸的完整碳化硅半導體外延晶片生產線，并滿足600V、1200V、1700V器件制作的需求。

 

 

在紹興市舉行的197個重點項目開竣工活動中，紹興560億濱海新區電子信息基地項目正式上馬。

 

消息顯示，該項目規劃未來5至10年內預計完成投資560億元。項目分階段建設，先期計劃投資180億元，形成12英寸晶圓9萬片/月的產能規模，預計達產后年產值90億元以上。

 

項目整體實施后，將與已有的集成電路晶圓制造項目構建集8英寸和12英寸整合全流程的芯片和模組代工服務平臺，形成“千畝千億”產業規模，打造世界級模擬類芯片技術研發和大規模生產基地，為我國集成電路產業制造端實現自主可控和關鍵戰略性產品供應鏈安全提供有力保障。

 

 

易卜半導體首條先進封裝生產線如期正式通線。此次通線意味著，易卜半導體具備了先進封裝的量產能力，并為公司的Chiplet等一系列先進封裝自主專利技術提供了樣品開發和量產驗證能力。易卜半導體表示，公司將持續加大設計和研發投入，加快客戶導入和量產爬坡。

 

資料顯示，易卜半導體成立于2020年，是一家專注于半導體先進封裝設計、材料、工藝和制造的高新企業。公司具有自主研發的晶圓級扇出型封裝、chiplet和3D芯片等先進封裝的技術，擁有獨立知識產權，到目前為止已申請國內外發明專利90項，其中17項已經授權，已初步形成在先進封裝上知識產權的戰略布局。

 

目前，易卜半導體已經在上海寶山建成研發和生產基地，相關設備陸續進入安裝調試。據悉，易卜年產72萬片12吋先進封裝產線項目一期建成約10000平方米的潔凈廠房和研發實驗大樓，裝備全自動12英寸先進封裝生產和研發設備。計劃于2025年形成年產72萬片12英寸先進封裝的生產能力，成功實現多項自主研發的先進封裝產品的規模量產。據悉該公司與中科院微系統所建立戰略合作關系，在廠內同時建設硅光先進封裝研發線，產研協同，形成從研發到量產的先進封裝技術通路。

 

 

浙江省“千項萬億”重大項目集中開工儀式舉行。位于金華市武義縣的浙江潤優新材料科技有限公司年產4萬噸高純石英制品及半導體硅基新材料項目參與了此次集中開工活動。

 

據悉，浙江潤優新材料年產4萬噸高純石英制品及半導體硅基新材料項目總投資42億元，

 

總用地294畝，總建筑面積31.6萬平方米，購置等離子打砣機、焊接機、坩堝熔制爐等先進設備，采用先進生產工藝生產高純石英制品及半導體硅基新材料。

 

資料顯示，該項目建設單位為浙江潤優新材料科技有限公司，建設工期為2023-2026年，2023年計劃投資4億元。項目建成后將形成年產4萬噸高純石英制品及半導體硅基新材料生產能力。

 

 

在廣東-新加坡合作理事會第十三次會議上，西安電子科技大學廣州研究院與新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（以下簡稱“ICCT”）合作共建的“氮化鎵器件和集成電路先進封裝技術研究中心”項目成功簽約。

 

據悉，該項目由廣州第三代半導體創新中心團隊與新加坡ICCT展開合作，圍繞第三代半導體射頻器件、電力電子器件等產業需求，以大幅提升QFN、陶瓷封裝、金屬封裝等封裝技術研發能力為目標，聚力開發滿足產業前沿需求的先進封裝技術，推進國內領先性能的第三代半導體射頻器件、電力電子器件及其模塊的研制進程，力爭快速實現產品工程化。

 

官方資料顯示，IC Carrier Technologies Pte Ltd （簡稱“ICCT”）由Yew Chee Kiang（楊志強）博士于2013年成立于新加坡，是一家致力于提供半導體封裝材料和封裝技術服務的企業。

 

 

公司擬定增募資不超過1.5億元，用于年產車用及工業級傳感器600萬只生產研發項目、微差壓傳感器研發生產項目。

 

具體來看，敏芯股份年產車用及工業級傳感器600萬只生產研發項目總投資1.36億元，擬投入募資5000萬元。該項目將購置先進的軟硬件設備，建設現代化、智能化的車用及工業級傳感器生產線。

 

微差壓傳感器研發生產項目擬投入募資1億元。該項目將購置先進的軟硬件設備，開展微差壓傳感器研發及產業化工作，充分整合公司多年積累的MEMS（微機電系統）傳感器技術優勢和品牌優勢，以微差壓傳感器為技術核心，持續開發面向家用電器、醫療設備、汽車系統、儀器儀表、新風系統等應用領域的微差壓傳感器產品，助力公司產品在下游應用領域的拓展。

 

總投6億，潤邦科技二期半導體光刻膠項目正式奠基

 

據長風匯信公眾號消息，近日，潤邦半導體材料科技有限公司二期半導體光刻膠項目奠基儀式舉行。

 

據悉，潤邦一期項目的建設起步于2020年9月，坐落在張家港保稅區泛半導體產業園。經過3年的發展，已成長為具有獨立研發和生產組織能力的半導體核心材料高科技企業，與國內龍頭企業形成了廣泛的業務合作，并在業內獲得了一定的知名度，目前已實現LOCA、ODF等顯示膠水和半導體光刻產品TARC的量產能力。

 

其二期為半導體光刻膠項目，規劃總投資6億元，建成后將具備i-line、KrF、ArF光刻膠及包括BARC、TARC、FIRM等輔助材料、部分上游單體的研發和生產能力。

 

公開資料顯示，潤邦科技致力于顯示模組膠、半導體光刻制程核心材料的研發與產業化，該公司擁有三大業務板塊電子——顯示結構膠、膠帶類膠水、半導體膠水。

 

江城偉業半導體成套設備配套總部基地項目簽約

 

據鄂州政府網消息，近日，江城偉業半導體成套設備配套總部基地項目在葛店經開區正式簽約。

 

消息顯示，該項目總投資為5億元，注冊資本500萬元，建設周期為1年。項目主要建成集生產、研發半導體生產線通風相關成套設備的總部基地，建設綜合辦公樓、研發中心、十條生產車間以及倉庫。項目建成達產后，可實現年產值約3億元。

 

西安奕斯偉技術創新中心項目

 

據西安高新區官微消息，日前，西安奕斯偉技術創新中心暨西安高新區重點項目集中竣工投產儀式舉辦，總投資約633億元的69個項目順利竣工投產，涵蓋集成電路、新能源汽車、電子信息、精密制造等領域，并呈現出突出產業賦能、突出服務提升、突出民生保障三大特點。其中，西安奕斯偉技術創新中心項目和先導院南區項目值得關注。

 

西安奕斯偉技術創新中心項目是奕斯偉集團集成電路芯片與方案業務在西北地區研發、生產和創新應用的總部基地，功能涵蓋芯片產品研發與測試中心、軟件開發與測試中心、工藝開發與測試中心、應用創新中心、若干專業實驗室和數據中心等，主要產品包括RISC-V CPU IP、智慧連接芯片、多媒體SoC芯片等。

 

先導院南區項目是西安高新區與中科院西安光機所院地深度融合發展重要項目，總投資5億元，以先進激光與光子制造、光子材料與芯片、光子傳感為重點產業方向，形成“硬科技”產業集群和創業生態，打造光電子產業核心引擎和光電子產業高能級創新驅動平臺。被評為省級創新驅動發展工程、市級秦創原立體聯動孵化器示范平臺和“科創高新”重點項目。

 

凱普林建高功率激光器智能制造基地

 

近期，北京凱普林光電科技股份有限公司（以下簡稱“凱普林”）與天津港保稅區簽署協議，增加投資約2.5億元，建設高功率激光器智能制造基地項目。

 

天津港保稅區天津空港經濟區消息顯示，該項目將引入高精度自動芯片封裝設備、全自動耦合等先進自動化設備，建設自動化、智能化產線，利用信息化技術全面提升光纖及半導體激光器產品、組件的智能制造能力，預計達產后年產能可達7萬臺。目前該項目處于開工籌備階段，預計2024年投產。