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隨著近年逐步開始商業化和產業化，功率半導體行業已經迎來了新的發展賽道，并逐步形成與行業應用緊密相關的新發展趨勢。尤其是IGBT及第三代半導體功率器件技術與應用。IGBT作為功率電子器件的核心之一，是能源變換與傳輸的核心器件，被業界譽為電力電子行業中的“CPU”，在能源轉換、工業控制、交通運輸、可再生能源等領域中得到了廣泛應用，發展越發受到關注。憑借著高功率密度、驅動電路簡單以及寬安全工作區等特點，成為了中大功率、中低頻率電力電子設備的首選。隨著本土IGBT產品性能已經逐漸成熟，且部分產品性能可對標海外IGBT大廠產品，加速國產化IGBT產品市場滲透，逐步切入高端市場。IGBT制造屬于資本密集型行業，其產業鏈較長，包括芯片設計、芯片制造、模塊制造、測試等環節; 部分設備依賴進口，成本高昂，產品研發階段亦需要較長研發時間和較高研發成本。

為推動IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用，半導體產業網、第三代半導體產業聯合中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會、勵展博覽集團等單位，將定于7月20-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國際電子生產設備暨微電子工業展覽會)期間，在上海世博展覽館舉辦“2023先進IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用論壇”。

目前，日程已出爐，屆時有：中車半導體副總工程師劉國友，清純半導體（寧波）有限公司首席科學家、復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所副所長雷光寅，北京中電科電子裝備有限公司副總經理劉國敬，河北工業大學教授、天津賽米卡爾科技有限公司董事長張紫輝,中國電子科技集團公司第五十五研究所副主任設計師李赟，快克智能裝備股份有限公司市場總監沈懿俊，上海芯鈥量子科技有限公司高級產品研發經理曹雅婧，上海陸芯電子科技有限公司市場技術總監曾祥幼，上海仙工智能科技有限公司半導體事業部總經理于承東，無錫芯鑒半導體技術有限公司總經理閆大為，中科院上海微系統所研究員歐欣，蘇州博湃半導體技術有限公司市場總監周鑫，江蘇宏微科技股份有限公司市場經理苗碩等產業鏈知名企業專家代表，將聚焦先進IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用的最新進展與趨勢，暢談產業鏈之間的協同創新與合作。

部分嘉賓簡介

雷光寅

雷光寅，博士，復旦大學研究員、復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所副所長、清純半導體（寧波）有限公司首席科學家。2010年至2018年于美國福特汽車公司任研發工程師，負責混動汽車電機控制器硬件開發；2018年至2020年于上海蔚來汽車有限公司任電動力工程技術專家，負責基于碳化硅功率半導體的新能源汽車電驅動系統前瞻項目。長期從事功率半導體模塊封裝及新能源汽車電驅動系統開發，研究領域集中在新型封裝材料開發；功率模塊封裝設計、工藝開發、可靠性及失效分析；混動及純電驅動系統開發等。發表高水平學術期刊論文30余篇，其中高引數量17篇；作為第一或合作發明人，至今共取得超過40項美國及中國發明專利。研究成果曾獲得有著科技界“奧斯卡”獎之稱的美國科學技術創新獎（R&D 100，2007年度）和2021年中國國際高新技術成果交易會優秀產品獎等獎項。

李赟，博士，正高級工程師，中國電子科技集團公司第五十五研究所，副主任設計師。主要從事SiC材料外延工作。先后承擔或參與“863"、“973”、“核高基”和重點研發計劃等重大科研項目，突破大尺寸低缺陷SiC外延關鍵技術，建立外延工藝平臺，實現SiC外延材料自主保障供應。基于自主研發的材料, 實現SiC MOSFET系列產品批產；研制了國內首個20kV n溝道IGBT芯片研制成功。發表科技論文8篇(第一作者)，授權發明專利15項(第一發明人)，其中2項PCT專利分別獲歐盟及韓國授權。牽頭編制行業標準2項(已發布)。獲得國防科技進步獎1次，電子學會技術發明獎1次。

劉國敬

劉國敬北京中電科電子裝備有限公司副總經理，正高級工程師。多年來，以國家戰略需求和產業升級為導向，持續發力集成電路高端電子制造核心裝備的自主創新，專注于國產集成電路減薄設備的自主設計和研發工作，為用戶提供成套工藝解決方案。帶領團隊研發的一系列減薄機設備已應用于材料加工、芯片制造和封裝等工藝段，同時在第三代半導體、化合物等材料加工領域也有廣泛的應用。參與的國家02重大專項“300mm超薄晶圓減薄拋光一體機項目”，獲得中國電子科技集團公司科學技術獎一等獎，曾申請發明專利11項，以第一作者發表學術論文5篇，參與了《電子技術自動化發展與應用研究》著作的編委工作。

張紫輝

張紫輝，河北工業大學教授、天津賽米卡爾科技有限公司董事長。2015年畢業于新加坡南洋理工大學并獲博士學位，主要研究第三代半導體器件、半導體器件物理，從事芯片設計與仿真技術及產業化推廣。河北省特聘專家，河北省特殊津貼專家，河北省青年拔尖人才，東旭集團“平板顯示玻璃技術和裝備國家工程實驗室”理事、技術委員會委員。發表SCI期刊科研論文150多篇，撰寫學術專著4部，獲授權專利21項，專利成果轉化4項，先后承擔國家級課題、國防課題、省部級課題、各類人才項目及橫向課題等各類科研項目17項。

劉國友

劉國友教授級高工，中車首席技術專家，株洲中車時代電氣股份有限公司副總工程師。在中車從事功率半導體研究三十余載，帶領團隊率先突破了高鐵IGBT芯片關鍵技術，引領8英寸高壓IGBT芯片產業化。在高壓IGBT、超大功率晶閘管和SiC等“卡脖子”芯片技術領域實現技術創新與自主可控，為我國高鐵、智能電網等高端裝備制造業和新能源、電動汽車等戰略性新興產業的可持續發展提供了智力支撐。在特高壓直流輸電晶閘管、大功率IGBT技術研究與產業化等方面做出重大貢獻。主持研究開發了世界上第一只特高壓直流輸電晶閘管并實現工程應用與產業化；創立功率半導體英國研發中心，率先突破高壓IGBT關鍵技術，自主設計并主持建成了全球第一條8英寸高壓IGBT芯片生產線，實現高壓IGBT芯片制造從6英寸到8英寸的技術跨越，有力支撐了高鐵、智能電網等高端裝備產業的健康可持續發展。申報國家發明專利100余項，已獲授權專利50余項，在國內外核心期刊發表論文50余篇；獲國家科技進步二等獎、中國電源學會技術發明特等獎、中國電子學會科技進步一等獎、中國鐵道學會特等獎等10余項國家、省部級獎勵。

歐欣，中國科學院上海微系統與信息技術研究所，信息功能材料國家重點實驗室研究員，博士生導師。長期從事SOI制備核心技術-離子注入技術研究，并將成果應用于開發新型異質集成XOI高端硅基晶圓材料及器件，為5G/6G芯片提供關鍵材料技術。發表SCI論文100余篇其中以第一/通訊作者發表在Nat. com.、PRL、Adv. Mater.、Nanoletters、IEDM等，申請專利100余件，成果轉化近40件。先后獲得國際離子注入技術大會“青年科學家獎”、德國亥姆霍茲HZDR國家研究中心-研究獎”HZDR Prize”、國際離子束材料改性貢獻獎-”IBMM Prize”、中國光學十大進展、北京市科學技術一等獎（2/10）、產學研合作創新獎等。同時入選國家級科技創新領軍人才、國家優秀青年科學基金獲得者、中科院高層次人才計劃（終期評估優秀）、中國科學院盧嘉錫國際創新團隊帶頭人、上海分院杰出青年科技創新人才、中科院優秀博士論文、上海市優秀學術帶頭人等榮譽稱號。