據(jù)悉，日前，碳化硅襯底廠商天岳先進在投資者互動平臺表示，公司具備碳化硅襯底制備全流程核心關鍵技術，已與國際半導體知名企業(yè)加強合作，包括英飛凌、博世集團等全球知名企業(yè)。

 

碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導體材料，和傳統(tǒng)材料相比具有更加優(yōu)異的物理性能，可以有效提升下游器件的功率密度和整體性能，在電力電子以及微波電子領域有著廣泛的應用前景。

 

天岳先進認為，SiC半導體應用發(fā)展進入快車道，特別是在高壓高功率領域優(yōu)勢更加凸顯，新的應用場景不斷涌現(xiàn)。在市場需求爆發(fā)的背景下，SiC的供需缺口也較大。

 

天岳先進表示，公司持續(xù)加大研發(fā)力度，在晶體生長和缺陷控制等核心技術領域展開密集的試驗，不斷突破技術瓶頸，提高產(chǎn)品良率。 

 

天岳先進通過液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場、溶液設計和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長界面控制和缺陷控制難題。公司具備碳化硅襯底制備全流程核心關鍵技術。

 

一方面公司同時能夠大批量供應高品質(zhì)導電型襯底和半決緣襯底，另一方面公司在晶體厚度、晶體尺寸上也持續(xù)實現(xiàn)快速的技術進步。 

 

天岳先進稱，目前下游市場對碳化硅襯底需求呈現(xiàn)出持續(xù)旺盛的趨勢，公司上海臨港工廠也進入了產(chǎn)品交付階段，獲得市場快速發(fā)展的機遇。公司將持續(xù)擴大產(chǎn)能，提高產(chǎn)品品質(zhì)和良率，為行業(yè)提供最高品質(zhì)的襯底產(chǎn)品。

 

同時，天岳先進透露，公司已與國際半導體知名企業(yè)加強合作，包括與國際功率半導體知名企業(yè)英飛凌、以及汽車電子領域知名企業(yè)博世集團等全球知名企業(yè)都開展了合作。公司產(chǎn)品品質(zhì)獲得了國內(nèi)外客戶的高度認可，訂單交付持續(xù)快速攀升。 

 

此前5月，天岳先進與英飛凌共同宣布雙方簽訂了一項新的晶圓和晶錠供應協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，天岳先進將為英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質(zhì)量并且有競爭力的6英寸碳化硅襯底和晶棒。

 

第一階段將側(cè)重于6英寸碳化硅材料，但天岳先進也將助力英飛凌向8英寸碳化硅晶圓過渡。據(jù)悉，天岳先進的供應量預計將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。

 

同時，天岳先進還與博世集團與簽署了戰(zhàn)略合作長期協(xié)議，以鎖定芯片制造關鍵材料碳化硅襯底的需求。

 

除了天岳先進，其他碳化硅襯底廠商天科合達已與英飛凌簽約，合作制備8英寸襯底；三安光電則與意法半導體結(jié)盟共建8英寸碳化硅外延、芯片合資代工廠；中電化合物與韓國Power Master簽訂了8英寸碳化硅材料長期供應協(xié)議。

 

5G、新能源汽車、光伏風電、智能電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，帶動了市場對碳化硅的需求。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究統(tǒng)計，第三代半導體包括SiC與GaN，整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。SiC適合高壓、大電流的應用場景，能進一步提升電動汽車與再生能源設備系統(tǒng)效率。隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場產(chǎn)值達22.8億美元，年成長41.4%。

 

TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)模可望達53.3億美元。主流應用仍倚重電動汽車及再生能源，電動汽車產(chǎn)值可達39.8億美元、CAGR約38%；再生能源達4.1億美元、CAGR約19%。