第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 021—202X《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）閾值電壓測(cè)試方法》已完成征求意見(jiàn)稿的編制，該項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)稿按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成，起草組召開(kāi)了多次正式或非正式的專(zhuān)題研討會(huì)。根據(jù)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2023年6月16日起開(kāi)始征求意見(jiàn)，截止日期2023年7月16日。

T/CASAS 021—202X《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）閾值電壓測(cè)試方法》描述了碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）閾值電壓測(cè)試方法。適用于N溝道SiC MOSFET晶圓、芯片及封裝產(chǎn)品的測(cè)試，用于用戶(hù)入檢、生產(chǎn)廠家標(biāo)定以及第三方檢測(cè)。