隨著電力電子應用領域的不斷擴大和需求的增長，絕緣柵雙極型晶體管（簡稱IGBT）作為功率電子器件的核心之一，是能源變換與傳輸的核心器件，被業界譽為電力電子行業中的“CPU”，在能源轉換、工業控制、交通運輸、可再生能源等領域中得到了廣泛應用，發展越發受到關注。隨著本土IGBT產品性能已經逐漸成熟，且部分產品性能可對標海外IGBT大廠產品，加速國產化IGBT產品市場滲透，逐步切入高端市場。

為推動IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用，由半導體產業網、第三代半導體產業、中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會、勵展博覽集團聯合主辦，2023先進IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用論壇將于7月20日-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國際電子生產設備暨微電子工業展覽會)期間，在上海世博展覽館舉辦。

復旦大學研究員雷光寅受邀將出席論壇，并帶來《碳化硅功率器件現狀及發展趨勢》的主題報告。報告將簡要介紹碳化硅功率半導體的發展歷程，包括器件結構和關鍵參數在過去二十年的演進過程。報告也將對國內先進水品進行簡要的介紹。

欲知詳細最新研究進展與數據成果，敬請關注論壇，也歡迎相關領域專家、學者、行業企事業單位參會交流，共商合作事宜。

 雷光寅博士，復旦大學研究員、復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所副所長、清純半導體（寧波）有限公司首席科學家。2010年至2018年于美國福特汽車公司任研發工程師，負責混動汽車電機控制器硬件開發；2018年至2020年于上海蔚來汽車有限公司任電動力工程技術專家，負責基于碳化硅功率半導體的新能源汽車電驅動系統前瞻項目。長期從事功率半導體模塊封裝及新能源汽車電驅動系統開發，研究領域集中在新型封裝材料開發；功率模塊封裝設計、工藝開發、可靠性及失效分析；混動及純電驅動系統開發等。發表高水平學術期刊論文30余篇，其中高引數量17篇；作為第一或合作發明人，至今共取得超過40項美國及中國發明專利。研究成果曾獲得有著科技界“奧斯卡”獎之稱的美國科學技術創新獎（R&D 100，2007年度）和2021年中國國際高新技術成果交易會優秀產品獎等獎項。

論壇信息

時間：7月20日-21日

地點：上海世博展覽館·NEPCON論壇區

主辦單位：

半導體產業網、第三代半導體產業

中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會

勵展博覽集團

承辦單位：

北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

      報告議題（擬）：

參會/商務咨詢

賈先生（Frank）

18310277858

jiaxl@casmita.com

張女士（Vivian）

13681329411

zhangww@casmita.com