科友半導體突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩定性等方面取得可喜成績。2023年4月，科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產，打破了國際在寬禁帶半導體關鍵材料的限制和封鎖。

1.科友半導體突破了大尺寸、高厚度、低應力碳化硅晶體制備關鍵技術

碳化硅襯底成本是限制其下游應用的關鍵因素，碳化硅晶體的尺寸和厚度的持續增加是襯底成本降低的關鍵?？朴寻雽w基于設備、原料、熱場、工藝方面的優勢積累，通過提高原料及氣相組分比例穩定性、維持長期生長的穩定溫場和濃度場條件、調控晶體生長速率和均勻性，實現了高厚度、低應力6/8英寸碳化硅晶體穩定制備，在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎上，8英寸晶體直徑超過210mm，厚度目前穩定在15mm以上。

2.科友半導體突破了零微管、低位錯的高品質碳化硅晶體制備關鍵技術

低缺陷、高質量是襯底產品的核心競爭力之一?？朴寻雽w通過粉料純化預結晶處理、應用蒸鍍碳化鉭（TaC）蒸鍍石墨結構件、熱場結構設計、籽晶鍍膜背保護等多項獨家技術，在實現零微管缺陷的基礎上進一步降低了位錯缺陷密度，6英寸晶體位錯缺陷密度＜3000個cm-2，8英寸晶體微管密度＜0.1個cm-2，位錯缺陷密度＜5000個cm-2，晶體質量處于行業領先水平。

3.科友半導體突破了大尺寸碳化硅高速率生長關鍵技術

PVT法碳化硅晶體生長具有生長速率慢、周期長的特點，極大限制了8英寸碳化硅晶體的制造成本。科友半導體基于高熱場穩定性、高工藝穩定性、和高裝備穩定性，突破了8英寸SiC晶體快速生長工藝技術，長晶速率已達到170μm/h以上，長晶周期約為4-5天，單臺長晶爐設備每月運轉約6-7爐次。長晶工藝時長短結合設備運轉次數多，進一步降低了制造成本，為大規模8英寸襯底量產奠定了基礎。

4.科友半導體掌握了高穩定性、高良率大尺寸碳化硅制備技術

長晶良率是8英寸碳化硅晶體低成本產業化的關鍵，科友半導體基于6英寸晶體研發生產經驗，結合8英寸晶體生長的熱場結構設計及工藝特性，在高穩定性電阻長晶爐的基礎上，采取了獨特的保溫設計和先進的熱場分區結構，開發出適用于8英寸SiC穩定生長的工藝技術，大幅提升了長晶的穩定性、重現性。

目前，科友半導體突破了8英寸SiC量產關鍵技術，8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，有望粉碎國際封鎖，成為我國大尺寸低成本碳化硅規模化量產制造技術的領跑者。

材料產品介紹  Material Product Introduction

▲6英寸到8英寸產品各階段展示（從左至右）

▲6英寸和8英寸產品對比

▲8英寸產品展示

項目介紹  Introduction

哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司成立于2018年5月，企業坐落于哈爾濱市新區，是一家專注于第三代半導體裝備研發、襯底制作、器件設計、科研成果轉化的國家級高新技術企業，研發覆蓋半導體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領域，已形成自主知識產權，實現先進技術自主可控?？朴寻雽w在哈爾濱新區打造產、學、研一體化的第三代半導體產學研聚集區，實現碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產業鏈閉合，致力成為第三代半導體關鍵材料和高端裝備主要供應商。