由聞泰科技股份有限公司、重慶大學(xué)、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、浙江大學(xué)、泰克科技（中國）有限公司、是德科技（中國）有限公司、深圳麥科信科技有限公司、合肥工業(yè)大學(xué)、北京華峰測控技術(shù)股份有限公司、華潤微電子有限公司、忱芯科技（上海）有限公司、蘇州匯川聯(lián)合動力系統(tǒng)有限公司以及中國工程物理研究院電子工程研究所、杭州飛仕得科技股份有限公司聯(lián)合提出的《SiC MOSFET功率器件開關(guān)動態(tài)測試方法》團體標準提案，經(jīng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟標準管理委員會（CASAS）投票獲得通過，2023年6月19日正式立項，并分配標準編號：T/CASAS 033。
秘書處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標準起草小組，請CASAS正式成員關(guān)注秘書處郵件（casas@casa-china.cn）。
T/CASAS 033—20XX《SiC MOSFET功率器件開關(guān)動態(tài)測試方法》針對SiC MOSFET器件的開關(guān)動態(tài)特性，基于當(dāng)前SiC半導(dǎo)體行業(yè)的市場需求，對SiC MOSFET器件進行特定測試電路下的脈沖測試，提案規(guī)定了測試所需要包含的設(shè)置條件、測試工具、測試項目以及計量方法等，包括：
1、總則、規(guī)范性引用文件；
2、術(shù)語、定義、文字符號；
3、電路構(gòu)成和測試要求；
4、操作方法和測試流程；
5、計量方法和評價方案；
6、其他安全注意事項等技術(shù)性內(nèi)容。
重慶大學(xué)
重慶大學(xué)第三代半導(dǎo)體封裝測試研究團隊，依托“輸變電裝備技術(shù)”全國重點實驗室、“空間電能變換與無線傳輸關(guān)鍵核心技術(shù)”教育部集成攻關(guān)大平臺、國家儲能技術(shù)產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺等國家級研究平臺，圍繞第三代半導(dǎo)體功率器件在輸變電裝備、新能源發(fā)電、電動汽車、國防軍工等領(lǐng)域中的應(yīng)用，聚焦第三代半導(dǎo)體功率器件的先進封裝集成、原位精準測試、高效電能變換等研究方向。團隊由7名教師組成，其中教授2名、副教授4名、講師1名。近5年來，團隊圍繞第三代半導(dǎo)體功率器件的封裝測試，負責(zé)國家級項目9項，出版學(xué)術(shù)專著3部，發(fā)表IEEE匯刊論文20余篇，做學(xué)術(shù)會議邀請報告12次，獲得教育部自然科學(xué)一等獎、北京市科技進步二等獎等省部級科技獎勵。
聞泰科技
全球領(lǐng)先的產(chǎn)品集成、基礎(chǔ)半導(dǎo)體、光學(xué)企業(yè)。聞泰科技是全球領(lǐng)先的集研發(fā)設(shè)計和生產(chǎn)制造于一體的產(chǎn)品集成、基礎(chǔ)半導(dǎo)體和光學(xué)企業(yè)，主要為全球客戶提供手機、平板、筆電、服務(wù)器、IoT、汽車電子等終端產(chǎn)品研發(fā)制造；半導(dǎo)體功率器件、模擬芯片的研發(fā)設(shè)計、晶圓制造和封裝測試；光學(xué)模組的研發(fā)制造服務(wù)。
半導(dǎo)體業(yè)務(wù)-安世半導(dǎo)體
聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體是全球知名的半導(dǎo)體IDM（垂直整合制造）公司，集芯片設(shè)計、晶圓制造和封裝測試等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一體，前身是原飛利浦半導(dǎo)體標準產(chǎn)品事業(yè)部，擁有60多年半導(dǎo)體研發(fā)和制造經(jīng)驗。公司總部位于荷蘭奈梅亨，晶圓制造工廠在德國漢堡和英國曼徹斯特，封裝測試工廠位于中國東莞、菲律賓卡布堯和馬來西亞芙蓉。安世半導(dǎo)體的全球化生產(chǎn)基地，持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù)。
安世半導(dǎo)體在全球擁有14000名員工，客戶超過2.5萬個，包括汽車、通信、消費、工業(yè)等領(lǐng)域的國際知名企業(yè)。公司產(chǎn)品種類超過1.5萬種，每年新增800多種新產(chǎn)品，大部分產(chǎn)品均符合車規(guī)級的嚴格標準，生產(chǎn)規(guī)模全球領(lǐng)先，年生產(chǎn)總量超過1000億顆。
安世半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛用于全球各類電子設(shè)計，豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）、碳化硅（SiC）二極管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以及模擬IC和邏輯IC。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。
（來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟）
