隨著現代工業的快速發展,新型功率半導體器件——IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)正逐步成為工業應用的主流。作為一種半導體器件,IGBT具有高性能、高壓抗性、低損耗等優點,在能源、工業、軍事等領域都有廣泛的應用。本篇文章將從多個角度對IGBT的產業現狀進行分析,并探討其未來的發展趨勢。
一、市場概況
1.1、全球IGBT市場規模及預測
根據最新市場研究報告,2020年全球IGBT市場規模達到了380億美元,預計到2027年將達到630億美元。IGBT的應用領域也不斷拓展,從傳統的能源管理、電動汽車、電力工業擴展至新興領域,如太陽能、風能、軌道交通等。
1.2、中國IGBT市場現狀
目前,中國是全球最大的IGBT市場,也是IGBT生產的重要基地之一。2019年,中國的IGBT市場規模達到了145億元人民幣,其中成都、上海、武漢等地都有大型IGBT生產廠家。
二、主要應用領域
2.1、電力領域
電力領域是IGBT的主要應用領域之一。IGBT的高壓開關功率控制功能,可以有效地在電力系統中控制電流和電壓,使得電力傳輸過程更加高效、穩定和可靠。因此,在電力輸配、軌道交通等領域中,IGBT的應用非常廣泛。
2.2、新能源領域
隨著全球對新能源的關注度越來越高,IGBT作為新一代能源轉換器件,在太陽能、風能等新能源領域的應用越來越廣泛。
2.3、電力電子領域
在電力電子領域,IGBT的應用范圍更加廣泛,IGBT可以用于變頻器、UPS、逆變器等電力電子設備中,以提高電能的質量和電力設備的效率。
三、IGBT產業鏈分析
3.1、上游元器件市場
IGBT制造必須依賴于一系列的上游元器件。現階段上游供應商主要集中在日本、歐洲等發達國家和地區,其中包括銅箔、背電極、金屬保護層等。
3.2、核心制造商市場
目前,全球IGBT核心制造商主要集中在德國、日本和美國等國家和地區,其中包括英飛凌、日立、富士電機等公司。同時,中國IGBT的核心制造商也在不斷發展中。
3.3、下游用戶市場
IGBT的應用領域非常廣泛,其下游市場包括電力、新能源、工業等多個行業。其中,中國的新能源市場快速發展,更是給IGBT產業帶來了巨大的市場空間和發展機遇。
四、未來發展趨勢
4.1、產品高端化
隨著IGBT市場逐漸成熟,產品的高端化趨勢也日漸明顯,未來IGBT市場將向高性能、高集成度、高功率密度等方向發展。
4.2、新型IGBT技術
近年來,IGBT的新型技術不斷涌現。例如,SiC 和 GaN 等新型功率半導體材料的出現,有望使IGBT具有更高的性能和更低的損失,加速其在新興領域的市場拓展。
4.3、對生態環境的影響
IGBT在新能源、環保等領域的應用越來越廣泛,未來IGBT行業將更加注重生態環境的保護和可持續發展。
綜上所述,IGBT作為一種關鍵性的功率半導體器件,在不同的領域都有廣泛的應用。以電力、新能源、工業等領域為例,IGBT都可以幫助實現升級和提高設備效率。未來,隨著IGBT技術的不斷發展和市場的不斷擴大,IGBT產業將會迎來更加廣闊的市場前景,其中包括新型高性能IGBT產品,以及良好的生態環境和可持續發展。
2023 先進IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用論壇
7月20日-21日
上海世博展覽館·NEPCON論壇區
“雙碳”戰略帶來的新能源增量需求,以及國產替代的需求,也會為國內市場帶來巨大增長空間,在新能源汽車、智能電網、消費電子、信息通訊、軌道交通、光伏、風電、工控等領域的持續滲透,為我國打開了巨大的市場。隨著近年逐步開始商業化和產業化,功率半導體行業已經迎來了新的發展賽道,并逐步形成與行業應用緊密相關的新發展趨勢。尤其是IGBT及第三代半導體功率器件技術與應用。
為推動IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用,半導體產業網、第三代半導體產業聯合中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會、勵展博覽集團等單位,將定于7月20-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國際電子生產設備暨微電子工業展覽會)期間,在上海世博展覽館舉辦“2023 先進IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用論壇”。隨著新材料技術的不斷突破和在各個領域的廣泛應用,形成了“一代材料、一代工藝、一代裝備、一代產品、一代產業”。屆時我們將邀請到產業鏈知名企業專家代表,聚焦前沿技術進步與產業創新應用,暢談產業鏈之間的協同創新與合作,攜手向前,共享共贏。
主辦單位:
半導體產業網、第三代半導體產業
中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會
勵展博覽集團
承辦單位:
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
報告議題(擬):
國產IGBT技術進展及市場現狀 |
碳化硅肖特基二級管技術 |
IGBT模塊封裝技術 |
助力集成商打造半導體行業智能物流解決方案 |
高壓功率器件封裝絕緣問題及面臨的調整 |
單雙面銀燒結技術在功率模塊封裝中的應用 |
第三代半導體功率器件封裝技術現狀及挑戰 |
IGBT的真空焊接技術 |
超高壓碳化硅功率器件 |
碳化硅離子注入技術 |
第三代半導體功率器件可靠性測試方法和實現 |
IGBT芯片設計 |
車規級IGBT 與 碳化硅IGBT 技術趨勢 |
基于SiC功率芯片的高功率密度電驅系統 |
SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優化設計 |
車規級氮化鎵功率器件技術 |
用于功率器的關鍵設備技術/等離子去膠設備技術 |
IGBT模塊散熱及可靠性研究 |
碳化硅芯片設計 |
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