IGBT,即絕緣柵雙極型晶體管,是一種高壓高功率半導體器件,其巨大功率密度和高電壓能力使其在現代電力電子裝置和高效能電動汽車上應用廣泛。由于其在大電流和高電壓下的性能,IGBT已逐漸取代MOSFET成為主要的功率開關。
隨著全球新能源汽車市場不斷擴大,IGBT市場需求也在增加。據不完全統計,目前我國每年IGBT市場規模約為100億人民幣,市場增長快速。雖然IGBT行業發展前景廣闊,但是其仍面臨著一些挑戰,如產業鏈短板、技術水平較低、缺乏國際品牌影響力等。
產業鏈不完善,是IGBT產業發展的一大挑戰。IGBT產業要實現可持續發展,需要完整的產業鏈來配套。我國雖然已建成世界上最大的IGBT基礎材料廠,但是在上游領域,如多晶硅、基板等方面,產業鏈尚不完整。同時在下游市場,如新能源汽車電機控制、電力電子、高速鐵路等領域中,也需要IGBT相關產業鏈的支持。
技術水平較低也是IGBT產業所面臨的挑戰之一。雖然我國在IGBT領域投入巨資,在一些技術領域已經取得顯著的成果,但是在某些方面,如退火等技術方面,仍存在一定的瓶頸。同時,我國的IGBT研發與國際領先水平相比還有一定的差距,需要進一步加強研發投入,提高技術水平。
缺乏國際品牌影響力也限制了IGBT產業的發展速度。雖然我國IGBT企業數量眾多,但是真正具有國際影響力的品牌寥寥無幾。目前我國一些知名品牌,如億光、華虹等,雖然在國內市場頗有知名度,但是在國際市場上,其品牌影響力還有待提升。
盡管IGBT產業面臨著挑戰,但其也充滿了機遇。如今,IGBT在交通運輸、軌道交通、新能源等領域有著廣泛的應用。由于新能源汽車市場的不斷擴大,未來IGBT市場需求還將不斷增加。同時,我國在這些領域中的投入也將會不斷加大,為IGBT產業的發展提供了良好的機遇。
在面臨挑戰,抓住機遇的背景下,IGBT產業企業需要加強合作,共同應對挑戰。同時要積極加強自身技術的研發與創新,提高自身的技術水平。此外,還可以通過與國際品牌企業的合作,提高自身在國際市場的影響力。
IGBT產業是一個前途光明的市場,它的發展為我國的經濟發展做出了重要貢獻。我們需要在面臨挑戰的同時,抓住機遇,推動IGBT產業的創新和發展,為我國電子制造業的發展作出更加積極的貢獻。
值得關注的是,2023 先進IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用論壇將于7月20-21日在上海舉辦。
為推動IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用,半導體產業網、第三代半導體產業聯合中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會、勵展博覽集團等單位,將定于7月20-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國際電子生產設備暨微電子工業展覽會)期間,在上海世博展覽館舉辦“2023 先進IGBT及第三代半導體功率電子技術與應用論壇”。隨著新材料技術的不斷突破和在各個領域的廣泛應用,形成了“一代材料、一代工藝、一代裝備、一代產品、一代產業”。屆時我們將邀請到產業鏈知名企業專家代表,聚焦前沿技術進步與產業創新應用,暢談產業鏈之間的協同創新與合作,攜手向前,共享共贏。
主辦單位:
半導體產業網、第三代半導體產業
中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會
勵展博覽集團
承辦單位:
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
報告議題(擬):
國產IGBT技術進展及市場現狀 |
碳化硅肖特基二級管技術 |
IGBT模塊封裝技術 |
助力集成商打造半導體行業智能物流解決方案 |
高壓功率器件封裝絕緣問題及面臨的調整 |
單雙面銀燒結技術在功率模塊封裝中的應用 |
第三代半導體功率器件封裝技術現狀及挑戰 |
IGBT的真空焊接技術 |
超高壓碳化硅功率器件 |
碳化硅離子注入技術 |
第三代半導體功率器件可靠性測試方法和實現 |
IGBT芯片設計 |
車規級IGBT 與 碳化硅IGBT 技術趨勢 |
基于SiC功率芯片的高功率密度電驅系統 |
SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優化設計 |
車規級氮化鎵功率器件技術 |
用于功率器的關鍵設備技術/等離子去膠設備技術 |
IGBT模塊散熱及可靠性研究 |
碳化硅芯片設計 |
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