全球氣候變暖的背景下，社會(huì)發(fā)展面臨著能源利用與消耗的巨大挑戰(zhàn)，節(jié)能減碳，加速能源轉(zhuǎn)型，大幅提升能源利用效率，發(fā)展非化石能源，逐步擺脫對化石能源的依賴是全球各國的關(guān)注方向。具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能的碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體擁有巨大的應(yīng)用潛力。

5月28日，2023中關(guān)村論壇北京（國際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇在中關(guān)村國家自主創(chuàng)新示范區(qū)展示中心舉辦。本次論壇由科學(xué)技術(shù)部、工業(yè)和信息化部、北京市人民政府主辦，北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、中關(guān)村科技園區(qū)管理委員會(huì)，北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局，北京市順義區(qū)人民政府，北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同承辦，得到了國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟、國際信息顯示學(xué)會(huì)、亞歐第三代半導(dǎo)體科技創(chuàng)新合作中心的大力支持。論壇立足“雙碳”目標(biāo)下第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新形勢、新機(jī)遇，圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀、趨勢展望及對能源、交通、信息等領(lǐng)域高質(zhì)量發(fā)展的支撐作用等展開交流，進(jìn)一步構(gòu)建開放創(chuàng)新平臺，共建全球產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈，助力北京國際科技創(chuàng)新中心建設(shè)。

論壇主題報(bào)告環(huán)節(jié)，安世半導(dǎo)體副總裁 Carlos Castro介紹了氮化鎵功率電子器件和典型應(yīng)用，分享了未來功率半導(dǎo)體市場機(jī)遇、挑戰(zhàn)及安世半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對方案。技術(shù)水平和性能的提升，成本的降低，商業(yè)的可持續(xù)性，供應(yīng)的可得性和安全性都將影響著應(yīng)用的廣泛性。報(bào)告認(rèn)為，當(dāng)前氮化鎵功率電子器件的目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域處于早期階段，有很多市場機(jī)會(huì)和可能性，并有望在相對較短的時(shí)間內(nèi)快速增長。其中，電動(dòng)汽車、工業(yè)領(lǐng)域，光伏、數(shù)據(jù)中心、5G和工業(yè)4.0等領(lǐng)域已經(jīng)在其應(yīng)用中充分利用了功率氮化鎵的優(yōu)勢。氮化鎵未來有很多改進(jìn)的機(jī)會(huì)。

報(bào)告介紹了安世半導(dǎo)體相關(guān)的最新技術(shù)進(jìn)展，安世半導(dǎo)體不斷提高氮化鎵在應(yīng)用中的性能，產(chǎn)品應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。安世半導(dǎo)體已經(jīng)推出了三代650V氮化鎵場效應(yīng)晶體管，將晶體管封裝技術(shù)引入到氮化鎵技術(shù)中。并在不斷的根據(jù)市場需求，降低成本，提高性能。硅基氮化鎵可以在采用常規(guī)半導(dǎo)體工藝的標(biāo)準(zhǔn)硅晶圓廠中生產(chǎn)，可以更好的理解制造工藝，并易于擴(kuò)展。報(bào)告分享了安世半導(dǎo)體新一代650V氮化鎵FETs的組裝和測試，并分享了具體的應(yīng)用，以及功率氮化鎵技術(shù)如何提高效率、提高功率密度和降低系統(tǒng)成本。

目前，安世半導(dǎo)體正大力發(fā)展其它技術(shù)，以應(yīng)對功率半導(dǎo)體市場，已經(jīng)開始研發(fā)碳化硅產(chǎn)品，同時(shí)也在研發(fā)IGBT解決方案，以及高壓硅MOSFETs。除此之外，利用在封裝技術(shù)方面的經(jīng)驗(yàn)來研發(fā)新的封裝技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)最低電感、最高熱導(dǎo)以及可靠性，比如用于氮化鎵的覆銅封裝技術(shù)。公司也正在建立新的開發(fā)中心。除了技術(shù)開發(fā)，還致力于完善供應(yīng)鏈，以進(jìn)一步支持不斷增長的需求。

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