據外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩電子日前宣布，將于2025年開始生產使用碳化硅(SiC)來降低損耗的下一代功率半導體產品。計劃在目前生產硅基功率半導體的群馬縣高崎工廠進行量產，但具體投資金額和生產規模尚未確定。報道稱，碳化硅比傳統的硅具有更好的耐熱性和耐壓性。使用SiC的功率半導體極少功率損耗，如果用于電動汽車，可以延長續航里程。除電動汽車外，蓄電池等可再生能源領域的應用也有望擴大。

意法半導體、英飛凌、三菱電機等企業都在布局碳化硅半導體，瑞薩電子起步較晚，但CEO柴田英利在新聞發布會上表示，“傳統的功率半導體上我們是后來者，但現在因高效率而備受推崇，SiC也可以做到。”根據瑞薩電子采取的戰略，其將用于處理系統的尖端邏輯半導體的生產外包給代工廠，這些系統的開發和投資成本很高。功率半導體是內部生產的，2014年關閉的甲府工廠也將于2024年上半年重新開始運營，開始生產使用硅的功率半導體。

（來源：集微）