5月17日， Transphorm, Inc.與美國國家安全技術加速機構（NSTXL）簽訂了《履約人協議》。據此，公司已同意根據工作聲明開發和制造先進的GaN外延片材料，協議包含了NSTXL與美國政府之間的一項協議。

根據該協議，公司最多可從NSTXL獲得1520萬美元的資金，根據項目階段的實現情況分期支付。自協定執行之日起，該協定的資金數額為750萬美元，是逐步供資的。該協定的初始到期日為2024年12月9日，如果未來的供資承諾總額可能高達770萬美元，則可延長該期限。

據了解，美國國家安全技術加速機構（NSTXL）是負責加快美軍國內外作戰任務及軍事設施相關創新技術方案的發現、開發和部署，旨在利用商業最佳實踐來幫助加速開發過程，并將可靠、安全的最先進微電子設計和制造應用于國家安全和國防應用。

（來源：集微）