5月23日下午據日本經濟新聞報道，日本經濟產業省公布外匯法法令修正案，正式將先進芯片制造設備等23個品類納入出口管制，該管制將在7月23日生效。

來源：日本經濟新聞（譯）

日本經濟產業省發布的清單涉及清洗、成膜、熱處理、曝光、蝕刻、檢查等23個種類，包括極紫外（EUV）相關產品的制造設備和三維堆疊存儲器的蝕刻設備等。

報道稱，雖然中國和其他特定國家和地區未被明確列為受監管對象，但新增的23個項目將需要單獨許可證（即出口至任何國家地區均需要單獨獲得許可），這給對中國和其他國家的出口帶來了實際困難。“美國嚴格限制尖端半導體制造設備對華出口，日本緊隨其后。”

聯合國國際貿易中心的統計顯示，日本2021年向中國本土出口的制造設備達到約120億美元，金額占出口到全世界的設備的近4成，在所有地區中最高。出口額是美國對華設備出口的近2倍。

日本在半導體市場的份額已從1980年代末的50%下降至目前的10%左右，但仍擁有一些領先的芯片制造設備制造商。美國在去年10月對向中國出口芯片制造設備實施了限制，以減緩其芯片業乃至軍事的發展，并一直在尋求主要芯片制造同行荷蘭和日本的合作。

日本政府今日表示，計劃限制23種半導體制造設備的出口，以配合美國遏制中國制造先進芯片能力的舉措。日本貿易和工業部長在一份新聞稿中表示，將對用于芯片制造的六類設備實施出口管制，包括清潔、沉積、光刻和蝕刻等。但沒有指名中國為這些措施的目標，稱設備制造商將需要為所有地區尋求出口許可。

日本半導體制造設備供應商（附23類設備匯總）。

東京電子

東京電子（Tokyo Electron）是全球第三大半導體制造設備供應商，僅次于美國的應用材料和荷蘭的ASML。它還生產面板顯示器制造設備。去年10月-12月，東京電子在中國的芯片設備銷售額同比下降22.3%至1027億日元，占該季度芯片設備總銷售額的22.4%。該公司在去年11月將其截至2023年3月的全年銷售預期下調了2500億日元（18.8億美元），即10.6%，部分原因是美國收緊了對中國的出口限制，后來其收入預期上調了700億日元。今年2月份，該公司高管在財報會上表示，“由于擔心隨著國際貿易壁壘的提高無法獲得設備，許多中國公司正在加快投資計劃并要求將交貨時間提前。”

愛德萬測試

愛德萬測試（Advantest）是一家芯片測試設備制造商，成立于1954年，為全球的半導體產業提供自動化測試設備和一體化的測試技術解決方案，與總部位于美國的泰瑞達（Teradyne）展開競爭。中國是愛德萬測試在10月至12月的最大市場，占該季度全球銷售額的32.9%。愛德萬測試的一位高管1月份表示，“我們認為美國對中國的出口限制直接阻止我們銷售我們的測試儀的風險很小。然而，我們可能會受到間接影響，因為這些限制會停止供應其他公司的生產設備，促使我們的客戶重新審視他們的商業計劃。”

SCREEN

成立于1943年SCREEN是全球第六大的半導體設備廠商，公司主要提供包括清洗機、蝕刻、顯影/涂布等。其中，清洗設備在過去多年來一直穩居半導體行業龍頭的位置。該公司預計，截至 3月份的一年中，對中國的出貨量將占芯片制造設備銷售額3750億日元的20%。該公司曾表示，對中國的銷售可能會受到美國出口限制的影響，但任何下降都可能被其他地方更高的需求所彌補。

尼康公司

尼康生產深紫外光刻機，這是僅次于極紫外光刻機的第二先進的芯片微型電路系統。在上世紀末尼康是當之無愧的光刻機巨頭，從80年代后期至本世紀初，尼康光刻機市場占有率超50%。尼康在截至2022年3月的財年中約占中國總銷售額的28%，約40%的銷售額來自其光刻機業務。尼康首席財務官Muneaki Tokunari在2月9日的財報簡報會上表示，隨著公司向中國出口“一定數量”的產品，尼康將密切關注事態發展。

Lasertec

Lasertec 是世界上唯一一家使用極紫外掩模光刻技術的半導體檢測設備制造商。Lasertec專注于設計和開發，將生產的大部分委托給外部，其“輕工廠”（fab-light）的優勢擴大了收益。這家芯片測量制造商在中國的銷售額占其全球銷售額的不到10%。Lasertec表示，由于該公司在中國的銷量較小，出口限制將對該公司產生“有限、微不足道的影響”。

熱處理相關（1類）

在0.01Pa以下的真空狀態下，對銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W）（任何一種元素）進行回流（Reflow）的“退火設備（Anneal）”。

檢測設備（1類）

EUV曝光方向的光掩膜版（Mask Blanks）的檢測設備、或者“帶有線路的掩膜”的檢測設備。

曝光相關（4類）

1.用于EUV曝光的護膜（Pellicle）。

2.用于EUV曝光的護膜（Pellicle）的生產設備。

3.用于EUV曝光的光刻膠涂覆、顯影設備（Coater Developer）。

4.用于處理晶圓的步進重復式、步進掃描式光刻機設備（光源波長為193納米以上、且光源波長乘以0.25再除以數值孔徑得到的數值為45及以下）。（按照筆者的計算，尼康的ArF液浸式曝光設備屬于此次管控范圍，干蝕ArF以前的曝光設備不在此范圍。）

干法清洗設備、濕法清洗設備（3類）

1.在0.01Pa以下的真空狀態下，除去高分子殘渣、氧化銅膜，形成銅膜的設備。

2.在除去晶圓表面氧化膜的前道處理工序中所使用的、用于干法蝕刻（Dry Etch）的多反應腔(Multi-chamber)設備。

3.單片式濕法清洗設備（在晶圓表面性質改變后，進行干燥）。

蝕刻（3類）

1.屬于向性蝕刻 (Isotropic Etching)設備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的選擇比為100以上的設備；屬于異向性(Anisotropic Etching)刻蝕設備，且含高頻脈沖輸出電源，以及含有切換時間不足300m秒的高速切換閥和靜電吸盤（Chuck）的設備。

2.濕法蝕刻設備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的蝕刻選擇比為100以上。

3.為異向性蝕刻設備，且蝕刻介電材料的蝕刻尺寸而言，蝕刻深度與蝕刻寬度的比率大于30倍、而且蝕刻幅寬度低于100納米。含有高速脈沖輸出電源、切換時間不足300m秒的高速切換閥的設備。

成膜設備（11類）

1.如下所示的各類成膜設備。*利用電鍍形成鈷（Co）膜的設備。

利用電鍍形成鈷（Co）膜的設備。

利用自下而上（Bottom-up）成膜技術，填充鈷（Co）或者鎢（W）時，填充的金屬的空隙、或者接縫的最大尺寸為3納米以下的CVD設備。

在同一個腔體（Chamber）內進行多道工序，形成金屬接觸層（膜）的設備、氫（或者含氫、氮、氨混合物）等離子設備、在維持晶圓溫度為100度一一500度的同時、利用有機化合物形成鎢（W）膜的設備。

可保持氣壓為0.01Pa以下真空狀態（或者惰性環境）的、含多個腔體的、可處理多個工序的成膜設備，以及下面的所有工序中所使用的金屬接觸層成膜設備：（1）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時，利用有機金屬化合物，形成氮化鈦層膜或者碳化鎢層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內，利用濺射工藝，形成鈷（Co）層膜的工藝。（3）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內，利用有機金屬化合物，形成鈷（Co）層膜的工藝。

利用以下所有工藝形成銅線路的設備。（1）在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內，利用有機金屬化合物，形成鈷（Co）層膜、或者釕（Ru）層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內，利用PVD技術，形成銅（Cu）層膜的工藝。

利用金屬有機化合物，有選擇性地形成阻障層（Barrier）或者Liner的ALD設備。

在保持晶圓溫度低于500度的同時，為了使絕緣膜和絕緣膜之間不產生空隙（空隙的寬度和深度比超過五倍，且空隙寬度為40納米以下），而填充鎢（W）或者鈷（Co）的ALD設備。

2.在壓力為0.01Pa以下的真空狀態下(或者惰性環境下)，不采用阻障層（Barrier），有選擇性地生長鎢（W）或者鉬（Mo）的成膜設備。

3.在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時，利用有機金屬化合物，形成釕（Ru）膜的設備。

4.“空間原子層沉積設備（僅限于支持與旋轉軸晶圓的設備）”，以下皆屬于限制范圍。（1）利用等離子，形成原子層膜。（2）帶等離子源。（3）具有將等離子體封閉在等離子照射區域的“等離子屏蔽體（Plasma Shield）”或相關技術手法。

5.可在400度一一650度溫度下成膜的設備，或者利用其他空間（與晶圓不在同一空間）內產生的自由基(Radical)產生化學反應，從而形成薄膜的設備，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的設備屬于限制出口范圍：（1）相對介電常數（Relative Permittivity）低于5.3。（2）對水平方向孔徑部分尺寸不滿70納米的線路而言，其與線路深度的比超過五倍。（3）線路的線距（Pitch）為100納米以下。

6.利用離子束（Ion Beam）蒸鍍或者物理氣相生長法(PVD)工藝，形成多層反射膜(用于極紫外集成電路制造設備的掩膜)的設備。

7．用于硅（Si）或者硅鍺（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生長的以下所有設備屬于管控范圍。（1）擁有多個腔體，在多個工序之間，可以保持0.01Pa以下的真空狀態（或者在水和氧的分壓低于0.01Pa的惰性環境）的設備。（2）用于半導體前段制程，帶有為凈化晶圓表面而設計的腔體的設備。（3）外延生長的工作溫度在685度以下的設備。

8.可利用等離子技術，形成厚度超過100納米、而且應力低于450MPa的碳硬掩膜（Carbon Hard Mask）的設備。

9.可利用原子層沉積法或者化學氣相法，形成鎢（W）膜（僅限每立方厘米內氟原子數量低于1019個）的設備。

10.為了不在金屬線路之間（僅限寬度不足25納米、且深度大于50納米）產生間隙，利用等離子形成相對介電常數（Relative Permittivity）低于3.3的低介電層膜的等離子體成膜設備。

11.在0.01Pa以下的真空狀態下工作的退火設備，通過再回流（Reflow）銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W），使銅線路的空隙、接縫最小化，或者使其消失。

根據研究公司TrendForce的數據，未來3年，28nm及以上制程芯片預計將占據全球晶圓代工廠產能的75%至80%。若擴大到45nm及以下節點，將影響幾乎所有國內涉及SoC、FPGA、CIS、SSD主控等邏輯晶圓制造商和3D NAND存儲器制造商。

（來源：SEMI產業投資平臺）