據外媒報道，歐洲半導體巨頭英飛凌公司日前宣布，將領導一個有45家合作伙伴共同參與的歐洲聯合科研項目，立足歐洲供應鏈，開發從芯片到模塊的集成氮化鎵 (GaN) 功率設計。這一名為ALL2GaN的項目預算6000萬歐元，為期三年，旨在利用人工智能加強GaN功率技術的可持續性和安全供應鏈，專注于以各種方式集成GaN芯片。在英飛凌的菲拉赫工廠開發的集成工具箱包括單獨的GaN分立元件、高性能GaN模塊、芯片設計和新穎的片上系統集成方法。

報道稱，這一項目成果將使歐洲芯片更快地集成到電信、數據中心和服務器場等應用中。該項目參與者包括比利時研究和工藝開發實驗室imec、Nexperia、愛立信等。英飛凌科技奧地利公司首席執行官Sabine Herlitschka表示：“對關鍵技術的投資對于實現氣候目標至關重要。這可以通過研究、與最佳合作伙伴的合作以及具有實際影響的創新來實現——正如此處推斷的那樣，減少二氧化碳排放的潛力為2.18億噸，通過共同努力，我們可以更快地開發可持續產品和工藝，并為脫碳和數字化做出決定性貢獻。結果鞏固工業和歐洲在全球競爭中的地位。它們為歐洲和我們的社會帶來了更多的戰略自主權，確保了供應鏈的安全，并且是通往節能未來的加速器。”

（來源：集微網）