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安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件

日期:2023-05-11 來源:半導體產業網閱讀:594
核心提示:5 月 10日智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(S

 5 月 10日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力電力電子工程師實現更出色的能效和更低系統成本。全新產品系列包括有助于提高開關速度的EliteSiC MOSFET和模塊,以適配越來越多的800 V電動汽車(EV)車載充電器(OBC)和電動汽車直流快充、太陽能方案以及能源儲存等能源基礎設施應用。

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最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件

該產品組合還包括采用半橋功率集成模塊(PIMs)的新型EliteSiC M3S器件,具有領先業界的超低Rds(on),采用標準F2封裝。這些模塊非常適用于工業應用DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率轉換階段。它們提供更高的集成度,采用優化的直接鍵合銅設計,實現了并聯開關之間的平衡電流共享和熱分布。這些PIM旨在提供高功率密度,適用于能源基礎設施、電動汽車直流快速充電和不間斷電源(UPS)。

安森美高級副總裁兼先進電源分部總經理Asif Jakwani說:“安森美最新一代汽車和工業EliteSiC M3S產品將助力設計人員減小其應用占位和降低系統散熱要求。這有助于設計人員開發出能效更高、功率密度更大的高功率轉換器。”

車規級1200 V EliteSiC MOSFET專用于高達22 kW的大功率OBC和高壓至低壓的DC-DC轉換器。M3S技術專為高速開關應用而開發,具有領先同類產品的開關損耗品質因數。

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