國內第三代半導體產業動態
一、技術和產品
1、武工大SiC涂層設備取得突破
據此前長江日報發文報道，武漢工程大學材料科學與工程學院教授趙培及其團隊的化學氣相沉積法制備技術開發研究，這項技術已被石墨涂層企業廣泛應用。2020年6月，該團隊研制出具備自主知識產權的智能化學氣相沉積設備，該設備創新性地解決了目前化學氣相沉積方法中固體原料蒸發罐供給系統在工業應用中無法長時間提供精確、持續、穩定的原料蒸汽的難題，能大幅提高SiC涂層的沉積速率、精準控制原料的成分比例、能實現沉積過程的全自動化操作。目前，該技術與裝置已在一些企業和研究院所得到廣泛應用，用于制備SiC涂層。據介紹，某企業的石墨模具只能使用8次，使用趙培團隊的技術后，石墨模具使用壽命增加到42次，大大延長了使用壽命，使用壽命提升了5倍以上，有效降低生產成本。
2、河北同光8英寸導電型SiC晶體樣品出爐
據河北黨員教育微信公眾號消息顯示，河北同光半導體歷經2年多的研發，8英寸導電型SiC晶體樣品已經出爐，工作人員正在攻關加工成SiC單晶襯底。預計這款新產品年底可實現小批量生產，將被客戶制為功率芯片。據悉，河北同光半導體成立于2012年，公司致力于SiC單晶襯底的研發、生產及銷售，是國內率先量產SiC單晶襯底的制造商之一，也是國際上少數同時掌握高純半絕緣襯底和導電型襯底制備技術的企業。近年，SiC襯底領域進入爆發階段，產能供不應求，公司積極建廠擴產。據該公司董事長鄭清超介紹，下一步，同光正謀劃建設2000臺SiC晶體生長爐生長基地和年產60萬片SiC單晶襯底加工基地，擬總投資40億元。到2025年末實現滿產運營后，預計新增產值40-50億元，成為全球重要的碳化硅單晶襯底供應商。2022年3月，據中國證監會披露，華泰聯合證券發布了關于河北同光半導體首次公開發行股票并上市輔導備案報告，公司加速上市進程。
3、連城數控SiC粉體爐取得突破
4月13日，連城數控官微稱，中國有色金屬工業協會近日組織專家組對該公司開發的“碳化硅立式感應合成爐”科技成果進行評價。專家一致認為該SiC粉料合成設備提升了SiC合成粉料的品質，提高了單次合成的重量，降低了單位能耗，減少了制造成本，促進了我國SiC高端裝備的升級換代。據介紹，連城數控半導體晶體事業部團隊開發了業內最大的SiC粉料合成爐，粉體純度達到國內一流水平。該團隊研發的大尺寸合成爐及其熱場，能精確控制軸向溫度梯度和徑向溫度的均勻性，解決了傳統的SiC粉體合成爐裝載量少，得率低等問題，使得反應更加充分，解決了工藝穩定性問題。同時，該公司設計的獨特的坩堝及涂層，能夠減少坩堝雜質的污染，提升坩堝的壽命，提高SiC粉體的純度，通過工藝優化，可以同時兼容合成導電性和半絕緣SiC粉體。除SiC粉體合成爐外，連城數控的液相法SiC長晶爐也于今年3月順利下線，經檢驗各項性能達到預期目標。同時，連城數控的SiC感應爐也于今年一季度獲得某重點客戶190臺訂單。
4、華為SiC電驅正式發布 覆蓋多種車型
4月17日，華為官微發文舉行智能電動新品發布會，并發布了“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”，以及“新一代全液冷超充架構”的充電網絡解決方案。其中，DriveONE搭載SiC技術，主要能夠全面覆蓋B/B+級純電、B/B+級增程混動，以及A級純電車型動力總成解決方案：
（1）面向B/B+級BEV動力總成，華為稱其有業界最高效率量產高壓同步總成解決方案——高效SiC高壓同步總成。據介紹，該款SiC高壓同步總成是基于高效SiC模組以及華為電機仿真尋優平臺，華為打造92%CLTC效率的業界最高效的CLTC工況動力總成，相對于業界同類方案，效率領先1.5個百分點；這款平臺同時支持750V和900+V雙電壓適配，在250A的快充樁上就可以實現極速4C充電，7.5分鐘把電池SOC從30%提升到80%，續航增加250km。同時，得益于轉速提升、智能油冷等一系列技術突破，動力總成功率密度達到2.4kW/kg，領先行業30%。搭載華為智能輔驅技術的異步總成，搭配92%高效同步后驅總成，整體四驅續航里程可提升27km；
（2）面向B/B+級REV動力總成，針對增程四驅場景，華為本次帶來業界首款異步五合一，具備系統效率尋優和優于行業26%的低拖拽扭矩設計，搭配高效后驅組成前同后同架構，四驅WLTC效率可達88.2%，領先行業5+%，滿油滿電續航里程提升44km；
（3）面向A級BEV動力總成，超融合十合一動力域模塊通過首創芯片融合、功率融合、功能融合和域控融合，實現BOM數量降低40%，芯片數量降低60%。動力域模塊可以讓車企實現動力域的集成簡單，驗證簡單，開發簡單，開發效率提升30%。華為目前還沒有獨立造車，而是與賽力斯合作推出了AITO汽車，此外，華為與長安、寧德時代合作共創阿維塔汽車，與北汽極狐合作推出華為HI版車型。
據不完全統計，目前華為哈勃共投資了5家SiC相關企業，遍布SiC全產業鏈，分別為山東天岳、北京天科合達、瀚天天成、東莞天域半導體和特思迪。
5、中科院物理所陳小龍團隊在液相法生長3C-SiC襯底方面取得新成果
4月18日，中科院物理所在期刊上發表了關于采用液相法生長3C-SiC襯底的技術文獻。文獻提到，該團隊是通過在4H-SiC襯底上生長3C-SiC單晶，技術成果超出了以往理論預期，通過這項技術，能夠持續穩定地生長高質量和大尺寸的3C-SiC晶體——直徑為2~4英寸，厚度為4.0~10毫米。該團隊認為，該技術拓寬了異質晶體生長的機制，并為3C-SiC晶體的大規模生產提供了可行的途徑，未來3C-SiC功率器件性能有望比目前主流的4H-SiC更好。該團隊開發了一個生長3C-SiC的液相TSSG長晶設備，其生長過程是這樣的：首先，在高溫石墨坩堝區域中溶解C粉；然后在對流作用下，將C粉從高溫區輸送到低溫區；最后在低溫籽晶上進行3C-SiC結晶。質量方面，經過測量，所生長的3C-SiC晶體（111）面半峰全寬（FWHM）為28.8至32.4弧秒，平均為30.0弧秒，整體晶圓非常均勻。從3C-SiC的切片上看，典型的三角形凹坑大小約為5微米，可能來自螺紋位錯（TSDs）和螺紋邊緣位錯（TEDs）的密度分別約為4.3×104/cm2和13.9×104/cm2，并且沒有觀察到在3C-SiC中常見的雙定位邊界（DPBs）。
6、中電科6英寸3300V SiC外延片研發成功 產能提升
4月24日，據中國電科官微消息，中電科6英寸SiC外延片產業化工作取得重大進展，完成6英寸3300V SiC外延材料研發，6英寸中高壓SiC外延片月產能力實現大幅提升。目前正積極與國產設備廠商合作開發生產裝備，推動SiC核心裝備國產化。去年11月，普興電子新的外延材料產業基地第一片硅外延和SiC外延已相繼“出爐”，后續將進行新品全尺寸檢測評估并向客戶提供驗證樣片。該新產業基地建設項目于2021年9月啟動，項目總投資金額為16.7億元，一期項目投產后，將新購置各類外延生產及清洗檢驗設備共392臺（套），預計可達到年產300萬片8英寸硅外延片、36萬片6英寸SiC外延產品的生產能力。
7、恒普科技推出全新一代SiC晶體生長熱場材料——多孔碳化鉭
SiC晶體的主流生長工藝是PVT法，通常在2000℃的高溫下，將石墨坩堝中的SiC源粉末進行升華結晶。然而，在這個過程中，熱場材料容易出現3個問題：
（1）SiC蒸氣中的Si會強烈地攻擊石墨，并釋放出碳顆粒和金屬/氮雜質，這些雜質會融入到生長的SiC晶體中，從而引發晶體缺陷問題；
（2）熱場中的石墨、多孔石墨、碳化鉭粉等坩堝材料容易出現使用不當，從而帶來碳包裹物增多等缺陷；
（3）另外在有些應用場合，多孔石墨的透氣率不夠，需要額外開孔來增加透氣率。但是透氣率大的多孔石墨，又面臨著加工、掉粉、蝕刻等挑戰。針對行業痛點，恒普科技推出了全新一代SiC晶體生長熱場材料——多孔碳化鉭，實現了全球首發。由于碳化鉭的強度和硬度都很高，因此要將碳化鉭加工成多孔狀，挑戰難度非常大。而要制造出孔隙率大、純度高的多孔碳化鉭更是極具挑戰。
恒普科技通過自主技術研發，突破性地推出大孔隙率的多孔碳化鉭，其孔隙率最大可以做到75%，實現了國際領先。在碳化硅長晶應用方面，恒普科技的多孔碳化鉭可用于氣相組元過濾、調整局部溫度梯度、引導物質流方向以及控制泄露等方面，更好地協助SiC企業去優化晶體良率。同時，這款多孔碳化鉭還可與恒普科技另外一款固體碳化鉭（致密）或碳化鉭涂層相結合，形成局部不同流導的構件，有利于進一步提升SiC晶體良率。
8、眾多車企推出最新SiC車型、充電樁等相關產品
2023年以來，無論是理想、小鵬、蔚來、哪吒等新勢力，還是一汽、上汽、吉利、奇瑞和比亞迪等頭部車企，整個汽車行業都在積極導入SiC技術，SiC車型、SiC充電樁及SiC相關最新產品密集亮相。
（1）4月16日，小鵬汽車2023技術架構發布會于上海舉辦，并正式發布了SEPA 2.0“扶搖”全域智能進化架構。基于該新架構，新車型研發周期將縮短20%，架構零部件通用化率達到80%。“扶搖”架構將通過全棧自研的全新800V XPower電驅，提升整車續航。該800V高壓SiC油冷扁線深度集成電驅，可使電機最高效率達97.5%，電驅系統綜合工況效率達到92%。綜合效率每提升1%，續航里程可提升2%。據了解，小鵬G6是首款搭載“扶搖”架構的SiC車型，目前小鵬G6已在工信部申報，預計滿電狀態續航可達600km+。
（2）理想汽車推出了800V超充純電解決方案。該800V超充方案包括了基于SiC技術打造的800V高壓電驅系統，具備4C超充能力的電池以及全棧自研的熱管理系統，在提升充電速度的同時改善能源使用效率，可實現充電10分鐘，續航400km。理想新一代SiC功率模塊結合了電機控制器的多部件集成設計，使得電機控制器體積壓縮到4L以內，功率密度高達62kW/L，減小了電驅系統的體積和重量，進一步優化整車的空間和能耗。
（3）東風公司帶來的800V SiC 10in1超高速電驅動為行業首款十合一扁線電驅動總成（iD3)，極致融合，高效高速。與自主開發的SiC控制器匹配，系統輸出功率最高280kW，最高效率94.5%，均為行業最高水平。
（4）廣汽埃安展出Hyper SSR，搭載自研的超高性能“四合一”電驅，采用SiC逆變器，是埃安的第二代基于SiC技術的集成電力驅動系統，兼容高低壓平臺，功率密度國內領先；此外，該車還搭載了900V的SiC芯片，功耗能夠降低80%，工作頻率提高2.5倍。
（5）遠航汽車推出Y6和H8，動力方面，兩車都采用聯合電子800V SiC電驅總成，可以爆發出超700匹馬力的強勁動力，遠航Y6零百加速時間快至3.2s，比肩超跑性能。
（6）中車時代電氣對外發布了中車電驅E4.0平臺首款產品C-Power280。該款產品的CLTC工況效率為92%，是基于中車自主SiC芯片開發，采用高壓油冷設計，可大幅提升補能速度。目前，該款產品已實現核心部件完全自主可控，并可兼容中大型車輛的前后驅構型。
（7）福田汽車與采埃孚簽訂了戰略合作協議，雙方的合資公司將正式引入采埃孚最新的商用車電動化解決方案，包括AX電驅動橋系列和CX中央電驅動系統在內的產品進行本地化生產和組裝。其中，采埃孚的CX中央電驅動系統搭載了發夾電機、SiC逆變器等技術，具有高功率、大扭矩和緊湊型、輕量化設計的特點，可將電驅動效率提高至96%以上。
（8）合創V09，動力方面基于H-GEA合創全球純電架構打造，標配800V高壓系統和高能量密度電池，支持4C超級快充，續航超過750km。此外，該車所搭載的高壓SiC電驅電源和高壓附件，能夠使整車效率提升約4%，整車能耗降低7.8%，最快充電10分鐘，續航增加≥400km。
（9）江鈴汽車攜E路達、大道EV、Robovan自動駕駛貨運車重磅亮相。其中，江鈴E路達除采用寧德時代、博世的新技術外，還擁有全球首發SiC多合一控制器技術，能夠增大功率，實現減負、多拉、多跑的高效運營。
（10）針對日益受關注的800V高壓應用，舍弗勒對外展示了三合一油冷平行軸式電驅動橋、雙電機同軸式電驅動橋等產品。其中，舍弗勒800V雙電機同軸式電驅動橋采用了SiC半導體技術，具有超高性能，峰值功率超過600 kW，輪端峰值扭矩超過7200 Nm，軸向長度僅600mm。同時，舍弗勒還展示了一系列面向商用車的創新產品和技術解決方案，包括采用舍弗勒獨特波繞組技術的800V油冷電機、采用SiC半導體技術的800V電機控制器等。
（11）一汽紅旗全新電動中大型SUV紅旗E202正式亮相2023上海車展。紅旗E202基于搭載了SiC模塊以及800V快充平臺的“旗幟”超級架構，只需5分鐘充電即可續航300km。未來三年，紅旗新能源計劃推出15款新能源智能產品，并且從2022年下半年開始，除特殊用途車型外，紅旗已將技術創新投入全部用于新能源汽車，新增產能全部用于新能源汽車，停止傳統燃油車技術和產能的新增投入。今年1季度紅旗拋出了4個大動作，實現了車規SiC技術的領跑：①計劃今年推出轎車E001與SUV E202兩款SiC車型；②發布SiC混動平臺HMP，綜合效率達90%以上；③完成了主驅SiC模塊試制，采用2in1塑封；④采用全國產1200V SiC MOSFET，比導通電阻為3.15mΩ·cm²。同時，一汽首款電驅用750V SiC功率芯片已于4月10日完成樣品流片，正式進入產品級測試階段。根據報道，紅旗功率電子開發部聯合中電科55所，從結構設計、工藝技術、材料應用維度開展技術攻關，使得該芯片比導通電阻達到2.15mΩ·cm²，最高工作結溫175℃，達到國際先進水平。
此外，采埃孚展示800V SiC電驅系統、阿爾特汽車推出200kW SiC電驅動四合一總成、美的威靈汽車推出800V SiC電動壓縮機、博格華納展出800V集成式電驅動模塊……
二、產業進展
1、企業/項目動態
（1）東南大學計劃采購SiC設備 預算金額達3000萬元
3月29日，東南大學對外發布了2023年3至12月的采購意向，其中涉及2款SiC相關設備。根據公告，東南大學計劃采購SiC外延爐與等離子深槽刻蝕機設備，預算金額各為1500萬元。SiC外延爐設備要求：①晶片尺寸兼容4&6英寸；②產能≥300片/月（以10μm厚計）；③工藝溫度1600℃～1650℃。等離子深槽刻蝕機設備要求：①最小刻蝕寬度0.8um，刻蝕深度1.5um；②刻蝕速率≥120nm/min；③表面均一性≤±3％；④刻蝕角度80~89°可控；⑤表面粗糙度＜0.5nm，溝槽底部弧度圓滑，無刻蝕底角。預計采購時間為5月。
（2）山東粵海金年產11萬片SiC襯底片項目新動態
一季度，山東粵海金年產11萬片SiC襯底片項目竣工環境保護驗收對外公示。根據該報告，該SiC襯底項目位于山東河口經開區，總投資約6.5億元，將分二期建設。其中，項目一期實際總投資4億元，主要建設1座SiC長晶（PVT法）及襯底片加工車間，購置6英寸升華法長晶爐、端面研磨機等設備，形成年產5.06萬片6英寸N型SiC襯底片的生產規模。項目二期擬建設1座SiC高溫化學氣相沉積法長晶車間，擬購置4英寸升華法長晶爐、HTCVD法長晶爐等設備，形成年產5.06萬片4英寸N型SiC襯底片及1.02萬片4英寸高純度半絕緣型SiC襯底片的生產規模。公開資料顯示，粵海金半導體成立于2018年5月，前身為國宏中能，主要產品為6英寸導電SiC襯底片、4/6英寸高純半絕緣型SiC襯底片。而且，該公司是高金富恒集團旗下專門從事SiC半導體材料研發與生產的產業化公司。據悉，高金富恒集團旗下還有北京粵海金半導體材料研發中心——該公司技術團隊以“第三代半導體材料制備關鍵共性技術北京市工程實驗室”（省部級實驗室）科研成果為基礎，進行SiC半導體材料的產業化生產與運營。3月份消息曾報道，山東省東營市河口區人民政府與高金富恒集團在廣州舉行了“碳化硅半導體產業基地項目”簽約儀式，項目總投資25億元，將年產6英寸SiC導電片36萬片，項目將在本月開工建設。
（3）湖南三安收到政府產業扶持資金約2.1億元 SiC采購協議總金額超70億元
3月31日，三安光電發布關于收到政府補助的公告：湖南三安近日收到政府產業扶持資金約2.1億元。公告顯示，根據三安與原長沙高新技術產業開發區管理委員會就第三代半導體產業園項目簽訂的相關合同，湖南湘江新區管理委員會商務和市場監管局同意按合同約定撥付湖南三安產業扶持資金20,963.56萬元，其中科技研發專項補助20,000.00萬元、電費補貼963.56萬元。湖南三安已于2023年3月30日收到該筆款項。
三安光電最新財報顯示，2022年營收132億元，同比增長5.17%。其中，湖南三安銷售收入6.39億元，同比增長909.48%，其SiC二極管累計出貨量超1億顆，已簽署的SiC MOSFET長期采購協議總金額超70億元。目前，湖南三安已推出第四代高性能SiC產品，且有7款通過車規認證并開始逐步出貨。SiC MOSFET推出1200V系列產品，包含80mΩ/20mΩ/16mΩ。其中，80mΩ/20mΩ產品已在光伏客戶端導入批量訂單，在車載充電機客戶端處于驗證導入階段；車規級1200V 16mΩMOSFET芯片已在戰略客戶處進行模塊驗證，預計于2024年正式上車量產。項目建設方面，湖南三安的碳化硅半導體產業化項目總投入為160億元，2022年投入資金達到36.36億元，截止2022年累計投入金額達77.06億元。據了解，該項目一期已于2021年6月正式點亮投產，項目二期已于2022年7月正式開工，預計將于2023年貫通，年產能將達到36萬片。按照計劃，該項目全面建成投產后將形成兩條并行的SiC研發、生產全產業鏈產線。目前SiC產能為12000片/月，硅基GaN產能2000片/月。
此外，2022年3月，湖南三安與理想合資成立蘇州斯科半導體，規劃年產240萬只SiC半橋功率模塊，目前該項目基礎建設已完成，設備正陸續入廠，已進入安裝調試階段，待產線通線后進入試生產。在硅基GaN產品方面，湖南三安的客戶送樣及系統驗證進程加速，目前擁有650V GaN代工平臺，正加快研究開發投入，持續提升品質，向低壓200V和高壓900V平臺迭代。
（4）北京爍科中科信多臺SiC離子注入機交付
4月4日，北京爍科中科信宣布，今年二季度旗下的SiC離子注入機實現順利交付。而在今年一季度，還有多臺SiC設備實現交付。據中科信Q1季報顯示，該公司北京總公司和長沙分公司實現12臺離子注入機先后順利交付，同比增長300%。其中，僅3月份就交付了3臺SiC離子注入設備；而且一季度設備新簽合同再創新高，合同總額突破3.5億元，同比增長21%。
（5）德智新材生產線將擴充到16條 二期項目即將開建
4月9號消息報道，湖南株洲目前正依托德智新材、時代半導體等半導體領域龍頭企業，重點發展基于第三代硅基IGBT為核心的集成電路全產業鏈，爭取打造新的千億產業增長級。其中，德智新材在今年將生產線由6條擴充到16條，二期項目也即將開工建設，今年預計總產值可達到5個億。據悉，德智新材是一家專業從事SiC納米鏡面涂層及陶瓷基復合材料研發，生產和銷售的高新技術企業。項目方面，2020年10月，德智新材擴產項目落成儀式在株洲高新區舉行，擴產的項目是半導體用SiC涂層石墨基座；2022年12月30日，德智新材半導體用SiC蝕刻環項目正式竣工，該項目總投資約2.5億元，占地約60畝，主要進行半導體用SiC蝕刻環的研發、制造。此外，德智新材自主設計的國內最大化學氣相沉積設備于2020年正式投入使用，SiC涂層石墨基座順利實現產業化。
（6）英諾賽科一季度營收達到1.5億元 增長400%
近期英諾賽科接受采訪時表示，2022年全年公司的業務同比2021年增長了300%，2023年第一季度出貨量也突破了5000萬顆，銷售額達1.5億，是去年同期的4倍。2022年12月，英諾賽科曾透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億。目前，珠海工廠GaN晶圓月產能為4000片，到2025年，珠海和蘇州兩大基地的月產能預計可達70000片左右。同時，依靠8英寸硅基GaN IDM全產業鏈的優勢，英諾賽科40V/100V/150V低壓平臺也已全面升級，40V雙向導通產品、100V半橋驅動合封產品等多系列產品相繼發布，為其在汽車、數據中心、工業與新能源等領域的拓展中做足準備。據英諾賽科官微消息，英諾賽科是全球唯一一家8英寸硅基GaN IDM廠商，當前最新產能可達到每月10000片。
（7）漢印機電新增SiC外延設備和外延項目
4月11日，據鹽城廣電全媒體新聞中心消息，江蘇漢印機電科技股份有限公司在今年新增了SiC外延設備和外延項目。據介紹，漢印機電與中科院半導體所、清華大學化工學院等多家高校深入產學研合作，開展了產業化的SiC設備開發等一系列規劃。2022年，漢印機電聯合中科院半導體所承擔的第三代半導體碳化硅外延項目，該項目建成達產后，可年增產值3億元。漢印機電成立于2009年，是一家專注于PCB功能墨水噴印設備及工藝應用的自主研發的企業，2022年公司整體銷售額為1.2億元。
（8）均勝電子獲130億800V訂單
4月13日，均勝電子宣布其子公司近期新獲某知名車企客戶全球性項目定點，將為其新能源汽車的800V高壓平臺提供功率電子類產品。根據該客戶規劃，預計該項目全生命周期訂單總金額約130億元。關于SiC產品，均勝電子的子公司均勝普瑞（Preh）在2019年推出了800V SiC技術，并率先應用于保時捷Taycan車型。2022年7月，在一汽紅旗技術科技展上，結合一汽紅旗的新高壓平臺，均勝電子針對性地展示了兩款采用SiC等新型功率元件的800V平臺新產品。
（9）重慶市《2023年市級重點項目實施》新增8英寸SiC項目
4月14日，重慶市人民政府公開了關于做好《2023年市級重點項目實施》有關工作的通知，其中包含一個SiC項目。該項目名稱為“重慶高新區化合物半導體項目”，計劃建設月產4萬片8英寸SiC晶圓制造線和月產能4萬—4.5萬片8英寸SiC襯底生產線，主要牽頭單位為西部科學城重慶高新區管委會。目前，該項目處于可行性研究論證階段。
（10）博藍特與江蘇地方政府就第三代半導體項目簽署戰略合作
4月18日，江蘇延陵鎮鎮黨委副書記、鎮長張金偉會見了浙江博藍特半導體科技股份有限公司董事長徐良，以及松樹慧林（上海）基金投資經理王煥入一行，并舉行戰略合作簽約儀式。今年3月，延陵鎮鎮長張金偉曾會見博藍特半導體徐良董事長及松樹基金一行，三方就SiC、GaN第三代半導體項目落地、聯合組建半導體產業基金等事宜進行了洽談。
（11）SiC晶圓減薄用磨輪研發制造企業晶之銳舉行開工儀式
4月20日，據廈門市集成電路行業協會官微消息，廈門晶之銳材料科技有限公司于18日舉行開業儀式。晶之銳是一家專注于研發制造第三、四代半導體材料研磨用減薄砂輪的企業，旗下SiC晶圓減薄用磨輪的研發已完成，爭取在今年內投入市場。晶之銳是由廈門石之銳材料科技有限公司與華僑大學制造工程研究院穆德魁教授聯合創立而成，該公司除了提供半導體材料研磨用減薄砂輪整體解決方案外，還為客戶提供無償背減薄測試服務。實際上，SiC半導體研磨加工技術是我國“卡脖子”問題之一，根據晶之銳，金剛石超薄砂輪的國產滲透率甚至只有5%，95%依賴進口產品。晶之銳從數年前已經開始進行SiC減薄磨輪的相關要素的工藝開發，目前SiC晶圓減薄用磨輪的研發已完成，性能媲美進口同類產品，爭取在2023年內投入市場。
（12）基本半導體車規級SiC芯片產線通線
4月24日，基本半導體車規級SiC芯片產線通線儀式在深圳市光明區舉行。據介紹，基本半導體的車規級碳化硅芯片產線項目連續兩年入選深圳市年度重大項目。該產線所處的廠區面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等130臺專業設備，主要產品為6英寸SiC MOSFET晶圓等，產線達產后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關芯片需求。基本半導體目前已掌握SiC芯片設計、晶圓制造、模塊封裝、驅動應用等核心技術，并建立了完備的國內國外雙循環供應鏈體系。此外，基本半導體無錫汽車級SiC功率模塊產線也在加速擴產，以面對未來三年汽車市場全面爆發時的模塊供應需求。2021年12月，基本半導體的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批模塊產品成功下線。基本半導體表示，這是目前“國內第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產線”，2022年產能為25萬只模塊，2025年之前將提升至150萬只。
（13）瀏發集團攜手泰科天潤建設湖南SiC超充項目
4月24日，瀏發集團官微發文稱將投資600萬元，攜手泰科天潤在瀏陽建設一座光儲充智能超級充電站，并采用SiC技術。目前，該項目正在建設中，占地面積約2400平方米，預計6月可投入使用。報道稱，這將成為湖南首座集“光伏發電、電池儲能、液冷超充”于一體的新能源汽車充電站，設有2組SiC超級充電樁、10組120KW第三代直流充電樁，總計有40把充電槍，可同時滿足40輛新能源汽車充電。據介紹，超級充電樁單槍最高輸出功率可達到600千瓦，小汽車充電5分鐘可達30度電，續航200公里；貨車充電10分鐘可達60度電，續航200公里。
（14）天岳先進與英飛凌、博世簽訂長期供應協議 上海臨港工廠正式交付
5月3日，天岳先進宣布與英飛凌簽訂了一項新的襯底和晶棒供應協議。天岳先進將為英飛凌供應用于制造SiC半導體的高質量并且有競爭力的6英寸SiC襯底和晶棒，第一階段將側重于6英寸SiC材料，但天岳先進也將助力英飛凌向8英寸SiC晶圓過渡。英飛凌表示，該協議的供應量預計將占到英飛凌長期需求量的兩位數份額，這不僅有助于保證英飛凌供應鏈的穩定，讓其SiC材料供應商體系多元化，還能夠確保英飛凌獲得更多具有競爭力的SiC材料供應。尤其是滿足中國市場在汽車、太陽能、充電樁及儲能系統等領域對SiC半導體產品不斷增長的需求，并將推動新興半導體材料SiC的快速發展。同一日，天岳先進在上海臨港順利舉行了上海工廠產品交付儀式，目前的實際進度超出客戶預期。上海工廠采用先進的設計理念，率先打造SiC襯底領域智慧工廠，通過AI和數字化技術持續優化工藝，為產能提升打下重要基礎。
此外，天岳先進2022年年報顯示，2022年公司已與博世集團簽署長期協議。博世在德國羅伊特林根工廠開發和生產功率半導體，于2021年開始SiC功率半導體的大規模生產。
2、投資擴產
（1）芯導科技第三代半導體項目簽約無錫經開區
3月29日，無錫經開區舉行2023集成電路產業懇談會（上海專場）。會議上，芯導科技第三代半導體等8個項目簽約無錫經開區，簽約金額8.5億元。芯導科技主營業務為功率半導體的研發與銷售，其功率半導體產品包括功率器件（如TVS、MOSFET、SBD、GaN HEMT等）和功率IC（如單節鋰電池充電芯片、過壓保護芯片、音頻功率放大器、DC-DC類電源轉換芯片、GaN驅動IC等）兩大類，可應用于消費類電子、網絡通訊、安防、工業、汽車、儲能等領域。2022年底，芯導科技曾發布公告稱，公司擬在無錫設立全資子公司無錫芯導，并新增該子公司為公司募投項目“高性能分立功率器件開發和升級”、“高性能數模混合電源管理芯片開發及產業化”、“硅基氮化鎵高電子遷移率功率器件開發項目”實施主體之一，以上募投項目實施地點相應由上海調整為上海、無錫。芯導科技目前正在推進第三代半導體的技術研發和產品驗證工作，包括GaN和SiC產品，并嘗試應用于汽車電子、光伏逆變器、充電樁等更加豐富的場景。此前，芯導科技在投資者互動平臺表示，配合公司第三代半導體650V GaN HEMT器件的高整合度驅動器芯片正處于客戶端測試階段，并在一些客戶端的驗證過程中。產品性能表現良好，已具備量產條件，目前在等待客戶后續項目計劃。
（2）總投資15億元 西咸新區擬簽約藍輝科技碳化硅晶體材料項目
4月6日，據36氪報道，西咸新區近期擬簽約重點儲備項目高達75個，其中包括總投資15億元的藍輝碳化硅晶體材料項目。藍輝碳化硅晶體材料項目建設單位為西安藍輝科技，該公司是一家工業設備生產商，產品包括SiC長晶爐等，成立于2000年并于2017年5月在新三板上市。
（3）總投資9億元 山西立晶碳化硅項目開工
4月7日，據山西朔州市融媒體中心消息，平魯區成功舉行2023年項目集中開復工啟動儀式，其中包括總投資為9億元的山西立晶碳化硅項目。立晶碳化硅項目由平魯區立航投資發展有限公司與國晶光電（山東）及新海宜科技集團股份有限公司共同投資建設，目標打造第三代半導體及復合新材料生產基地。立晶半導體項目負責人劉少晗表示，該項目總投資9億元，計劃投資600臺6英寸SiC長晶爐。項目投資方之一的國晶電子成立于2018年，從事高純SiC微粉生產、SiC單晶爐的研發制造。2018年5月，國晶電子投資3億元建設一條5N高純SiC微粉生產線和6英寸SiC單晶生長研發中心，項目達產后可年產5N高純SiC微粉100噸、6英寸雙坩堝SiC單晶爐200臺。據悉，國晶電子的獨特技術是——1臺單晶爐可同時生長2個SiC晶體。
（4）總投資21.5億元 瀚思瑞將在南通建設第三代功率半導體陶瓷覆銅板項目
4月10日，江蘇舉辦了2023中國海門經貿投資洽談會，會上共計簽約41個項目，其中包括一個第三代半功率半導體項目。江蘇瀚思瑞半導體科技有限公司與江蘇省南通市海門開發區簽訂投資協議，計劃投資21.5億元建設第三代功率半導體陶瓷覆銅板項目，瞄準第三代功率半導體在新能源汽車、光伏、儲能等工業領域的前沿應用，將分三期進行建設。企查查顯示，瀚思瑞半導體成立于2023年3月，公司主營業務包括半導體器件專用設備制造、銷售。
（5）揚杰科技擬投10億建SiC項目
4月20日，揚杰科技發布公告稱于4月18日與揚州市邗江區人民政府簽署了《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》，并計劃在揚州市投資新建6英寸碳化硅晶圓生產線項目，將新建廠房27000平方米。根據公告，該SiC項目總投資約10億元，將分兩期實施建設，項目全部建成投產后，形成SiC 6英寸晶圓產能5000片/月。公開資料顯示，揚杰科技成立于2006年8月，并于2014年1月上市，較早地布局了第三代半導體產業，目前已成功開發并向市場推出SiC模塊及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列產品。同時，公司的SiC MOSFET已取得關鍵性進展，后續擬進一步布局6-8英寸SiC芯片生產線建設。
3、資本動態
（1）大基金10億元增資入股成都士蘭
3月30日晚間，士蘭微發布公告宣布擬與關聯方國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司（以下簡稱“大基金二期”）共同出資21億元認繳控股子公司成都士蘭半導體制造有限公司（以下簡稱“成都士蘭”），目的是推進成都士蘭實施的“汽車半導體封裝項目（一期）”。公告顯示，在本次增資中，士蘭微出資11億元，大基金二期出資10億元，本次新增注冊資本159,090.91萬元。SiC方面，去年，士蘭微參股公司士蘭明鎵已開始建設“SiC功率器件芯片生產線”項目。到去年Q4，SiC芯片生產線就已實現初步通線，并形成月產2000片6英寸SiC芯片的生產能力。目前，士蘭明鎵已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發，且已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，參數指標較好，并已向客戶送樣。2023年，士蘭明鎵將加快推進SiC芯片生產線建設進度，預計2023年底將形成月產6000片6英寸SiC芯片的生產能力。不僅如此，士蘭微正計劃在此基礎上進一步擴充產能。在65億定增項目中，7.5億的募投資金擬投向SiC功率器件生產線建設項目，該項目總投資15億，主要生SiC MOSFET、SiC SBD芯片產品。項目達產后，將新增SiC MOSFET芯片12萬片/年、SiC SBD芯片2.4萬片/年的生產能力。
（2）中恒微半導體宣布完成新一輪融資
中恒微半導體官微透露，公司宣布完成了新一輪的融資，本輪融資由毅達資本、合肥創新投、合肥高投參與。2022年6月，中恒微半導體發生工商變更，新增股東固德威，持股約2.86%。中恒微半導體成立于2018年，主要從事國產功率半導體（IGBT，SiC）模塊研發、設計、制造與系統應用，2020年通過國家高新技術企業和IATF 16949質量管理體系認證（TUV），已建成并投產2條IGBT模塊封裝產線，年產能100萬只。公司產品主要應用于新能源汽車、電機驅動、光伏逆變、工業變頻、高頻電源等行業。
（3）鎵仁半導體完成天使輪融資
根據藍馳創投官方消息，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱：鎵仁半導體）近日正式完成數千萬天使輪融資。該輪融資由藍馳創投領投，禹泉資本跟投；融資將用于強化團隊、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發。鎵仁半導體成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發、生產和銷售的科技型企業。據消息報道，鎵仁半導體開創了非導模法氧化鎵單晶生長新技術，突破了國際市場對氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識產權的氧化鎵單晶襯底材料。
（4）立琻半導體完成近億元融資
4月3日，立琻半導體官方宣布，公司于近日完成近億元的A輪融資交割，由中鑫資本領投。根據官網資料，立琻半導體由產業投資方和半導體行業資深專家聯合創立，公司致力于為客戶提供光電子芯片等戰略新興領域的化合物半導體光電產品，主要產品包括高效紫外LED、紅外VCSEL、車用LED等光電器件。立琻半導體還指出，公司在GaN、GaAs等光電化合物半導體的外延、芯片、封裝、模組、應用等全產業鏈擁有完備的知識產權，專利覆蓋美國、歐洲、日韓及中國大陸、中國臺灣等國家和地區。據悉，立琻半導體與LG Innotek（LG電子控股的一家獨立上市公司，涉足汽車、消費、顯示等產業）結緣頗深。2021年3月，立琻半導體成功競標收購了LG Innotek的光電化合物半導體事業部資產，該資產包括近萬件專利、相關技術與成套工藝設備；2022年6月，立琻半導體又宣布獲得LG Innotek入股，LG Innotek正式成為公司股東之一。產能方面，2022年11月21日，立琻半導體一期廠房在蘇州太倉高新區正式落成。項目一期投資10億元人民幣打造化合物半導體光電器件研發制造基地，主要產品包括高效紫外LED、紅外VCSEL、車用LED等高性能半導體光電器件。
（5）矽電半導體即將首發上會
4月6日深交所披露：深圳證券交易所上市審核委員會定于2023年4月13日召開2023年第21次上市審核委員會審議會議，審核矽電半導體設備（深圳）股份有限公司(首發)。矽電半導體成立于2003年，是一家半導體設備供應商，華為哈勃曾于2021年12月投資入股，獲得其4%的股權。作為一家半導體設備廠商，矽電半導體專注于半導體探針測試技術領域，主要產品是探針臺設備。探針測試技術應用于半導體制造晶圓檢測環節，也應用于設計驗證和成品測試環節，是檢測芯片性能與缺陷，保證芯片測試準確性，提高芯片測試效率的關鍵技術。目前，矽電股份的探針臺設備主要用于半導體制造過程中的晶圓測試環節，應用領域涵蓋集成電路、光電芯片、分立器件、第三代化合物半導體等，客戶覆蓋士蘭微、比亞迪半導體、燕東微、華天科技、三安光電、光迅科技、歌爾微等晶圓制造、封裝測試、光電器件、分立器件及傳感器生產廠商。
（6）瑞識科技獲得近億元B1輪融資
VCSEL廠商瑞識科技獲得近億元B1輪融資。此輪投資方包括奇瑞集團旗下瑞丞基金，基石資本和南山戰新投，老股東常春藤資本繼續跟投。本輪融資將用于加速產品量產落地，全面布局車用市場、智能傳感和醫療健康市場。瑞識科技是一家半導體光芯片公司，公司擁有VCSEL芯片設計和光學集成能力，大規模交付能力，還建成了車規級測試和可靠性認證實驗室。
（7）陜西宇騰電子完成千萬級Pre-A輪融資
4月7日，“陜創投”官微發文稱，陜西宇騰電子科技有限公司已經完成了千萬級Pre-A輪融資，資金將主要用于GaN等方面的研發投入、產線擴充和市場拓展加速等。據悉，本輪融資是由陜創投旗下銅川高新科技成果轉化創業投資基金獨家投資。宇騰科技近兩年也在投資建設GaN項目，并取得了相關進展：①2022年6月，宇騰科技的光電新材料GaN項目正式試車，項目總投資1.58億元，計劃分二期投產運營。其中，項目一期建設4條生產線，預計年產5萬片光電外延產品；②2020年9月，宇騰科技總投資6.8億元建設的GaN第三代半導體外延片項目簽約落地陜西省銅川市，擬用地面積約30000平方米建設GaN第三代半導體外延片開發與配套產業化項目；項目分四期投入，建設年限4年，建置投產共20條外延生產線。
（8）進化半導體官宣完成近億元融資
4月14日，進化半導體官方正式宣布完成近億元人民幣融資，資金將主要用于持續研發投入和團隊擴充。本輪融資由中合汽車基金和同創偉業領投，國發創投、深圳高新投、浙商創投、泰融資本等知名投資機構跟投，老股東祥峰投資繼續加注。據悉，進化半導體成立于2021年5月，公司專注于以創新技術制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料，是以國際首創無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業。進化半導體認為，本輪融資的完成，將加快推動氧化鎵材料的國產化進程，是產業鏈核心環節在新一代半導體產業生態布局中的重大進展。除本次融資外，進化半導體還在2021年8月份完成1000萬元的天使輪融資，由祥峰投資領投。
（9）深圳時代速信完成新一輪融資
4月19日，深圳市時代速信科技有限公司（以下簡稱“時代速信”）發生工商變更，完成新一輪融資。公司新增股東成都華西金智銀創股權投資基金合伙企業（有限合伙）、北京瑞合股權投資基金（有限合伙）、青島善金馳瑞私募股權投資基金合伙企業（有限合伙）、海南晟緣企業管理咨詢中心合伙企業（有限合伙），同時，注冊資本由3924.86萬元增加到4478.26萬元。據了解，時代速信成立于2017年，面向未來5G、6G移動通信網絡的發展，專注于第二代（GaAs）和第三代（GaN）半導體芯片研發，致力于集成電路、射頻芯片、多功能芯片、應用方案的設計、研發、生產及銷售。
（10）天狼芯半導體與睿悅投資正式簽署B輪投資協議
4月21日，據睿悅投資官微消息，與深圳天狼芯半導體有限公司正式簽署了B輪投資協議，共同發力第三代半導體功率器件。今年2月，天狼芯半導體董事長曾健忠在深圳招商組的陪同下前往仙居縣洽談“功率三代半封裝測試基地項目”相關事宜，雙方積極推進該項目落地仙居。該項目若在仙居成功落地，預計分三期建設完成，總投資預計為6億元，其中一期投資為1.5億元，將建設SiC、GaN封裝測試產線。天狼芯半導體成立于2020年1月，是一家專注于提供國產功率半導體芯片的Fabless企業，主要研發GaN系列、SiC系列產品，目前正在走IPO上市前審計流程。
（11）移動數碼品牌倍思宣布完成數億元A輪融資
移動數碼品牌baseus（倍思）宣布完成數億元A輪融資。本輪融資由深創投、中金資本聯合領投，越秀產業基金、高榕資本跟投。資金將用于產品研發、供應鏈建設、工廠建設和品牌海外推廣等。據悉，這是倍思科技從2011年創立以來，首次進行外部市場融資。倍思成立于2011年，致力于移動數碼產品的設計、研發、銷售和生產，旗下產品包括手機充電設備、藍牙耳機等。倍思是國內較早把GaN技術應用到充電領域的品牌，目前技術方案已經來到了第五代。GaN具備開關頻率高、禁帶寬度大、更低的導通電阻等優勢，通常應用于LED、射頻通訊與高頻功率器件領域，手機快充是GaN在高頻功率器件領域的代表應用之一。
（12）SiC長晶設備供應商晶升裝備正式登陸科創板
4月24日，SiC長晶設備供應商南京晶升裝備股份有限公司正式登陸科創板。晶升股份成立于2012年2月，從事8-12英寸半導體級單晶硅爐、6-8英寸SiC、GaAs等半導體材料長晶設備及工藝開發。SiC單晶爐的主要客戶包括三安光電、東尼電子、浙江晶越國內龍頭襯底廠商，并持續推進客戶F、天岳先進等下游十余家新客戶的批量供貨。通過IPO，晶升股份擬募資4.76億元，用于總部生產及研發中心建設項目、半導體晶體生長設備總裝測試廠區建設項目。此前晶升股份在網上路演活動中透露，所募投的“總部生產及研發中心建設項目”擬建設于江蘇省南京市南京經濟技術開發區，擬建設集經營辦公和新產品技術研發于一體的綜合性總部大樓與廠房，以研發活動為基礎，配備相應的測試及組裝環境。項目計劃涵蓋的主要研發內容如下：①半導體硅NPS晶體單晶爐研發；②6英寸至8英寸碳化硅單晶爐研發；③溫度梯度可控單晶爐加熱及控制系統。公開資料顯示，晶升股份SiC單晶爐產品包括PVT感應、電阻加熱SiC單晶爐；LPE法SiC單晶生長爐。
（13）清純半導體完成數億元A+輪融資
清純半導體（寧波）有限公司宣布完成數億元A+輪融資。本輪融資由蔚來資本、士蘭微及其戰略基金、華登國際聯合領投，老股東高瓴創投（GL Ventures）持續加注，同時獲得宏微科技及多家電源和光伏企業等機構鼎力支持。本次融資將用來完善供應鏈布局、擴大團隊、建設量產實驗室并支撐產品上量。自2021年底A輪融資以來，清純半導體在SiC器件技術研發和產品開發等方面取得一系列重大進展。1200V SiC MOSFET平臺技術成熟，多規格產品實現量產，并通過AEC-Q101車規級認證和960V-H3TRB可靠性驗證；推出了首款國內量產的15V驅動SiC MOSFET系列產品填補國內空白，各項性能指標均達到或超過國際同類產品水平，實現SiC MOSFET芯片出貨近百萬顆，服務多家光伏與儲能行業頭部客戶；推出了國內最低導通電阻的1200V 14mΩ SiC MOSFET,通過Tier1廠商驗證，性能對標國際主流主驅芯片，目前正在多家車企驗證。
國外第三代半導體產業動態
一、政策動向
日本經濟產業省半導體設備出口管制新規公開征求意見
3月31日，日本經濟產業省（The Ministry of Economy，Trade and Industry，METI）宣布修改《外匯及對外貿易法》，擴大出口前需由經濟產業大臣事先批準的尖端芯片制造設備范圍，即日本出口商將6類（23種）芯片制造設備出口至包括美國、新加坡、中國臺灣在內的42個國家和地區時可使用一般許可，將上述芯片制造設備出口至包括中國在內的全球其他國家和地區時則受到逐案審批。該新規則于3月31日起公布并征求公眾意見，將于5月正式發布并于7月開始實施。此次針對6類23種尖端芯片制造設備增加出口管制限制措施，包括清洗設備、薄膜沉積設備、退火（熱處理）設備、光刻（曝光）設備、刻蝕（化學去除）設備、檢查設備。對此，4月3日，中國外交部發言人毛寧表示，日方曾多次在溝通中向中方表示，兩國經貿關系緊密，日方致力于推進對華合作，不會采取“去中國化”的做法。希望日方以實際行動落實上述表態，秉持客觀公正立場和市場原則，從自身長遠利益出發，維護全球產供鏈的穩定暢通，維護自由開放的國際貿易秩序，維護中日兩國和雙方企業的共同利益。毛寧指出，中國是世界上最大的半導體市場，中國集成電路進口額每年近6000億美元。中國是日本半導體產業最大的出口市場，日本每年對華出口額超過100億美元，中國市場占日本半導體設備出口份額的1/4，中日雙方迄今開展了互利共贏的合作。日方可能采取的對華出口管制，不僅將影響本地區乃至全球半導體的產業鏈供應鏈，也會讓日本企業蒙受損失。毛寧強調，希望日方慎重決策，不要給中日互信和兩國關系平添復雜因素。中方將評估日本管制政策的影響，如果日方人為對中日正常半導體產業合作設限，嚴重損害中方利益，中方不可能坐視，將堅決應對。4月28日，中國貿促會、中國國際商會發表嚴正聲明，對日方擬議措施表示堅決反對。
二、技術和產品
1、搭載SiC電驅的全新LEXUS RZ上市 日本電裝、Resonac提供技術支持
3月30日，搭載SiC電驅的全新LEXUS RZ正式在日本上市，其目標銷量為每月2700輛。這款車型背后的2家SiC技術供應商分別是日本電裝、Resonac（昭和電工改名）。此前，Resonac官網宣布開發出了第三代SiC外延片（HGE-3G），并已經開始量產，質量優于第二代SiC外延片（HGE-2G）。HGE-3G在高電流密度下具有高可靠性，將為SiC功率模塊的普及做出貢獻。3月31日，日本電裝株式會社宣布已開發出首個搭載了SiC技術的逆變器，并且該SiC逆變器已被BluE Nexus公司開發的eAxle電動驅動模塊所采用。而BluE Nexus的eAxle作為后電驅單元已經應用在雷克薩斯首款純電動汽車全新RZ上。基于SiC技術，該車開關能耗將降低72%，進一步提升功率效率。據悉，該逆變器采用了電裝獨特的溝槽柵SiC MOSFET，減少了由產生的熱量造成的功率損失，實現了高電壓和低導通電阻的運行。電裝將其SiC技術稱為“REVOSIC®”，未來將持續全面開發第三代半導體器件和模塊的產品技術。值得一提的是，電裝采用的SiC外延片由Resonac公司提供，并聯合豐田中央研發實驗室將晶體缺陷的數量減少一半，確保了該車規級SiC器件的穩定性。電裝與Resonac均表示，未來將繼續積極響應日本新能源產業技術開發機構（NEDO）綠色創新基金項目(GIF)的號召，該項目已獲得了186億日元（約9.7億人民幣）資助，旨在于2030年推出超高質量8英寸SiC晶圓。
2、意法半導體在8英寸SiC外延方面取得最新成果
意法半導體發布文獻稱在8英寸SiC外延方面取得了最新成果。據介紹，該外延使用了意法半導體自己的8英寸SiC襯底，襯底是通過多線切割，通過CMP后的厚度為500μm。實驗結果表明，意法半導體6英寸和8英寸SiC外延片的總可用面積分別為98.6%和95.8%，非常接近。同時，該8英寸外延片的表面缺陷密度、厚度以及摻雜均勻性均通過了驗證，與6英寸外延片相當。不過，三角形缺陷的數量要高得多，特別是在晶圓的邊緣，這方面還需進一步優化。這2種尺寸的外延層厚度變化都小于最大外延層厚度的5%（即小于0.3微米），摻雜均勻性分別為2.0%和1.9%。
3、ROHM SiC導入Apex Microtechnology的功率模塊系列產品
消息報道，ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”、“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外，Apex Microtechnology的功率模塊系列還采用了ROHM的柵極驅動器IC“BM60212FV-C”裸芯片，這使得高耐壓電機和電源的工作效率更高。此外，根據Apex Microtechnology委托外部機構進行的一項調查，與分立元器件組成的結構相比，使用裸芯片構建這些關鍵部件可減少67%的安裝面積。公開消息顯示，Apex Microtechnology面向工業設備、測量、醫療設備和航空航天領域設計和制造精密的功率模擬模塊。
4、Euroloop SiC充電樁獲得德國認證
4月24日外媒報道，Euroloop的Willbert Amber I型號充電樁已獲得德國認證。該制造商稱，通過使用SiC開關技術，Amber I的充電效率可達97%。根據報道，Amber I的占地面積為52 x 76厘米，有兩個連接點和液冷電纜。最大充電功率為180kW——該裝置由6個功率模塊組成，每個30kW。Euroloop是一家德國市場的直流充電解決方案供應商，成立于2021年。目前，他們正處于向法國供應首批合同的談判階段，目標是在未來幾年每年制造和交付1000多個充電站。
三、產業進展
1、企業/項目動態
（1）日立能源獲得吉利汽車多年訂單
一季度，日立能源官網宣布獲得吉利汽車的多年訂單，并將為吉利的極氪品牌提供其RoadPak™功率模塊。根據報道，RoadPak模塊有750V和1200V兩種電壓范圍，已經于2022年推出。該模塊將SiC技術與日立能源的功率半導體技術相結合，具有結構緊湊、重量輕等特點，可提供更快的充電速度、更長的駕駛里程。除與日立能源合作外，吉利還與芯聚能、羅姆等企業完成了SiC方面的簽約。
（2）韓國KANC與WaveLord公司簽署協議 促進GaN技術開發和商業化
韓媒3月28日報道，韓國高級納米技術研究所（KANC）已與專注于GaN技術的WaveLord公司簽署了一項商業協議，通過相互合作和支持戰略技術合作，促進GaN半導體的技術開發和商業化。根據協議，KANC將積極促進相關GaN專利的轉讓，以確保其市場競爭力；去年，他們支持了26項對中小企業的技術轉讓。此外，雙方將緊密合作，促進下一代半導體領域的技術開發和商業化，并升級支持系統，包括密切技術交流合作，支持使用研發設備和設施以及擴大GaN技術商業化。Waveroad近日在韓國京畿道華城完成了設備和設施的建設，以設計和制造基于GaN的功率半導體和微型LED顯示芯片，并開發和大規模生產易于集成的工程化外延片。該公司成立于2019年11月，被認為是韓國功率半導體領域有前途的早期技術創業公司，目前已吸引了30億韓元（約1600萬人民幣）的種子投資基金，2022年的銷售額為10億韓元（約533萬人民幣）。KANC院長徐光錫表示，“通過這項商業協議，我們將探索搶占汽車和功率半導體的核心技術的策略，這些技術作為下一個新的增長引擎而備受關注”。
（3）Interaction公司與長崎市合作成立開發中心 致力于低成本SiC切割
3月29日日媒報道，Interaction公司已經與日本長崎市就開發下一代半導體技術達成協議，計劃新成立一個長崎開發中心，目標是開發和商業化SiC切割設備。報道稱，該中心將于今年4月在長崎出島孵化器（D-FLAG）開業，繼續與長崎大學合作，爭取在明年年底開發產品。據Interaction公司總裁Nobuo Kiji介紹：“為了大幅降低SiC的成本，我們將開發利用溫度分布進行高效加工的設備，具體而言是通過在材料的薄膜上產生較大的局部溫差來切割材料。”據了解，Interaction公司自2009年以來一直在與長崎大學聯合研究使用新技術進行設備開發，是一家從事智能手機攝像頭傳感器檢測設備的公司，在制造和銷售半導體圖像傳感器光源設備方面擁有世界頂級份額。
（4）Revasum獲Halo后續訂單出售第二臺研磨機
3月30日，設備公司Revasum宣布向SiC襯底廠商Halo Industries出售第二臺7AF-HMG研磨機，該設備可用于支持碳SiC襯底制造和后續器件制造，例如SiC MOSFET等。據悉，Halo Industries是一家美國的SiC激光切割技術公司，計劃于2022年年底在圣克拉拉工廠將SiC晶圓切割產能提高到6000片/年，2023年底產能將達到1.2萬片/年。
（5）Aehr季度訂單創紀錄 SiC設備訂單超2億
4月3日，Aehr公布其2023財年第三季度報告，訂單預訂量創新高，達到3330萬美元（約2.3億人民幣）。其中，Aehr總裁兼首席執行官Gayn Erickson特別提及SiC設備的相關訂單，表示在SiC方面的勢頭持續增長。今年1月及3月中旬，Aehr分別收到來自同一客戶的2510萬美元（約1.7億人民幣）及670萬美元（約4600萬人民幣）的晶圓級測試和老化系統訂單——采購WaferPak™全晶圓接觸器，將在2023年8月31日完成交付發貨。
（6）美國CVD設備已獲30臺PVT設備訂單
4月3日，美國CVD設備公司公布了2022年第四季度和全年財務業績——2022年的全年收入2580萬美元（約1.8億人民幣），Q4凈收入為150萬美元。報告還披露了相關設備訂單信息：2022年Q4訂單預訂量為920萬美元（約6300萬人民幣），全年預訂量達到3310萬美元。到2022年底，訂單積壓為1780萬美元。其中，訂單中包括30臺PVT150物理氣相傳輸系統，該設備用于生長6英寸SiC晶圓，將于2023年上半年交付。
（7）采埃孚與意法半導體就SiC器件簽署多年供應協議
4月13日，采埃孚官網宣布與意法半導體就SiC器件簽署多年供應協議。根據協議，采埃孚將從2025年起，向意法半導體采購SiC器件，后者將累計提供數千萬顆SiC器件，搭載于采埃孚的新型模塊化逆變器架構中。該逆變器將在2025年投入批量生產，以供應歐洲和亞洲電動汽車領域的客戶。據此推算，以意法半導體的單顆器件價格來算，這筆交易價值超過數十億元。采埃孚透露，到2030年在電動汽車方面的訂單已超過300億歐元（約2274億人民幣），因此急切需要多家可靠的SiC設備供應商。除了意法外，采埃孚與Wolfspeed也建立了戰略合作伙伴關系。
（8）安森美與極氪簽署SiC功率器件長期供應協議
4月26日，極氪官微宣布與安森美簽署了長期供應協議，將進一步深化雙方在SiC功率器件領域的合作關系——極氪將采用安森美提供的EliteSiC功率器件。極氪將采用安森美的M3E 1200V EliteSiC MOSFET，該SiC功率器件能夠提供更高的功率和熱能效，從而減小車內主驅逆變器的尺寸與重量，并提高續航里程。4月12日，極氪第三款新產品SUV極氪X正式上市。該車擁有單電機后驅版和雙電機四驅版，因配備了高效率SiC電機，綜合效率提升了2%，續航提升了20km。據此前安森美官網消息已與寶馬汽車集團（BMW）簽署了長期供貨協議，安森美750V EliteSiC模塊將“上車”寶馬的400V電動動力傳動系統。
（9）意法半導體攜手歐陸通設立聯合開發實驗室
歐陸通與意法半導體（ST）宣布，雙方將在歐陸通子公司上海安世博及杭州云電科技兩地分別設立針對數字電源應用的聯合開發實驗室。此次，雙方合作的研發團隊將在服務器電源及新能源兩大產業應用領域進行合作。在服務器電源領域，歐陸通將結合意法半導體廣泛的芯片組合，包含主芯片控制器，功率器件（包含SiC，GaN等寬禁帶材料），模擬器件（如隔離式柵極驅動器），傳感器等等，聯合打造高效率、高功率密度的服務器數字電源解決方案。在新能源領域，歐陸通將結合意法半導體主控芯片以及SiC、GaN等創新的寬禁帶技術，打造液冷散熱型雙向逆變高功率模塊化電源產品，可支持電動汽車大型充電站、超大數據中心的儲能及逆變回饋功能，同時能夠適配多種電力電源系統控制應用場景，挑戰極限工作環境。
（10）英飛凌與天科合達、天岳先進簽訂了SiC襯底和晶錠長期協議
5月3日，英飛凌宣布與天科合達和天岳先進2家SiC襯底廠商簽訂了SiC襯底和晶錠的多年合作協議。這次公告透露3個要點：①天科合達和天岳先進主要為英飛凌供6英寸的SiC襯底，同時還將提供8英寸SiC材料，助力英飛凌向8英寸SiC晶圓的過渡；②與其他廠商不同，英飛凌的協議還包括SiC晶錠，這是因為他們曾投資近10億元，收購了一家激光冷剝離企業，未來將通過自主的激光技術提升SiC襯底的利用率，提升器件的成本競爭力；③2家企業的供應量均將占到英飛凌長期需求量的兩位數份額。為了滿足不斷增長的SiC需求，當前英飛凌正在大幅提升其馬來西亞和奧地利生產基地的產能，英飛凌位于馬來西亞居林的新工廠計劃于2024年投產，屆時將補充奧地利菲拉赫工廠的產能，以實現在2030年之前占據全球30%市場份額的目標。預計到2027年，英飛凌的SiC產能將增長10倍。
2、投資擴產
（1）三星投資8英寸SiC 金額最高超10億元
3月30日韓媒報道，三星電子正在投資一個8英寸工藝設施用于SiC-GaN的開發，并已經完成了1000億~2000億韓元（約5.3億元~10.6億元人民幣）的投資。而且，從投資規模看，除了簡單的開發外，還可能進行原型的大規模生產。根據報道，今年早些時候，三星電子還成立了一個“功率半導體部門”，該部門由三星DS部門、LED業務團隊和三星高級技術研究所組成，具體目標是開發8英寸SiC-GaN工藝。相關人士透露稱，“三星電子已經決定使用部分用于LED工藝的8英寸設備來開發SiC-GaN，以提高開發效率，三星研究所也一直在學術研討會上積極披露GaN相關技術。”據了解，GaN方面，三星電子已經參與了韓企IVWorks的多輪融資，而且IVWorks已于2021年11月完成了1740萬美元（約1.1億人民幣）C輪融資，資金將用于擴大8英寸GaN外延片產能等。
（2）采埃孚擬投資超1.94億美元在墨西哥擴建新工廠
3月31日外媒消息，采埃孚將在墨西哥華雷斯城擴建新工廠，以擴大下一代SiC逆變器的制造能力。采埃孚對新工廠計劃投資超1.94億美元（約13.4億人民幣），其中第一階段將投資1.5億美元（約10.3億人民幣）。新工廠占地面積將超過2.2萬平方米，并將為多個電動汽車OEM客戶增加和補充區域制造能力。實際上，采埃孚此次擴產SiC逆變器是為了量產其新一代電驅動產品做準備——2022年11月，采埃孚對外展示了其第二代SiC電驅動產品，并且已獲業界最大電驅訂單，金額高達250億歐元（約1843億元人民幣），還將在2025年開始向寶馬、奧迪、保時捷等潛在客戶銷售。采埃孚表示，公司將加快單個組件的量產，為完整的電驅動系統在2025年批量投放市場做準備。
（3）東洋碳素將增加碳化鉭涂層石墨產能
4月14日東洋碳素宣布將進行資本投資增加TaC（碳化鉭）涂層石墨產品的產能，以滿足SiC半導體市場的需求。據悉，東洋碳素計劃在日本大野原生產技術中心擴建TaC涂層石墨產品的生產設施，將生產能力提升至目前水平的一倍以上，投產時間預計為2025年。東洋碳素表示，TaC涂層石墨產品與SiC涂層石墨產品相比，具有更優異的耐熱性，因此它們被用于更高溫度下SiC外延生長環節，目前需求正在穩步擴大，TaC涂層石墨產品的擴產是必然之舉。
（4）NTK Ceratec將投資30億日元加碼SiC
4月19日日媒消息，日本電子和光學零件材料加工公司NTK Ceratec將開始發力功率半導體晶圓加工設備，目前新廠房正在建設中。據悉，NTK Ceratec正在持續接收SiC產品的加工訂單。為穩定訂單供應，Ceratec目前正在建設新廠房，未來還將投資約30億日元（約1.54億人民幣），用于改善生產線與提升現有業務。Ceratec成立于1987年，于2016年更名為NTK CERATEC，主要產品包括SiC多線切割機等。
（5）Disco擬投800億日元建新廠以擴大半導體設備產能
4月19日日媒消息，日本半導體設備制造廠商Disco將在未來10年內，將半導體切割和研磨設備的生產能力提高到目前水平的三倍左右。Disco計劃投資800億日元（約40.9億人民幣）在廣島縣吳市建設新工廠，計劃分三期逐步增加產能。該項目預計在年底前簽訂銷售合同，隨后開工建設。Disco表示，目前功率半導體的市場正在擴大，特別是用于電動汽車和電力領域的設備需求也在增加，因此他們即刻調整策略、擴大產能。據悉，Disco的“dicer”（晶圓切割技術）和“grinders”（研磨技術）占據全球70%至80%的市場份額，其中功率半導體領域的訂單貢獻了25%的營收，預計未來需求還將增長，例如激光切割SiC晶圓的設備。
3、資本動態
（1）JinPyeng電子收購韓國芯片制造商RFsemi
據韓媒4月3日報道，韓國芯片制造商RFsemi已出售給中國電子制造商JinPyeng電子，該公司最大的股東將由前CEO Lee Jin-hyo變更為韓國JinPyeng（JPK）。據悉，JPK將獲得RFsemi價值200億韓元（約1.05億人民幣）的新股以及管理權，新股將于5月30日發行。JPK是JinPyeng 2018年在韓國首爾成立的分公司，其最大股東是香港JinPyeng科技有限公司；而JinPyeng 成立于2003年，總部位于天津，并在2019年、2020年相繼成立陜西JinPyeng與上海JinPyeng，共同致力成為集研發、設計、制造、銷售系列化鋰離子電池及消費類電子產品量產配套的專業企業。RFsemi成立于1999年10月，公司產品包括半導體器件——ECM器件、TVS器件、LED驅動器件等，并在近兩年將業務擴展到SiC/GaN功率半導體的生產。去年9月他們與GaN Systems簽署了MOU協議，宣布共同開發GaN功率半導體產品，其中還包括GaN器件封裝技術方面的合作。除了GaN外，該公司還對外代工SiC器件，并在去年8月宣布與Yes Power Technics聯合完成1700V SiC功率半導體的開發并開始量產。
（2）Transphorm總融資約6402萬元
4月3日，Transphorm公司宣布已經與公司尚未行使的認股權證的某些持有人達成協議，通過行使這些認股權證籌集730萬美元（約合人民幣5025萬元）的資金。此外，公司于4月4日對外宣布已經簽訂了證券購買協議，以每股4美元的價格非公開發行50萬股公司的普通股，籌集200萬美元（約合人民幣1377萬元）的總收入。Transphorm是美國一家GaN功率器件生產商,致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的氮化鎵半導體功率器件。
（3）博世官宣將收購芯片制造商TSI并投資15億美元
4月26日，博世官網宣布將收購美國芯片制造商TSI半導體公司的資產，以擴大其SiC芯片業務，并加強他們的電動汽車供應鏈。根據報道，該收購案具體金額暫未對外披露，目前仍需得到美國監管部門的批準。此次收購完成后，博世未來幾年還將投資15億美元（約合人民幣104億元），升級TSI半導體在加州Roseville的生產設施，并計劃從2026年開始在8英寸晶圓上生產SiC器件。當前，博世的SiC技術已經被江鈴汽車及廣汽埃安等采用。截至目前，博世已經3次對外宣布要擴大SiC投資，累計投資金額近49億元：①2022年7月，投資約4億歐元（約27億元人民幣）用于擴大SiC產能，該投資是歐洲芯片法案的一部分，德國政府和歐盟將根據該法案提供額外資金；②2022年2月，博世再投資2.5億歐元（約18億元人民幣），進一步擴大SiC等產能，新生產設施計劃于2025年投入使用，目標產能是數億顆；③2021年10月，博世宣布，2022年將花費超過29億人民幣擴大半導體產能，其中約有5000萬歐元（約3.6億元人民幣）專門用于羅伊特林根的SiC晶圓廠。除在國外布局擴大SiC生產外，博世在中國也投資約67.4億元建設SiC項目。今年3月，博世的汽車級SiC項目舉行了奠基儀式。
