SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)，外延工藝是整個產(chǎn)業(yè)中非常關(guān)鍵的工藝，外延的質(zhì)量影響器件的性能，對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到非常關(guān)鍵的作用。碳化硅具有的耐高壓，耐高溫，高頻能力的優(yōu)勢，非常有利于降低能量損耗，國內(nèi)外半導體巨頭都在碳化硅的研發(fā)上不斷加碼，全球市場中，國外企業(yè)頗具優(yōu)勢，國內(nèi)企業(yè)也在不斷進步。

2023年5月5-7日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術(shù)發(fā)展論壇”在長沙召開。論壇在第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導下，由極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國電子科技集團第四十八研究所等單位聯(lián)合組織。論壇圍繞“碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導體”，邀請產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高校科研院所代表深入研討，攜手促進國內(nèi)碳化硅及其他半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

期間，在“碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”分論壇上，杭州海乾半導體有限公司董事長分享了碳化硅外延核心技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應用的最新進展。

報告介紹了碳化硅外延環(huán)節(jié)，以及碳化硅外延工藝的核心技術(shù)，依托海乾外延團隊在行業(yè)內(nèi)多年的經(jīng)驗積累，分享了當前本土化生產(chǎn)線的外延工藝開發(fā)過程，包括國產(chǎn)外延設備、國產(chǎn)檢測設備及國產(chǎn)襯底原材料的使用效果。報告指出，本土化生產(chǎn)線的實際使用效果可以達到優(yōu)于海外進口設備的常規(guī)水平，建議碳化硅外延生產(chǎn)線的本土化也勢在必行。

孔令沂表示，海乾半導體致力與上下游努力配合，做好外延環(huán)節(jié)的一些工作，助力本土化碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈以優(yōu)秀的成果，共同推動國內(nèi)碳化硅行業(yè)長期發(fā)展。

嘉賓簡介

孔令沂，博士，杭州海乾半導體有限公司董事長，山東大學新一代半導體材料研究院 研究員。在第三代半導體外延領域，具有17年的研究和工作經(jīng)驗，曾任職于德國AIXTRON及天域半導體科技有限公司。研究成果共發(fā)表SCI論文19篇，EI論文5篇，獲發(fā)明專利授權(quán)6項，實用新型專利授權(quán)7項。