寬禁帶所簡介
復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所（以下簡稱“寬禁帶所”）由復旦大學寧波研究院聯合復旦大學工程與應用技術研究院共同組建，聚焦SiC功率半導體材料缺陷表征、器件設計、器件制造工藝、封裝工藝開發等主要方向，以市場需求為導向，技術創新研發為動力，高端人才培養為支撐，采用政府引導、高校支撐、企業聯合研發、全產業鏈協同的政產學研相結合的模式，重點突破SiC材料與器件關鍵共性技術及先進制造工藝，聯合上下游建立虛擬IDM模式，為寧波SiC優勢產業集群的形成提供強有力支撐。
寬禁帶所建設總投入約4.6億元，主要用于器件工藝研發與中試線、先進封裝研發線、測試及可靠性平臺的設備采購、能力建設和日常運營管理等。接下來將按照國家級和省級重點實驗室標準，加快建設面向前瞻研究與成果轉化、具備國際領先水平的碳化硅半導體材料與器件高水平研發平臺，力爭成為國家級碳化硅半導體技術研發中心，打造寧波“碳化硅谷”。
招聘需求
一、博士后研究人員
復旦大學寧波研究院于2022年建立博士后科研工作站，自建站以來有力地推動了研究院與高校及地方政府的合作交流，促進產學研緊密結合。博士后工作站已成為研究院高層次人才引進、培養和科技創新的重要平臺。
招聘對象：
國內外高校優秀博士研究生，年齡在35周歲以內，須全職從事博士后研究工作。
專業領域：
1）寬禁帶半導體材料生長與缺陷表征技術；
2）寬禁帶半導體功率器件設計、先進制造工藝及器件可靠性評價；
3）超寬禁帶半導體材料、器件及工藝研究；
4）高頻高功率先進封裝技術與可靠性測試。
二、技術類崗位
▌1、工藝崗位
工藝工程經理、光刻工藝工程師、刻蝕工藝工程師、注入工藝工程師、氧化/退火工藝工程師、淀積工藝工程師、清洗/腐蝕工藝工程師、中測工藝工程師
崗位職責：
1）基于平臺的產品，進行工藝調試，并策劃滿足開發產品所需工藝菜單；
2）實現工藝異常調查與處理、現場工藝日常維護及SPC日常監控管理；
3）進行新工藝開發和工藝優化，完成工藝驗證報告、開發報告、異常報告和SPC分析報告的整合與處理；
4）制定工藝規范文件，對相應設備操作人員進行技能培訓；
5）參與團隊的課題和項目，完成相應的工藝開發和器件流片實驗；
6）協助團隊完成其他工作。
任職要求：
1）全日制本科及以上學歷，微電子、物理、材料、化工等相關專業；
2）行業工作經驗2年及以上，具備功率器件行業經驗者優先，技能、經驗優秀者不限制專業；
3）了解晶圓制造工藝，有較強的統計和分析能力，能適應潔凈室工作環境，能適應團隊合作工作，工作認真勤懇、能吃苦耐勞，具有項目管理能力，強烈的學習意愿，熟練使用辦公軟件。
▌2、設備崗位
光刻/刻蝕設備工程師、減薄/劃片設備工程師、清洗設備工程師
崗位職責：
1）基于平臺的新機臺（設備）進行工藝調試，配合工藝工程師進行工藝開發；
2）設備異常調查與處理、現場工藝日常維護及SPC日常監控管理；
3）持續改進設備利用率，獨立完成設備驗收報告，異常報告和SPC分析報告；
4）制定設備規范文件，對相應設備助理工程師與操作人員進行技能培訓；
5）參與團隊的課題和項目，為新課題項目研發提供滿足需要的設備；
6）協助團隊完成其他工作。
任職要求：
1）全日制本科及以上學歷，微電子、物理、材料、化工等相關專業；
2）行業工作經驗2年及以上，具備功率器件行業經驗者優先，技能、經驗優秀者不限制專業；
3）了解晶圓制造設備，有較強的統計和分析能力，能適應潔凈室工作環境，能帶領團隊合作工作，工作認真勤懇、能吃苦耐勞，具有項目管理能力，強烈的學習意愿，熟練使用辦公軟件。
▌3、廠務工程師
崗位職責：
1）基于平臺的動力新機臺（設備）進行調試，配合凈化廠房要求完成設備正常運行；
2）動力設備異常調查與處理、現場工藝日常維護及SPC日常監控管理；
3）持續改進動力設備利用率，獨立完成設備驗收報告，異常報告和SPC分析報告；
4）制定動力設備規范文件，對相應設備助理工程師與操作人員進行技能培訓；
5）協助動力團隊負責人，配合團隊完成相關動力工作。
任職要求：
1）全日制本科及以上學歷，半導體、微電子、電氣工程、物理、化學或相關專業；
2）了解晶圓制造工藝，有較強的統計和分析能力，能適應潔凈室工作環境，能適應團隊合作工作，工作認真勤懇、能吃苦耐勞，具有項目管理能力，強烈的學習意愿，熟練使用辦公軟件。
▌4、IT工程師
崗位職責：
1）負責信息化系統維護管理，如服務器Windows系統、工作站Linux系統的管理和機房管理等；
2）參與相關系統的開發和維護，并依據業務發展需要，提出IT系統優化方案，協調各部門支持解決；
3）負責網絡與信息安全體系建設，確保信息安全，如數據備份、病毒的查殺，維護網絡系統安全，做好系統安全評估與加固；
4）負責辦公設備選型、安裝調試、維護及管理，如電腦及周邊設備、辦公門禁、會議系統的技術支持及運維工作。
任職要求：
1）全日制本科及以上學歷，計算機及相關專業，具備基礎英文讀寫能力；
2）3年以上相關工作經驗，了解ITIL工作流程和內容，具有服務器管理、機房管理以及網絡設備配置的基本知識，比如局域網配置、網絡管理及網絡故障的排除；
3）熟悉Windows、Linux系統及相關硬件的基本知識，熟悉VPN、AC、路由器、交換機等網絡設備的設置與管理；
4）具有半導體設備軟件安裝和維護經驗、硬件設備操作系統使用經驗者優先。
三、職能類崗位
▌1、資產管理經理
崗位職責：
1）協助優化單位資產管理相關制度及操作規范，包括固定資產和無形資產的構建、保管、修理、處置、報廢、核算等方面的程序和制度，為資產的安全性和效益性提出建議，同時編制相關宣傳資料，組織培訓、宣導并推進落實，加強全員資產管理意識；
2）實施固定資產業務的全流程監控，不斷健全資產管理組織架構和考核指標，定期組織清理資產的不合理閑置、退庫、報廢，編制資產管理分析報告，查找資產管理問題并及時解決，同時匯報給上級；
3）組織單位資產年中、年尾的清查和盤點工作，健全相關資產臺賬，組織并監督資產的入庫、驗收、造冊、變更工作，確保賬物相符，并配合內外審計工作；
4）負責推動資產管理信息化建設工作；
5）審核年度資產采購計劃、組織落實采購任務。
任職要求：
1）全日制本科及以上學歷，理工科或財經類相關專業；
2）具有3年以上資產管理經驗，具有資產管理體系搭建和信息化管理經驗者優先；
3）熟悉財務資產專業知識，掌握資產管理必要的工具、方法；
4）品行端正，工作嚴謹，具有較強的組織、溝通和協調能力，較強的執行力和責任感。
▌2、安全工程師
崗位職責：
1）熟悉安全、環保相關法律法規，制訂相關管理制度；編制年度安全、環保工作計劃，并組織監督實施相關管理方案；
2）做好危險因素、環境因素的辨識、評價；負責對重要安全、重要環境崗位的設置與審核；
3）組織開展各項安全活動，協助和督促各部門執行安全制度，檢查隱患整改工作，以符合安全、環保體系要求和事故防范要求；
4）參與新、改、擴建等項目的安全、環保、消防、職業衛生等“三同時”審批手續；
5）會同培訓員組織開展單位員工的各類安全、環保培訓教育工作，落實三級安全教育；
6）負責安保經費的控制使用、公司內限用物質的審批、勞防用品的選型、危害廢棄物的處理等工作；
7）了解重點區域、部位、設備，設計工藝的安全、環保設施和措施，參與處理各類事故、事件，做好相應檔案、資料的管理；組織體系內審、管理評審工作，提出改進意見，并跟蹤相關問題整改。
任職要求：
1）全日制本科及以上學歷，安全、化工、環境等相關專業；
2）具有3年以上相關工作經驗，熟悉相關法律法規；
3）有注冊安全工程師（化工類）證書者優先考慮。
薪酬及福利待遇
1、薪酬面議，整體參照國內一流科研機構水平及國內一線高技術企業水平；
2、開放的高?？蒲?、人才、項目資源，強大的自有研發平臺及創新載體支撐；
3、廣闊的職業發展空間和晉升通道，完善的績效獎勵機制；
4、高標準繳納五險一金（含補充商業險）；
5、雙休工作制，提供員工宿舍、帶薪年假、健康體檢等；
6、享受當地政府人才政策，協助高層次人才申報住房補貼、解決子女入學等問題。
應聘程序
1、應聘博士后研究人員請將個人簡歷發至huangjuanjuan@fudannb.com（黃老師），郵件主題請注明“應聘博士后-研究方向-姓名”。
研究院將對應聘者簡歷進行初篩，并推薦合作導師，對滿足申請條件與研究需要的應聘者通知面試，面試通過后進行背調與資格審查，經研究院最終批準后，通知應聘者提交進站申請和正式書面材料。未通過者，不再另行通知。
聯系人：黃老師
聯系方式：0574-82350319
2、應聘其他崗位者請將個人簡歷發至郵箱hr-rifun@fudannb.com，郵件主題請注明 “應聘崗位-姓名”。
我單位承諾對應聘者提交的所有材料嚴格保密。應聘者須對提供的所有材料的真實性負責。
聯系人：楊老師
聯系方式：0574-82350317
所長寄語
張清純
復旦大學特聘教授
復旦大學寧波研究院寬禁帶所所長
寬禁帶半導體即第三代半導體（SiC和GaN）是支撐新能源汽車、高速列車、能源互聯網、新一代移動通信等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件，契合節能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求，被列為國家科技創新2030重大項目“重點新材料研發及應用”重要方向之一。我國在第三代半導體應用領域有戰略優勢，有機會實現核心技術突破和產業戰略引領，在國際競爭中搶占先機，重塑全球新興半導體產業格局。
碳化硅(SiC)作為新興的第三代半導體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導率等優異性能，是第三代半導體的主要方向，成為繼以Si、Ge等材料為主的第一代半導體以及GaAs、InP等化合物材料為主的第二代半導體后的又一重要突破，已在光電子、功率、微波等方向得到廣泛應用。
我的職業生涯親歷了SiC半導體材料從萌芽到產業化，見證了SiC器件從小眾到主流的整個歷程，積極參與和推動了SiC半導體技術的發展。技術進步沒有止境，SiC半導體材料和器件的不斷迭代仍需要從根本上研究解決諸如材料生長與缺陷形成機制、MOS溝道遷移率、器件及系統可靠性等重大基礎科學問題，亟需發展創新關鍵技術、形成自主知識產權，為SiC半導體產業的快速發展、技術升級提供有力支撐和保障。
熱忱歡迎有志于從事第三代半導體材料、器件、封裝與應用的青年才俊加入研究院團隊，共同推動寬禁帶半導體技術發展！
（來源：復旦大學寧波研究院）
