一、政策及市場動向

1、甘肅武威“2023年政府工作報告”重點提及碳化硅等材料產業轉型升級

3月1日，甘肅省武威市人民政府官網對外發布“2023年政府工作報告”，其中提到“要加快碳化硅等材料產業轉型升級，并計劃在2023年實施3萬片碳化硅襯底等項目”。

2、國產碳化硅功率芯片打入了日本市場

3月9日，據日本媒體消息，我國碳化硅打入了日本市場——Japan Power Device（JPD）公司將從3月開始銷售我國制造的碳化硅功率芯片。國產SiC將被以JPD品牌在日本銷售，并由JPD公司提供技術支持和質量控制體系。關于為何要銷售中國的SiC器件，JPD給出了2個原因：一方面是因為日本SiC半導體制造商很少出售芯片，采購中國SiC可緩解日本功率模塊等供應鏈下游企業對SiC芯片的需求；另一方面，主要是由于中國SiC產品價格較為低廉。據悉，JPD將從3家中國企業中采購SiC器件，產品包括650V、1200V的SiC SBD和SiC MOSFET，采用TO220和TO247封裝形式，樣品將于3月開始出貨。JPD還透露，他們將聯合一家日本的封裝測試(OSAT)公司，在4月左右為每個芯片準備完整的測試。

3、更多地鐵線路搭載碳化硅技術

3月23日，據“中國城市軌道交通協會”官微報道，受西安地鐵與中車永濟委托，經中國城市軌道交通協會批準，“西安地鐵1號線三期碳化硅永磁牽引系統設計方案”評審會已由中國城市軌道交通協會技術裝備專業委員會于3月15日在西安組織召開。會上，經專家組討論，一致通過項目研制的碳化硅永磁牽引系統設計方案，建議前期試驗穩定后開展一列車碳化硅永磁牽引系統的裝車和試驗。據公開消息，截至目前，國內已知的9條地鐵線路已經搭載碳化硅技術，分別位于西安、廣州、珠海、武漢、上海、蘇州以及深圳等地。為地鐵提供碳化硅技術的均為中國中車集團旗下的控股子公司。

4、碳化硅技術在國內外多家車企加速上車

繼一、二月份特斯拉、比亞迪、阿爾特、極氪、奔馳、起亞、一汽紅旗、吉利、大眾、捷尼賽思、現代、瑪莎拉蒂、雷克薩斯、奧迪上車碳化硅，三月份車企表現持續積極：

3月份，邁凱倫表示，其800V逆變器將搭載意法半導體的SiC模塊。目前，邁凱倫的800V碳化硅逆變器已成功“上車”美國混合動力跑車品牌Czinger。

3月7日，安森美表示已與寶馬汽車集團（BMW）簽署了長期供貨協議，安森美750V EliteSiC模塊將“上車”寶馬的400V電動動力傳動系統。

3月9日，日產汽車宣布已經開發出新一代電動動力總成“X-in-1”原型機，采用SiC技術，以及“無稀土”電機，預計到2026年電驅生產成本將降低30%。

3月15日，路虎攬勝宣布采用Wolfspeed碳化硅技術，預計將于2024年底推出。

3月中旬，小鵬G6已在工信部申報，有望于4月上海車展首發亮相。據悉，該車將搭載800V碳化硅高壓電驅平臺，預計滿電狀態續航可達600km+。

3月24日，“江鈴汽車”官微發文稱富山智能工廠（位于江西南昌）首批100臺江鈴E路達純電輕卡正式下線，這意味著江鈴E路達進入量產階段。值得注意的是，E路達攜手博世，全球首發SiC多合一控制器技術。

二、技術和產品

1、紅米300W GaN快充刷新手機快充記錄

2月28日，雷軍公眾號公開了一款名為“300瓦神仙秒充”的GaN充電器，5分鐘充滿100%電，刷新手機快充記錄。據悉，該快充基于Redmi Note 12探索版魔改而來，采用了定制的6:2電荷泵芯片，芯片最高轉換效率高達98%，多顆電荷泵并聯后直接給電池充電，實現了300瓦超大功率。此外，它還搭載了第四代GaN集成化方案，功率高、體積小、發熱低，效率也更高。在功率大漲43%的情況下，其體積與小米上一代210瓦充電器完全相同，功率密度達到2.31W/cm³。

2、廣汽埃安宣布900V碳化硅電驅技術取得突破性進展

近日，廣汽埃安官方正式發布了全新一代電驅技術群——夸克電驅，該動力系統最核心的技術之一是900V碳化硅功率模塊，能夠以最小的體積迸發出最大的功率。廣汽埃安表示，900V碳化硅技術結合全銀精準低溫燒結工藝，使SiC模塊回路雜感降低50%以上，熱阻降低約25%，芯片流通能力提升10%以上，功率循環壽命提升約10%。而結合SiC芯片驅動與保護，助力夸克電驅實現最高滿功率工作電壓900V，峰值功率高達320kW，最高效率超99.8%。

3、臺灣中山大學晶體研究中心生長出6英寸導電型4H SiC單晶

3月6日，臺灣導報發文稱，中國臺灣省國立中山大學晶體研究中心已經成功生長出6英寸導電型4H碳化硅單晶。該大學的材料與光電科學學系教授兼國際長周明奇指出，6英寸導電型碳化硅單晶的中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長速度達到370μm/hr。而目前臺灣企業的生長速度約在150-200μm/hr之間，晶體穩定性與良率仍有待提升。周明奇強調，目前團隊已投入8英寸導電型碳化硅生長設備研發設計，今年將持續推進碳化硅晶體生長核心技術，也正在打造高真空環境，研發生長半絕緣碳化硅。

4、盛新材料成功產出臺灣首片8英寸SiC襯底

3月14日，據中國臺灣媒體爆料，盛新材料已經成功產出臺灣首片8英寸SiC襯底。盛新材料董事長謝明凱表示，這是臺灣成功試產的首爐8英寸SiC，由于臺灣SiC供應鏈在8英寸仍未成熟，包括沒有8英寸的SiC切晶、晶圓廠及元件等產能，所以此次是由臺灣以外的伙伴完成首片8英寸襯底。2023年，盛新材料規劃65臺SiC長晶爐——廣運自制50臺、日本設備10臺、美國5臺。該公司稱，在所有長晶爐全數啟動的假設下，期望良率達70%。

5、廈門大學成功實現8英寸SiC同質外延生長

廈門大學成功實現了8英寸碳化硅同質外延生長，成為國內首家擁有并實現該項技術的機構；同時標志著我國已掌握8英寸碳化硅外延生長的相關技術。據悉，該外延層厚度為12um，厚度不均勻性為2.3%；摻雜濃度為8.4×10¹?cmˉ³，摻雜濃度不均勻性＜7.5%；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜0.5cmˉ²。廈門大學科研團隊負責人表示，該技術的實現是廈門大學與瀚天天成等單位產學研合作的成果，通過克服了8英寸襯底應力更大、更易開裂、外延層厚度均勻性更難控制等問題，成功實現了基于國產襯底的碳化硅同質外延生長。值得一提的是，瀚天天成一直致力于研發生產SiC外延片，其“6-8英寸SiC外延晶片研發與產業化項目”被列為廈門市2023年重點項目之一。

6、萬年芯微電子推出首款SiC MOSFET技術的PIM模塊

最近，江西萬年芯微電子有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技術的PIM模塊，實現了對硅基IGBT芯片的模塊替代，在系統損耗方面降低了三分之一。與此同時，這款產品在技術上突破傳統PIM模塊灌封封裝模式，模塊體積減少約57％，而且使用了萬年芯自主研發的10項工藝創新，模塊可靠性得到大幅提升，非常適用于新能源汽車、充電樁、儲能等新興領域。所謂功率集成模塊（PIM）是一個行業標準外殼，內部通常會將功率器件（IGBT、SiC MOSFET）、二極管、檢測電阻等其它元器件集成在一起，這種單個封裝可大幅減少生產裝配時間和器件數量，能夠降低系統成本和尺寸。

7、國星光電SiC-SBD通過車規級認證

近日，國星光電開發的1200V/10A SiC-SBD器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規級認證。這標志著國星光電第三代半導體功率器件產品從工業領域向新能源汽車領域邁出堅實步伐。通過認證的國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式，在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環境下驗證，仍能保持正常穩定的工作狀態，可更好地適應復雜多變的車載應用環境，具備高度的可靠性、安全性和穩定性。

8、連城數控首次研制的液相法碳化硅長晶爐順利下線

液相SiC長晶技術具有多個優勢，包括晶體質量高、成本低、易擴徑、易實現穩定的p型摻雜等，近年來受到高度關注。3月21日，連城數控官微發文稱，該公司半導體晶體事業部首次研制的液相法碳化硅長晶爐順利下線，經檢驗各項性能達到預期目標。公告還表示，連城數控今年一季度中標某重點客戶190臺碳化硅感應爐。

三、產業進展

1、企業/項目動態

（1）博康半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目開工

3月6日，博康半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目在浙江嘉興經開區舉行正式開工，總投資約6億元，占地面積46667平方米，其中一期用地約33200平方米，預計年產3000片氮化鎵射頻功率芯片。

（2）山東加睿晶欣年產10萬片2英寸氮化鎵單晶襯底項目環評表公示

3月13日，濟寧國家高新技術產業開發區公示了山東加睿晶欣年產10萬片2英寸氮化鎵單晶襯底項目環評表。該GaN項目于2019年3月開工建設，總投資15億元，總建筑面積10.1萬平米，建設涵蓋生產車間、研發中心、檢測等全系列產業鏈的標準化園區。根據公告，該項目一期將購置晶體生長爐、大型多線切割機、自動倒角機等先進設備266臺（套），形成長晶、切割、拋光、激光剝離等全鏈條生產線，年生產2英寸氮化鎵單晶襯底10萬片。

（3）博格華納碳化硅模塊項目啟用

3月14日，博格華納PDS蘇州研發中心暨二期廠房正式啟用，預計投產后將年產180萬臺功率電子控制單元。報道稱，博格華納研發中心將專注于電力電子、逆變器和DC/DC轉換器等產品的全方位設計，并結合本土Viper功率模塊 (硅基IGBT模塊和碳化硅基MOSFET模塊）測試的開發，成為全球第二大Viper生產基地。據悉，博格華納二期廠房及研發中心總建筑面積2.2萬平方米，包含一幢可容納450名員工的四層研發中心大樓和一幢二層生產車間。

（4）愛仕特與臺灣漢磊達成多方面重要合作

3月15日，臺灣漢磊集團董事長徐建華到訪深圳愛仕特科技有限公司，雙方在以下方面達成重要合作：基于雙方2022年已簽署的LTA協議，漢磊將重點考慮滿足愛仕特的代工產能需求；1700V和3300V SiC MOS的量產準備；共同合作開發SiC MOS trench工藝技術；共同合作開發SiC MOS 8英寸工藝技術。

（5）揚帆半導體“年產碳化硅襯底材料3萬片項目”環評表對外公布

近日，揚帆半導體“年產碳化硅襯底材料3萬片項目”環評表對外公布。根據報告，揚帆半導體擬投資7000萬元新建該碳化硅項目，占地面積1500平方米。早在2022年11月，蘇州市吳江區人民政府發布了該碳化硅項目備案證，并提到項目將于2023年開工，擬購置切割機、研磨機、雙面拋光機等各類生產、檢測及輔助設備37臺（套），預計建成后將年產碳化硅襯底材料3萬片。

（6）中核紀元之光碳化硅材料生產廠房及配套工程建設項目即將開建

3月16日，中國核工業集團電子采購平臺對外公示了“中核紀元之光碳化硅材料生產廠房及配套工程建設項目”的中標候選人，投標報價約為1456萬元或1633萬元。今年2月，該平臺還發布了該碳化硅項目建設的招標公告。根據公告，該碳化硅項目位于陜西省延安市安塞區工業園區內，建筑面積總計4569平方米，計劃施工總工期為365天。該項目主要生產的產品為碳化硅單晶材料，產能規劃為15000片/年，配套碳化硅單晶生長爐50 臺套（先期20臺套，后續30臺套），將提供N型碳化硅材料。消息報道，中電科2所未來將為該項目提供技術支持，并與中核匯能公司、陜西紀元之光新能源有限公司等共同推進SiC產業落地。此前，2022年12月，中電科2所官微發文稱，安塞區SiC襯底生產項目由中核匯能公司引入，陜西紀元之光新能源有限公司投資、建設、運營。

（7）總投資達80億元的天域半導體建設項目在東莞動工

3月17日，總投資達80億元的天域半導體總部、生產制造中心和研發中心建設項目在東莞市動工，建成后將用于生產6英寸、8英寸碳化硅外延晶片，預計年產能120萬片。

（8）廣東光大第三代半導體科研制造中心1區項目動工

3月17日，廣東光大第三代半導體科研制造中心1區（松山湖）項目動工。該項目由東莞市中晶松湖半導體科技有限公司、東莞市中鎵半導體科技有限公司投資44億元，占地面積約202畝，建筑面積約19萬平方米，建成后主要生產制造2-4英寸氮化鎵襯底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件、4英寸Mini LED外延芯片。

（9）中國中車中低壓功率器件產業化項目開工

3月18日，一期投資59億元的中國中車中低壓功率器件產業化項目在宜興經開區開工。此次開工的中國中車中低壓功率器件產業化項目投資體量大、科技含量高，項目一期投資59億元，產品主要用于新能源汽車領域，預計明年全面投入量產，達產后可新增年產36萬片中低壓組件基材的生產能力，滿足每年300萬臺新能源汽車或300GW新能源發電裝機需求。

（10）世紀金光北京6英寸碳化硅晶圓線將升級改造

3月20日，世紀金光官微發布消息稱，其北京的6英寸碳化硅晶圓線將升級改造，并對外發布相關采購需求。此次項目有設備升級改造、設備二次配等需求，其中設備類需求達36臺套，承建方須有碳化硅設備升級加改造經驗。

（11）聯合電子碳化硅模塊項目今年6月竣工

3月20日，聯合汽車電子太倉分公司二期項目已經全面封頂，目前正處于內部機電安裝階段，生產設備也在同步調試中，預計今年6月底竣工交付。報道稱，太倉聯電新能源汽車動力總成項目位于高新區，是由聯合汽車電子有限公司總投資50.5億元建設，總占地面積147畝，分為二期和三期廠房建設。其中，二期廠房于2022年7月開工，計劃將于今年7月投產，總建筑面積約2.2萬平方米，規劃布置2條電機線、1條電橋線以及3條碳化硅功率模塊生產線。二期項目達產后，聯電太倉分公司預計可年產汽車驅動電機120萬件、汽車驅動電橋60萬件、汽車功率模塊270萬件。

（12）颶芯科技國內首條GaN激光器芯片量產線投產

3月22日，颶芯科技的氮化鎵半導體激光器芯片量產線投產發布會在柳州市舉行，柳州市市長張壯出席發布會并宣布產線正式投產。氮化鎵半導體激光器目前覆蓋近紫外（375nm）至綠光（532nm）的波長范圍，廣泛的應用于激光曝光、激光顯示、激光焊接、激光照明、激光指示等重要領域。由于技術門檻較高，只有國際極少數頂尖企業掌握該芯片的生產制造技術。經過兩年多的不懈努力，颶芯科技（hurricanechip.com）建成了國內首條氮化鎵半導體激光器芯片量產線，產線包含8大工藝站點，擁有全球領先的半導體量產設備100余臺，涵蓋襯底、外延、工藝與封測等各生產環節。颶芯科技技術團隊來源于北京大學。

（13）博世近68億汽車級碳化硅項目奠基開工

3月25日，博世新能源汽車核心部件及自動駕駛研發制造基地在蘇州工業園區奠基。博世計劃在未來幾年內累計向“博世新能源汽車核心部件及自動駕駛研發制造基地”投資約70億人民幣（約10億美元），以擴大在華布局，進一步提升博世在電動智能出行領域的本土研發和制造實力。項目全部建成后計容面積超過30萬平方米，其中一期工程建筑面積超7萬平方米，共有四棟建筑，包括66000平方米的生產制造車間、3200平方米的能源中心、400平方米的倉庫及1700平方米的安防保障區，預計于2024年年中竣工。

（14）安徽西電蕪湖研究院舉辦寬禁帶半導體器件試制線通線儀式

3月25日，安徽西電蕪湖研究院舉辦了寬禁帶半導體器件試制線通線儀式，該項目建成后，將具備4-6英寸碳化硅、6-8英寸氮化鎵外延材料生長到器件研制的全套工藝流程能力。

（15）清華大學蘇州汽車研究院和至信微電子簽約共建“碳化硅聯合研發中心”

3月25日，清華大學蘇州汽車研究院宣布和深圳市至信微電子在蘇州吳江區正式簽約共建“碳化硅聯合研發中心”，旨在推動SiC技術在汽車電子領域的研究和運用，加速SiC在新能源車產線前端應用的落地與定制開發。據悉，雙方將利用各自領域內的尖端技術和資源，致力把研發中心建成國內一流的碳化硅芯片及其功率模組等技術創新研發平臺、科技成果轉化平臺、碳化硅創新企業孵化平臺、碳化硅技術服務平臺和碳化硅專業人才培養平臺。

（16）泰科天潤北京總部項目舉行開工奠基儀式

3月27日，泰科天潤的北京總部項目舉行了開工奠基儀式。該項目規劃建筑面積4.6萬平米，項目建成后，泰科天潤將整體遷入中關村順義園三代半產業基地內。2022年8月，泰科天潤競得北京市順義區1塊工業用地，用于擴大位于北京生產基地的碳化硅產能——計劃建設辦公研發總部基地及6-8英寸碳化硅功率器件生產基地。

（17）寶士曼半導體實驗室順利完成第一個客戶項目

3月27日，寶士曼半導體官微宣布，其實驗室已于近日順利完成第一個客戶項目，包含貼片與燒結工藝，實現了蘇州寶士曼工程服務由0到1的突破。報道稱，蘇州寶士曼工程中心實驗室已于2022年11月正式揭幕，復刻歐洲技術，聚焦功率半導體領域，為國內模塊廠商、新能源車企拉通先進封裝的工藝流程提供完整解決方案。目前，該實驗室已具備獨立承接項目的能力，幫助客戶從設計、打樣到小批量量產。此外，今年2月“寶士曼集成電路專用設備項目”被列入《2023年江蘇省重大項目清單》。據悉，該項目位于蘇州吳中高新區，占地面積50畝，建筑面積約7.5萬平方米，總投資10億元，年度計劃投資3億元。項目建成后用于第三代半導體及集成電路專用設備的研發生產，將加速助推寶士曼研發和生產裝配能力在蘇州落地。項目達產后將實現年產半導體封裝設備250套，預計產值8.5億元，稅收7000萬元。

（18）盛美上海獲國內SiC襯底制造商訂單

3月28日，消息透露，盛美上海首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。該采購訂單來自一家中國碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末之前發貨。目前，該公司推出的 CMP 后清洗設備可用于高質量硅襯底及碳化硅襯底的制造。

2、投資擴產

（1）總投資5.3億元 深圳華芯邦碳化硅芯片封裝項目簽約

2月28日，聊城高新區官微發文稱，深圳市華芯邦科技有限公司的碳化硅芯片封裝項目成功簽約并落戶山東聊城高新區，項目投資金額為5.3億元。目前，華芯邦自主研發的SiC電源芯片已經成功打破國外壟斷，效能等參數均處于行業領先水平，產品可批量應用在儲能系統、光伏儲能系統、新能源車系統等領域。華芯邦成立于2008年12月，是fab-lite模式數模混合芯片科技企業，目前已經在半導體芯片領域實現多元化產品布局，包括 PMIC芯片、MCU芯片、MEMS芯片等。

（2）總投資25億元 碳化硅半導體產業基地項目簽約

3月3日，山東省東營市河口區人民政府與高金富恒集團在廣州舉行了“碳化硅半導體產業基地項目”簽約儀式，項目總投資25億元，將年產6英寸碳化硅導電片36萬片，項目將在本月開工建設。

（3）總投資4.2億元 華凱科技建SiC封裝項目

3月13日，江門臺官網發文稱，華凱科技目前正在建設一個新項目，該項目占地24000平米，未來將成為華南地區重要的碳化硅和集成電路生產基地。根據華凱科技總經理兼高級工程師李衛國介紹，該項目將分兩期進行，第一期投資1.6億，目標達到年產量40億只；第二期投資2.6個億，重點在碳化硅、功率器件、IGBT模塊、新能源應用方面發展，兩期投資完成之后，年產量將達到70億只。

（4）碳化硅器件應用制造項目落戶徐州高新區

3月20日，2023徐州（北京）投資洽談會在北京舉行。會上，共有10個項目簽約落戶銅山區（徐州高新區），其中包括一個碳化硅器件應用制造項目。根據報道，該碳化硅器件應用制造項目主要建設碳化硅模組產品制造基地，預計2027年全面達產，滿產年產值達9億元。

（5）總投資10.59億元 通科半導體芯片封裝測試產業項目奠基動工

3月24日，佛山市三水區云東海街道舉行了2023年重點項目簽約暨動竣工儀式，其中包括通科半導體芯片封裝測試產業項目奠基動工。該項目投資額達10.59億元，主要從事半導體分立器件研發及制造，生產全系列功率器件與集成電路，還將專注于功率半導體器件與集成電路、MCU、車規級碳化硅、GaN等SiP封裝高端產品領域。

（6）平煤神馬與平發集團投資7億元生產碳化硅高純粉體

3月24日，據河南平頂山政府消息，中國平煤神馬控股集團與平頂山發展投資控股集團成立合資公司簽約儀式于23日在市黨政綜合辦公大樓舉行。據悉，中國平煤神馬和平發集團于今年年初共同出資，建設年產1000噸碳化硅高純粉體項目。項目公司名稱為河南中宜創芯發展有限公司，總投資7億元，項目建成后產能將達全國第一、國內市場占有率達到30%以上、全球市場占有率達到10%以上。

（7）總投資2.5億元 合盛硅業上海研發中心在南翔動工

3月27日，合盛硅業上海研發中心在南翔動工，預計全部建成后將著力研發碳化硅長晶技術和有機硅材料高端產品；該項目總投資為2.5億元，計劃2024年底竣工，達產后年產值約為7.1億元。

3、資本動態

（1）瞻芯電子完成數億元B輪融資

2月28日，據瞻芯電子官微消息已完成數億元B輪融資。據悉，本輪融資由國方創新領投，國中資本、臨港新片區基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本等眾多機構跟投，老股東臨芯投資、光速中國、廣發信德持續追加。融資資金將進一步用于SiC領域。領頭機構國方創新表示，瞻芯電子旗下碳化硅MOSFET、SBD、驅動IC三大產品均已完成車規級認證，獲得多家下游行業龍頭認可和大規模應用，2022年自主建設的SiC晶圓廠已建成投產，成為了國內極少數具備SiC MOSFET IDM能力的功率半導體整體解決方案商，這是尤其值得關注的。公開數據顯示，他們的SiC MOSFET累計量產出貨逾310萬顆。

（2）利普思完成超億元Pre-B輪融資

3月17日，利普思半導體官微發文稱已經完成了Pre-B輪融資，金額超億元人民幣，由和高資本領投，上海瀛嘉匯及老股東聯新資本跟投。報道稱，利普思半導體本輪融資資金將主要用于公司在無錫和日本工廠產能的提升，擴大研發團隊，以及現金流儲備。同時，該公司還計劃在國內建立一個百萬級IGBT和SiC模塊的生產基地，產能預計將實現十倍增長，預計于明年年底投產。利普思半導體聯合創始人、COO丁烜明表示，經過本次Pre-B輪融資，到今年6月份，公司位于日本的工廠產能將達到30萬只/年，而無錫工廠在覆蓋SiC模塊生產和測試的同時，也兼顧車規級IGBT模塊，產能將達到90萬只/年。

（3）中科意創完成了數千萬元人民幣A+輪融資

3月20日，據36氪報道，中科意創已經完成了數千萬元人民幣A+輪融資，由創新工廠獨家投資，融資資金將用于功率半導體先進封裝產線建設。截至目前，中科意創累計融資金額已超1億元。

/// 國外第三代半導體產業動態 ///

一、政策及市場動向

1、美國初創公司H3X開始向客戶交付高功率密度碳化硅電動機

據境外媒體《Aviation Week》報道，美國初創公司H3X開始向客戶交付高功率密度碳化硅電動機，客戶包括航空航天和國防應用的電動飛機單位。根據H3X的介紹，他們正在根據美國國家航空航天局(NASA)的合同開展第一階段工作，設計一種電機，為NASA的亞音速單尾發動機(SUSAN)概念模型提供動力。SUSAN是一種續航為750英里的180座飛機，采用了混合動力動力系統。此前，NASA發布報告稱，其X-57 Maxwell實驗飛機的飛行前測試已成功步入關鍵階段，并表示該飛機的巡航電機控制器使用了碳化硅晶體管，在高功率起飛和巡航期間可提供98%的效率。

2、日本經濟產業省推動日本功率半導體產業的重組整合

日前，日本經濟產業省（METI）公布了一項倡議，其中提到，日本政府將為碳化硅和其他半導體項目投資提供最多三分之一的資助，但前提是——只有投資金額超過2000億日元（約104億人民幣）以上的項目才會得到支持。METI在接受媒體采訪時表示，設定這個不容易達到的補貼數字，目的是推動日本功率半導體產業的重組整合，“我們認為重組是必要的，海外功率半導體制造商的資金實力和資本投資遠遠超過日本制造商，他們太強大了，國內單個公司無法與之競爭。即使日本制造商在技術實力上有優勢，也將是一場硬仗”。

3、特斯拉宣稱下一代驅動單元SiC將減少75%引市場熱議

3月2日，特斯拉在投資者日活動公開宣稱該公司下一代驅動單元成本將降低約1000美元，碳化硅(SiC)將減少75%，相應的工廠占地面積將減少50%。活動上，特斯拉表示，2022年Model 3的成本已降低了30%，但下一代汽車的生產成本還將降低超過50%。而降低驅動單元的造價是特斯拉降低汽車生產成本的關鍵一環。通過碳化硅器件、電池等多個方面的優化，他們可將驅動單元的成本降低約1000美元（近7000元人民幣），并且認為其他任何汽車制造商很難做到。最為關鍵的是特斯拉提出要減少碳化硅器件用量——“我們找出了一種減少75％器件用量的方法，但不會損害汽車的性能或效率”。當前碳化硅SiC功率器件價格較高，是硅基IGBT的3-5倍左右。顯然這對于現在面臨投資者壓力的特斯拉來說太貴了。業界人士普遍對碳化硅的市場前景是確定性的，唯一讓大家恐慌的是特斯拉減少那么多的用量（75%）會不會造成市場需求的下滑。受消息刺激，A股市場碳化硅板塊持續低走。3月1日至3日，3個交易日內東尼電子大跌逾18%、天岳先進跌7.9%，天富能源跌逾5%、晶盛機電跌近6%。

4、美國總統拜登“投資美國”之旅第一站視察Wolfspeed總部

美國東部時間3月28日，美國總統拜登視察了位于美國北卡羅來納州達勒姆市的Wolfspeed總部，作為“投資美國（Invest in America）”之行的首站。拜登強調了政府將進一步促進美國制造業發展，重建國家基礎設施，并增強供應鏈。美國商務部部長吉娜·雷蒙多和北卡羅來納州州長羅伊·庫珀同時出席。拜登“投資美國”之旅的第一站視察Wolfspeed總部，顯示出美國政府對碳化硅這一第三代半導體關鍵材料和部件的重視程度。碳化硅是美國芯片法案重點支持的方向之一，根據美國商務部概述，該法案計劃向碳化硅、碳納米管、成熟芯片行業提供大約100億美元資助。據美國半導體行業協會(SIA)分析，從法案提出到頒布，美國各地新增了50多個半導體項目，投資金額超過2100億美元。其中，碳化硅項目建設企業包括：Wolfspeed、Coherent(貳陸)、Microchip、SK Siltron CSS、安森美、Pallidus、Entegris等。同一天，Wolfspeed宣布將與北卡羅來納州農業與技術州立大學一起申請美國芯片法案資金，用于在北卡羅來納州農業與技術大學校園內建立一個新的碳化硅研發設施，打算在今年秋天將該項目的資助申請提交給美國聯邦政府。

二、技術和產品

1、東京大學孵化公司Gaianixx計劃使用“中間膜”技術提升外延質量

日媒發文介紹了東京大學孵化公司Gaianixx的外延生長技術——計劃使用“中間膜”技術來防止SiC襯底缺陷轉移到外延生長環節，還可以用在硅襯底上生長SiC外延。根據官網，Gaianix成立于2021年11月，計劃引進年產7000片中間膜的外延生產設備，2024年左右開始量產設備。他們計劃在2025年前后進入SiC等功率半導體領域。Gaianixx利用獨特的技術解決了“馬氏體外延”的傳統難題，可以實現高品質的多層單晶。

2、昭和電工官宣開發出第三代SiC外延片并開始量產

3月1日，Resonac（昭和電工改名）官網宣布，他們開發出了第三代SiC外延片（HGE-3G），并已經開始量產，質量優于第二代SiC外延片（HGE-2G）。據悉，HGE-3G在高電流密度下具有高可靠性，將為SiC功率模塊的普及做出貢獻。

3、EEMCO同萊奧本礦業大學利用數字建模提升SiC晶體生長質量

3月6日，據外媒報道，奧地利的萊奧本礦業大學在開發新的建模方法，目標是幫助碳化硅企業提高單晶生長質量。據該校負責人介紹，通過PVT法生產高質量的SiC晶體，需要能夠盡可能精確地預測晶體生長過程。雖然傳統物理建模已經很先進了，然而這需要大量的數據和相應數量的實驗，需要耗費大量的時間和財力。為此，該校CD實驗室希望結合基于物理和數據驅動的模型，以獲得盡可能高效和可預測的碳化硅晶體生長方法，他們的合作伙伴是碳化硅襯底廠商EEMCO GmbH。EEMCO是一家成立于2020年底的初創公司，由EBNER集團控股。該公司已經開發出4H SiC單晶生長爐，正在邁向8英寸4H SiC單晶制造，工廠位于奧地利萊昂丁，目前EEMCO運營著15個研究爐，使用PVT工藝在氣相中生長SiC單晶。

4、GaN Systems發表最新11kW/800V氮化鎵車載充電器參考設計

3月20日，GaN Systems在應用電力電子會議(APEC 2023)上發表了最新11kW/800V氮化鎵車載充電器(On-Board Charger)參考設計，與采用碳化硅晶體管產品相比，提高36%功率密度，降低至少15%整體物料清單(BOM)成本。這款突破性創新11kW/800V氮化鎵車載充電器設計，結合無橋圖騰柱功率因子校正(PFC)結構的三階飛跨電容(flying capacitor)拓樸，及雙主動橋式AC/DC和DC/DC轉換器，在功率密度及總物料成本上與市場做出區隔。三階飛跨電容拓樸中所采用的氮化鎵晶體管能達到優異的切換頻率，有效減低一半電壓壓力，使650V GaN晶體管也能應用于這款或其他800V電源系統中。

三、產業進展

1、企業/項目動態

（1）Coherent官宣未來五年內SiC晶圓產量至少增加六倍

3月7日，Coherent宣布在加快對150毫米和200毫米碳化硅（SiC）襯底和外延晶圓生產的投資，在賓夕法尼亞州的Easton和瑞典的Kista進行大規模的工廠擴建（這是該公司先前宣布的在未來10年內對碳化硅投資10億美元的一部分）。據悉，Coherent將大力建設其位于Easton的近30萬平方英尺的工廠，以擴大其最先進的150毫米和200毫米SiC襯底和外延晶圓的生產規模。預計到2027年，Easton的150毫米和200毫米SiC襯底的年產量將達到相當于100萬片。據介紹，Coherent的客戶正在加快其計劃，以應對電動汽車對SiC電力電子器件的預期需求浪潮，高意預計這一浪潮將緊隨當前的工業、可再生能源、數據中心等領域的采用周期而來。未來五年內，Easton工廠將使Coherent在SiC晶圓的產量至少增加六倍，還將成為高意的200毫米SiC外延晶圓的旗艦制造中心。

（2）Onsemi與寶馬汽車集團簽署長期供貨協議

3月7日，據Onsemi官網消息已與寶馬汽車集團（BMW）簽署了長期供貨協議，安森美750V EliteSiC模塊將“上車”寶馬的400V電動動力傳動系統。Onsemi此前透露，電動汽車、先進駕駛輔助系統(ADAS)、替代能源和工業自動化等長期增長的大趨勢是被重點關注的，Onsemi與3家領先的新能源汽車新勢力簽訂了長期供應協議，并將這種合約關系擴大到更多戰略客戶，也與10家能源基礎設施領軍企業中的7家建立了合作。目前與客戶簽訂了大量的長期供應協議，預計在未來3年將帶來40億美元的碳化硅收入。根據寶馬集團的規劃，到2025年底，寶馬將累計交付200萬輛純電動車；預計到2030年，寶馬將在全球累積交付約1000萬輛純電動汽車。

（3）Aehr獲得價值約4600萬元SiC設備部件訂單

3月14日，Aehr宣布收到一家SiC器件供應商的價值670萬美元（約4600萬人民幣）的后續訂單——采購WaferPak™全晶圓接觸器，以滿足電動汽車市場對碳化硅功率半導體不斷增長的產能需求。Aehr表示，這批WaferPak™全晶圓接觸器預計將從本財季開始交付，持續到2023年8月31日完成交付發貨。據悉，采購方是一家500強半導體器件供應商，并且是Aehr的老客戶。

（4）Wolfspeed與美爾森、西格里碳素公司達成長期供應協議

3月14日，據美爾森官網消息已與Wolfspeed簽署了一份重要合同，為后者提供石墨和其他高性能材料，以支持擴大Wolfspeed的材料產能，滿足碳化硅材料和器件快速增長的需求。據介紹，該協議涵蓋五年期限，在此期間美爾森的銷售額約為4億美元（約27.5億人民幣）；而美爾森也將增加其設備和產能以滿足Wolfspeed的需求激增，計劃在2023年至2025年期間在美國投資約1.2億美元（約8.25億人民幣）。

3月28日，西格里碳素公司官網稱已經與Wolfspeed達成了一項長期供應協議，將為Wolfspeed碳化硅生產設施提供關鍵石墨部件，用于后者在莫霍克谷工廠和北卡羅來納州工廠的生產。

（5）羅姆預計在碳化硅方面五年投入約87-112億元

最近，羅姆表示正在不斷地進行碳化硅方面的投資，預計在2021-2025五年投入1700-2200億日元（約87-112億元人民幣）。相比2021年，預計2025年羅姆的碳化硅產能提升6倍，到2030年提升25倍。羅姆的兩個碳化硅生產基地——宮崎基地，還有阿波羅筑后工廠的新廠房也都投入使用。

2、投資擴產

（1）SweGaN官宣在瑞典建造GaN外延生產設施

3月2日，SweGaN官網宣布正在瑞典的創新材料集群建設一個新總部，包括一個大規模的半導體生產設施。報道稱，該項目計劃于今年第二季度末完成，將部署創新制造工藝，以大批量生產下一代GaN-on-SiC工程外延晶圓，預計年產能將高達4萬片4/6英寸外延片。

（2）約133億元 三菱電機官宣向功率器件業務投資擴產

3月14日，三菱電機官網宣布，將在2021財年至2025財年向功率器件業務投資2600億日元（約合人民幣133億元），投資金額是之前宣布的投資計劃的兩倍。其中，約1000億日元（約合人民幣51億元）將用于建造一個新的8英寸SiC晶圓廠，并增強相關的生產設施，以應對電動汽車市場的擴張需求。

（3）豐田通商聯合關西學院成立SiC功率半導體晶圓研發公司

豐田集團一直都在研發碳化硅襯底，并且實現了溝槽SiC MOSFET、模組等全產業鏈技術布局。3月22日，豐田通商株式會社宣布，他們聯合關西學院大學成立了一家SiC功率半導體晶圓研發公司——QureDA Research。該公司將專注以一種新的晶圓制造方法研發制造8英寸SiC晶圓，目標在2025年將該技術實現商業化。據悉，QureDA Research注冊資金為4.5億日元（約2360萬人民幣），由豐田通商和關西學院各出資50%成立。

3、資本動態

（1）總價57.4億！英飛凌收購GaN Systems

根據英飛凌3月2日官網消息，他們與GaN Systems公司宣布，雙方已簽署最終協議，英飛凌將以8.3億美元（約合人民幣57.39億元）收購GaN Systems。根據公告，英飛凌計劃以全現金收購GaN Systems，資金將來自現有的流動資金。

對這次收購，英飛凌首席執行官Jochen Hanebeck表示，“基于無與倫比的研發資源、應用理解和客戶項目管道，這次計劃收購GaN Systems將顯著加快我們的GaN路線圖。根據我們的戰略，此次合并將通過掌握所有相關的電源技術，無論是硅、碳化硅還是氮化鎵，進一步加強英飛凌在電源系統領域的領導地位。”

而GaN Systems首席執行官Jim Witham表示:“GaN Systems團隊很高興與英飛凌合作，在整合互補優勢的基礎上，為客戶提供高度差異化的產品。憑借我們在提供卓越解決方案方面的共同專長，我們將最佳地利用GaN的潛力。將GaN系統的代工資源與英飛凌的內部制造能力相結合，可以實現最大的增長能力，讓我們服務的廣泛目標市場加速采用GaN。”

（2）NI收購德國SET GmbH

3月6日，NI宣布收購SET GmbH（簡稱“SET”）。SET主要致力于航空航天和國防測試系統開發，是功率半導體可靠性測試領域的創新者。據悉，未來NI和SET將共同縮短關鍵的、高度差異化的解決方案的上市時間，并以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等功率電子材料為切入點，加速從半導體到汽車的供應鏈融合。對于此次收購，NI表示將擴大它在汽車功率半導體可靠性系統中的機會，這是一個高增長的投資領域。

NI執行副總裁兼事業部總經理Ritu Favre表示，“汽車供應鏈正在經歷一場變革，原始設備制造商（OEM）和半導體廠商都在新技術領域迅速創新。對于這些新技術在新型電動汽車中的表現能進行充分預測并說明的能力對于產品最終性能和安全性至關重要”。