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主題出爐!2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇5月長沙召開

日期:2023-04-11 來源:半導體產業網閱讀:849
核心提示:2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇(CASICON 2023)尊敬的各有關單位:第三代半導體是實現雙碳目標、東數西

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2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇

(CASICON 2023)

尊敬的各有關單位:

第三代半導體是實現“雙碳”目標、“東數西算”戰略和保障國家產業安全、經濟高質量發展的重要支撐。隨著5G、新能源汽車等市場發展,第三代半導體的需求規模保持高速增長。特別是近兩年碳化硅、氮化鎵功率器件的采用在眾多市場快速增長,覆蓋可再生能源與儲能、電動汽車、充電基礎設施、工業電源、牽引和變速驅動等眾多領域,可帶來更小型、更輕量、更具經濟效益的設計,并更高效率地實現能量轉換,從而賦能不計其數的新型清潔能源應用,在全球朝向可持續電氣化轉型中發揮著至關重要的作用。我國目前在以碳化硅、氮化鎵為首的第三代半導體材料領域已經形成了完整的產業鏈,從材料、裝備及工藝技術等方面也均實現了部分國產化替代,占據了一定的市場份額,但在材料、工藝與裝備一體化、大規模量產能力、器件性能與穩定性等方面與國際先進水平仍存在一定差距,要實現碳化硅關鍵裝備及工藝技術完全的國產自主可控,仍需產業上下游各方加強協作,攜手攻克難關。

為強化自主科技創新,提升核心裝備國產化供給能力,在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導下,半導體產業網與中國電子科技集團第四十八研究所、中南大學聯合組織籌辦,擬于5月5-7日在長沙市舉辦“2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇”,會議圍繞 “碳化硅襯底、外延及器件相關裝備產業創新發展”、“關鍵零部件及制造工藝創新突破”、“產業鏈上下游協同創新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導體”,邀請產業鏈上下游的企業及高校科研院所代表深入研討,攜手促進國內碳化硅及其他半導體產業的發展。

先進半導體產業大會組委會

2023年4月

》》組織機構

指導單位

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟

主辦單位

第三代半導體產業

半導體產業網

承辦單位

中國電子科技集團公司第四十八研究所

中南大學

北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

協辦單位

瀏陽泰科天潤半導體技術有限公司

湖南三安半導體有限責任公司

中車時代電氣股份有限公司

......

》》主題方向

1、宏觀趨勢與產業現狀

·碳化硅全球發展趨勢、現狀及應用前景;

·國內產業政策分析、產業需求研判;

·國產裝備現狀、行業發展痛點及未來展望;

·資金、人才、技術、市場等關鍵要素分析;

2、技術方向與產業環節

·碳化硅晶體生長、加工工藝及相關裝備技術;

·外延材料生長、芯片制造等核心工藝技術及關鍵裝備

·封裝材料、工藝及裝備技術;

·氮化鎵、氧化鎵等新型半導體材料、工藝和裝備探索;

3、產業配套及供應鏈

·襯底、外延、器件等設計軟件及檢測裝備;

·石墨/涂層/清洗/特氣等配套材料、工藝、裝備的協同優化;

·產品性能/良率/可靠性等要素分析與改進;

·生產流程控制、工藝優化與產業鏈協同創新;

4、規模應用與市場探索

·車用碳化硅/氮化鎵器件技術進展;

·碳化硅功率器件技術進展及應用前景;

·產業化進展及裝備需求;

·市場動力、核心競爭力塑造與面臨挑戰。

》》時間地點

論壇時間:2023年5月5-7日

論壇地點:湖南·長沙

》》日程安排(具體報告陸續更新中)

時間

主要安排

5月5日

09:00

13:00

報到&資料領取

13:30

17:30

開幕大會+合影

18:00

21:00

歡迎晚宴

5月6日

09:00

12:00

分論壇1:碳化硅關鍵裝備、工藝及配套材料技術

分論壇2:氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體

12:00

13:30

午餐&交流

13:30

17:30

分論壇1:碳化硅關鍵裝備、工藝及配套材料技術

分論壇2:氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體

18:30

20:30

晚餐&結束

5月7日

08:30

12:00

商務考察活動&返程

(中國電子科技集團公司第四十八研究所或泰科天潤或湖南三安半導體)

備注:僅供參考,以現場為準。

備注:詳細日程持續確認&更新,最終以現場為準,敬請關注!

》》報告主題

報告主題安排

第三代半導體產業發展現狀及挑戰

第三代半導體關鍵裝備的現狀及國產化思考

碳化硅器件制造關鍵裝備及國產化進展

SiC器件和模塊的最新進展

第三代半導體材料外延生長裝備現狀及展望

碳化硅涂層石墨盤技術

8英寸碳化硅單晶進展

國產MBE 設備進展

SiC襯底制備技術現狀、趨勢及工藝研究

SiC電力電子器件制造及其典型裝備需求

SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備研發

Sic MOS器件結構設計

激光剝離設備國產化進展

先進碳化坦涂層技術

車用碳化硅技術進展

銀燒結設備技術

SiC高溫熱處理設備及工藝應用

激光退火技術

SiC外延裝備及技術進展

碳化硅離子注入設備技術

SiC晶體生長、加工技術和裝備

拋光裝備國產化之路

8寸碳化硅外延制備技術

8寸碳化硅襯底技術進展

第三代半導體材料生長裝備與工藝自動化

化合物半導體工藝設備解決方案

GaN器件及其系統的最新研究進展

Si襯底GaN基功率電子材料及器件的研究

GaN晶片的光電化學機械拋光加工

第三代半導體材料加工設備及其智能化

激光技術在第三代半導體領域的應用

碳化硅單晶生長用石墨技術 

碳化硅缺陷檢測

碳化硅基氮化鎵HEMT技術

第三代半導體器件工藝設備國產化探討

碳化硅半導體功率器件測試方案

碳化硅基氮化鎵產業化進展及裝備需求

光隔離探頭測試技術

電子特氣在第三代半導體產業中的應用

車規級碳化硅功率器件技術解析

SiC單晶制備與裝備研發進展

半導體電子特氣國產化進展

半導體晶圓清洗設備國產化進展

碳化硅IGBT 技術進展及應用前景

車用氮化鎵器件技術進展

第三代半導體二手設備市場現狀與存在問題

硅基氮化鎵MOCVD設備技術進展及趨勢

圓桌討論:裝備國產化?存在的問題&發展建議 

備注:以上報告主題僅供參考,報告嘉賓正陸續確認中,后續將集中公布。

》》注冊報名:

1、注冊費2500元,4月29日前注冊報名2200元(含會議資料袋,5月5日歡迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐)。企業展位預定中,請具體請咨詢。

2、交通費、住宿費等自理。

》》繳費方式

1、通過銀行匯款

開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號:336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

2、線上繳費

長沙在線注冊二維碼

備注:在線注冊平臺注冊請務必填寫正確,以便后續查詢及開具發票。

3、現場繳費(接受現金和刷卡)

4、收款單位:本屆論壇指定“北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司”作為會議唯一收款單位。

》》報告及論文發表聯系:

Frank 賈:18310277858,jiaxl@casmita.com

》》會議報名/參展/贊助咨詢:

為促進產業鏈企業充分展示交流,組委會開辟出少量展示席位,數量有限,預訂從速。詳情可咨詢會議聯系人。

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com

張先生:18601159985,zhangtk@casmita.com

 》》協議酒店

會議酒店: 長沙圣爵菲斯大酒店(湖南省長沙市開福區三一大道471號)

協議房價:

·五星酒店房間:大/ 雙 床房 含雙早  468元/晚

·三星酒店房間:大/雙 床房 含雙早  258元/晚

(備注:三星酒店單獨用餐區用早餐,不能享用酒店健身房和游泳池,具體可咨詢酒店聯系人)

預訂聯系人:李子都 圣爵菲斯大酒店營銷經理

電話:14726987349

郵箱:136379346@qq.com

備注:預定客房時提“碳化硅”或“半導體會議”均可享受協議價格。

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