3月25日,西電蕪湖研究院舉行寬禁帶半導體器件試制線通線儀式。西電蕪湖研究院消息稱,該寬禁帶半導體器件試制線的成功通線,標志著西電蕪湖研究院半導體器件研發與產業化迎來了新的里程碑。項目建成后,將具備4-6英寸碳化硅、6-8英寸氮化鎵外延材料生長到器件研制的全套工藝流程能力,有助于蕪湖市解決半導體產業在知識產權培育和轉化、特殊工藝與特色產品定制、中試規模的芯片可靠性評價體系建設等領域存在的難點、堵點,為蕪湖市新能源汽車、航空、5G通信等新興產業創新發展注入強勁動力。
(來源:集微網)
3月25日,西電蕪湖研究院舉行寬禁帶半導體器件試制線通線儀式。西電蕪湖研究院消息稱,該寬禁帶半導體器件試制線的成功通線,標志著西電蕪湖研究院半導體器件研發與產業化迎來了新的里程碑。項目建成后,將具備4-6英寸碳化硅、6-8英寸氮化鎵外延材料生長到器件研制的全套工藝流程能力,有助于蕪湖市解決半導體產業在知識產權培育和轉化、特殊工藝與特色產品定制、中試規模的芯片可靠性評價體系建設等領域存在的難點、堵點,為蕪湖市新能源汽車、航空、5G通信等新興產業創新發展注入強勁動力。
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