在消費(fèi)類電子領(lǐng)域，氮化鎵于手機(jī)、筆電快充中的應(yīng)用已大量普及，大大滿足了消費(fèi)者對(duì)移動(dòng)設(shè)備快速續(xù)航的需求。而在手機(jī)內(nèi)部，電源開關(guān)依然采用傳統(tǒng)的硅MOSFET，其體積與阻抗的限制，不僅占據(jù)了手機(jī)主板的大量空間，且在面對(duì)大功率快充時(shí)，硅MOSFET會(huì)產(chǎn)生較大的溫升與效率損耗，影響快充的穩(wěn)定性與大功率充電持續(xù)時(shí)間。
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，具備高頻高效、低導(dǎo)阻等優(yōu)越特性，應(yīng)用于手機(jī)主板也具備極大優(yōu)勢(shì)。
2022年，英諾賽科開創(chuàng)了氮化鎵 40V 器件平臺(tái)，并率先將雙向?qū)?VGaN INN040W048A（40V/4.8mΩ）產(chǎn)品成功導(dǎo)入Oppo、Realme 手機(jī)主板內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)體積減少64%，峰值功率發(fā)熱降低85%等優(yōu)越性能表現(xiàn)，獲得了良好的市場(chǎng)反饋。基于40V 平臺(tái)的迭代與升級(jí)，近期，英諾賽科 VGaN 家族迎來了兩名新成員：INN040W080A、INN040W120A。
INN040W080A
產(chǎn)品特性：
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支持雙向?qū)ǎ瑹o反向恢復(fù)
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40V/8mΩ 超低導(dǎo)通電阻
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1.7mmx1.7mm WLCSP封裝，寄生參數(shù)小
應(yīng)用領(lǐng)域：
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高側(cè)負(fù)載開關(guān)
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智能手機(jī)USB端口中的OVP保護(hù)
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多電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路
INN040W120A
產(chǎn)品特性：
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支持雙向?qū)ǎ瑹o反向恢復(fù)
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40V/12mΩ 超低導(dǎo)通電阻
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1.7mmx1.7mm WLCSP封裝，寄生參數(shù)小
應(yīng)用領(lǐng)域：
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高側(cè)負(fù)載開關(guān)
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智能手機(jī)USB端口中的OVP保護(hù)
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多電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路
INN040W080A、INN040W120A延續(xù)了 InnoGaN 導(dǎo)通電阻低、封裝寄生參數(shù)小、開關(guān)速度快、無反向恢復(fù)等諸多特性，在高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)，智能手機(jī) USB /無線充電端口內(nèi)置 OVP 保護(hù)，多電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路等場(chǎng)景中，能更好地體現(xiàn)低阻抗、高效率與高功率密度三大優(yōu)勢(shì)。
VGaN 三大亮點(diǎn)
僅使用1顆VGaN 就能替代傳統(tǒng)共漏連接的背靠背NMOS，實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通損耗的手機(jī)電池充、放電功能，并節(jié)省手機(jī)內(nèi)部寶貴的空間；
降低手機(jī)在充電過程中的溫升，在快速充電時(shí)可以保持比較舒適的機(jī)身溫度，延長(zhǎng)電池使用時(shí)間，為用戶提供良好的充電體驗(yàn)；
使氮化鎵在更高功率的快充場(chǎng)景中具備競(jìng)爭(zhēng)力，實(shí)現(xiàn)手機(jī)內(nèi)部GaN芯片“零” 的突破。
英諾賽科VGaN 系列新增的兩款40V雙向?qū)ㄐ酒云洳煌膶?dǎo)通電阻，拓展了更廣的功率場(chǎng)景，不僅為客戶設(shè)計(jì)選型提供更多參考，還進(jìn)一步擴(kuò)大了氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用。而基于大規(guī)模8英寸硅基氮化鎵技術(shù)的研發(fā)、制造與迭代，英諾賽科的產(chǎn)品質(zhì)量和成本優(yōu)勢(shì)也已在行業(yè)中得到體現(xiàn)。
