半導體產業網獲悉：近日高性能SiC（碳化硅）模塊廠家利普思半導體宣布完成逾億元人民幣Pre-B輪融資，由和高資本領投，上海瀛嘉匯及老股東聯新資本跟投。本輪資金將主要用于公司在無錫和日本工廠產能的提升，擴大研發團隊，以及現金流儲備。

據悉，利普思從2019年11月成立起就一直專注高性能SiC與IGBT功率模塊的研發、生產和銷售。通過先進的封裝材料和技術，該公司能夠為控制器的小型化、輕量化和高效化提供完整的模塊應用解決方案，廣泛應用于新能源汽車、光伏、儲能、大功率直流充電樁、燃料電池商用車等場景和領域。

碳化硅是第三代半導體經典的應用。碳化硅具有眾多技術優勢，寬禁帶特性顯著提升器件功率密度，從而利于系統散熱與終端小型輕便化；高擊穿電場強度特性有助于提高碳化硅器件的功率范圍，利于器件薄化的同時提高系統驅動力；高飽和電子漂移速率特性大幅提升開關頻率，同時提高整機效率。第三代半導體材料廣泛應用在5G基建、新能源汽車充電樁、特高壓及軌道交通等“新基建”各領域核心射頻、功率器件中，產業迎來巨大的發展機遇。Yole預測，到2023年，全球碳化硅材料滲透率有望達到3.75%，預計到2025年，SiC器件市場規模將達到32億美元，年均復合增長率超30%。

在產品方面，利普思主要產品包括新能源汽車和工業用的高可靠性SiC和IGBT模塊。其中，利普思的HPD系列SiC模塊在去年已成功通過歐洲整車廠客戶的樣品測試，以及國內新能源整車廠的選型和測試，并在第三方SiC控制器上進行了充分的負載驗證。目前，利普思模塊產品的性能和品質已達到國際品牌水平，并成功進入海外市場。其中，針對新能源汽車領域，公司推出了面向EV主驅逆變器的HPD系列，面向燃料電池汽車及機械車輛的ED3S、ED3H系列，面向汽車空壓機的E0和E2系列等各型SiC功率模塊，電流覆蓋25A至1000A，可實現從幾kW到400kW以上的應用。

在團隊方面，利普思團隊成員在三菱、東芝、三洋等功率半導體等的核心部門長期工作經驗，熟悉功率半導體市場、產品、技術。利普思創始人梁小廣在2004年上海交通大學研究生畢業后，就加入日本三菱電機功率半導體事業部，其間成功完成數款世界領先的功率器件，后在采埃孚從事SiC模塊封裝技術研究。聯合創始人丁烜明曾任上海電驅動事業部總監，熟悉功率模塊市場和應用，以及OEM的供應鏈配套和質量體系要求。

報道稱，2023年，利普思將全面擴充乘用車、商用車、氫燃料電池、充電樁、光伏/儲能、特高壓等各大產品線。不僅如此，該公司還計劃在國內建立一個百萬級IGBT和SiC模塊的生產基地，產能預計將實現十倍增長，預計于明年年底投產，以更好地滿足未來SiC模塊更大的市場需求。?