近日，瞻芯電子正式推出2款650V TOLL封裝的碳化硅(SiC) MOSFET產品，分別為650V 40mΩ和60mΩ的SiC MOSFET，現已完成工規級可靠性認證(JEDEC)。這兩款產品采用TOLL(TO-leadless)封裝，能滿足更緊湊、低損耗、更高功率設計的應用要求，幫助高性能電源提高能效和功率密度，并改善電磁干擾(EMI) ，簡化PCB 設計。

眾所周知，SiC 器件比Si器件具有明顯的優勢，包括：更低損耗、更高頻率、更低的EMI、耐受更高工作溫度和更可靠。

TOLL是一種表面貼裝型封裝，瞻芯電子的TOLL封裝產品投影尺寸為 10.10 mm x 11.88 mm，對比TO263-7(D2PAK 7)封裝， PCB 占用面積減少20%。而且，它的外形厚度僅為 2.40 mm，比 TO263-7(D2PAK 7)封裝的體積小 60%。

當性能更優的SiC MOSFET 采用TOLL封裝后，不僅顯著減小體積、降低損耗，而且對比 TO263-7(D2PAK 7)封裝，背面金屬片的尺寸更大，散熱性能更好。

除了尺寸更小，TOLL 封裝也是開爾文源極(Kelvin source)配置（4引腳型封裝），能減小封裝中源極線的電感，來抑制開關時產生的振蕩，門極噪聲更低，降低了開關損耗，有利于發揮MOSFET高速開關的性能優勢。

IV1Q06040L1 ，IV1Q06060L1G是瞻芯電子首批采用TOLL封裝的SiC MOSFET，主要適用于要求嚴苛的光伏逆變器、UPS電源、工業電機驅動、高壓DC/DC變換器、開關電源等場景。相對Si器件較低的柵極總電荷，能顯著降低開關損耗，且適應-55~ 175°C 工作溫度范圍。

封裝特性：

適合于更高開關頻率應用（實現高功率密度）

因具有較大尺寸的后面金屬片，可降低器件溫度

比TO-263-7L封裝，厚度更低，占用PCB面積更小

比TO-263-7L封裝，源電感更低

應用領域：

光伏/Solar

儲能/ESS & UPS

數據中心電源/Datacenter Power

工業與醫療電源/Industrial &  Medical Power

電機驅動/Motor Drives

通信電源/Telecom Power