半導體產業網獲悉：美國東部當地時間3月2日下午2:05，英飛凌官宣收購氮化鎵初創公司GaN Systems，交易總值8.3億美元現金（57億人民幣）。
GaN Systems是開發基于GaN的功率轉換解決方案的全球技術領導者。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有200多名員工。Infineon Technologies AG是電力系統和物聯網領域的全球半導體領導者。英飛凌通過其產品和解決方案推動脫碳和數字化。該公司在全球擁有約56200名員工，在2022財年（截至9月30日）創造了約142億歐元的收入。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代碼：IFX），在美國OTCQX國際場外交易市場上市（股票代號：IFNNY）。
英飛凌首席執行官Jochen Hanebeck表示：“氮化鎵技術正在為支持脫碳的更節能和二氧化碳減排解決方案鋪平道路。移動充電、數據中心電源、住宅太陽能逆變器和電動汽車車載充電器等應用的采用正處于臨界點，導致市場的動態增長。”“基于無與倫比的研發資源、應用理解和客戶項目管道，GaN系統的計劃收購將大大加快我們的GaN路線圖。根據我們的戰略，通過掌握所有相關的電力技術（無論是硅、碳化硅還是氮化鎵），這一組合將進一步加強英飛凌在電力系統領域的領導地位。”
GaN Systems首席執行官吉姆·威瑟姆，說：“GaN系統團隊很高興與英飛凌合作，在匯集互補優勢的基礎上，創造高度差異化的客戶產品。憑借我們在提供卓越解決方案方面的共同專業知識，我們將最佳地利用GaN的潛力。將GaN系統的代工廠走廊與英飛飛凌的內部制造能力相結合，實現最大的增長能力能夠為GaN在廣泛的目標市場中的加速采用提供服務。我對GaN Systems迄今為止所取得的成就感到非常自豪，我迫不及待地想與Infineon一起撰寫下一章。作為一家具有廣泛技術能力的集成設備制造商，英飛凌使我們能夠充分發揮自己的潛力。”
據了解，GaN Systems成立于2008年，總部位于加拿大渥太華，在英國、德國、日本和美國都設有辦公室，是一家無晶圓廠半導體公司。其一流的系統設計可以凸顯氮化鎵在電源轉換和控制應用中的優點。為了克服硅在轉化速度、溫度、電壓和電流方面的限制，該公司開發了適用于各種市場的全套氮化鎵功率轉化器件。GaN Systems獨有的專利技術IslandTechnology?使其比同類產品更小、更高效，且同時克服了成本、性能以及可制造性的挑戰。GaN Systems的CEO Jim Witham曾是Neoconix和Fultec Semiconductor兩家公司的CEO，擁有哈佛商學院的MBA以及斯坦福大學機械工程專業的學士和碩士學位。
GaN Systems提供完整、高可靠性氮化鎵功率半導體解決方案，我們的100V及650V增強型氮化鎵晶體管能支持從4A到150A的運作電流。我們的氮化鎵功率器件采用常見PDFN封裝技術及高規GaNPX嵌入式封裝技術，能滿足不同客戶對功率、散熱、及效能的需求。針對消費電子產品氮化鎵充電器及電源適配器，我們也提供一站式解決方案。透過與全球消費電子市場領導品牌持續且密切的合作，GaN Systems持續優化其氮化鎵技術，幫助客戶縮短設計周期，開發尺寸更小、重量更輕、更高功率、更高效能的電源產品。GaN Systems 提供產品面到系統面的一站式解決方案，幫助客戶加快設計周期、縮短上市時間，領先行業在汽車、數據中心、工業、再生能源、消費電子等產業累積應用實績。并且，GaN Systems 產品可靠度已受電動車、工業、甚至航太等高可靠性市場客戶肯定。
GaN Systems的產品以650V和100V表貼單管為主（來源：GaN Systems）
知情人士透露，GaN Systems估值的主要想象力來自其產品在電動汽車上的可能應用。因為在2021年，GaN Systems公司與寶馬簽署氮化鎵產能保證協定。同年又與最大的汽車一級供應商大陸集團拆分出的緯湃科技（Vitsco）達成戰略合作，共同開發氮化鎵功率器件。之后，兩家企業還與富達投資（Fidelity）一道，于2021年底向GaN Systems投資1.5億美元，推動公司的產品研發和市場推廣。另外，GaN Systems公司還與車規半導體重要原廠瑞薩共同開發車用48V/12V 雙向 DC/DC 轉換器。
此外，在2022年GaN Systems公司和徐州金沙江半導體公司聯合宣布，在互聯網數據中心(IDC)領域，首次成功開展氮化鎵(GaN)電源應用的現場試驗，這是GaN在IDC電力基礎設施領域普及進程的重要里程碑。 GaN Systems公司擁有的高功率和高可靠性技術，和傳統硅功率器件相比，使數據中心能夠實現高達20%的節能，從而提高利潤、降低相對能耗并減少碳足跡。該現場試驗將驗證節能的積極環境影響，同時滿足數據中心運營商對于可靠性的嚴苛要求，因此是該技術應用于全球的關鍵一步。GaN Systems在高功率、可靠性和質量方面的持續投資成就了這一重要里程碑。
展望2023年全球功率半導體產業發展態勢。電汽化 (Electrification) 、數字化 (Digitalization)及凈零永續 (Sustainability) 三大全球趨勢將持續加速氮化鎵功率半導體產業成長及應用落地。GaN Systems認為氮化鎵功率半導體將在這場能源革命中扮演舉足輕重的角色，從減少能源轉換間的能量流失，開發更高功率但尺寸更小的儲能系統，最終全面提高再生能源發電使用效率，氮化鎵功率半導體將會是通往全球凈零轉型的快捷方式。
事件點評（個人觀點，僅供參考?。?strong style="text-indent: 2em;">：英飛凌，留給競爭對手的時間不多了！英飛凌作為全球電源系統和物聯網領域的半導體領導者，收購氮化鎵初創公司GaN Systems，不難看出英飛凌不僅看出GaN Systems技術和團隊的優秀實力，也基于其公司在在汽車、數據中心、工業、再生能源、消費電子等產業累積應用業績，更看重氮化鎵在相關應用領域的未來發展前景。英飛凌作為全球龍頭公司，其資源及營銷網絡不言而喻，GaN Systems公司也以其技術實力和豐富的產品組合贏得不俗的市場份額，兩者的融合，也預示著未來雙方都能有更廣闊的發展空間和市場拓展能力。
筆者也感到英飛凌公司在不斷發展壯大道路上，對優質標的都會開始收購計劃，英飛凌目前分為四個事業部，汽車電子事業部ATV（車用功率產品/傳感器/MCU等）、電源與傳感系統事業部PSS（MOSFET/功率IC/射頻芯片）、工業功率控制事業部IPC（IGBT器件及模組/IPM模塊/SiC等）和安全互聯系統事業部CSS（連接/安全IC/MCU）?；仡櫽w凌2001-2020年的收購歷史，其收購戰略目的性極強。英飛凌收購的主要聚焦點是跟通訊領域相關，例如，2000年收購以色列寬帶通信公司 Savan Communication 以鞏固DSL市場地位；2003年收購美國開發可配置數字基帶電路無廠半導體廠商MorphlCs Technology資產，拓展英飛凌面向3G基礎設施市場的產品范圍；2007年收購 TI 的 DSL 客戶端設備(CPE)業務，擴大寬帶產品組合，同年還收購了芯片商 LSI 移動產品業務。
此外，英飛凌構建自己的功率半導體和車用相關的龐大產品線時，在IGBT、MOSFET、GaN、SiC冷切割技術、MEMS、MCU等領域全面開花。2014年以30億美元收購國際整流器公司（IR），獲得 GaN、 IGBT 等功率半導體產線，加速提升 300mm 晶圓產能，這極大地穩固了英飛凌在功率半導體全球市場上的領先地位。收購賽普拉斯這一轟動一時的英飛凌史上最大收購，該并購案完成后，英飛凌超越NXP成為歐洲半導體老大。并且，整合賽普拉斯后，英飛凌的MCU市占率會超過ST，特別是在MCU、電源管理和傳感器芯片方面，這些都是ST的強項，整合后的英飛凌有望從整體上甩開ST，而不只是某一兩個產品線。2016年英飛凌收購荷蘭MEMS設計公司 Fabless 廠 Innoluce， 為高性能激光雷達系統開發芯片組件；而在2018年收購Siltectra獲得的“冷切割”技術用于在SiC 晶圓的切割上將會使單片晶圓可出產的芯片數量翻番。
如今，英飛凌又收購了基于GaN的功率轉換解決方案的全球技術領導者GaN Systems，英飛凌的業務及市場競爭能力再次增強和壯大。英飛凌在中國也是不斷布局，其無錫工廠成立于1995年，目前員工數超過1300人，是英飛凌在大中華區最大的制造基地。主營產品包括分立器件、智能卡以及功率半導體。正如，英飛凌科技首席運營官Jochen Hanebeck曾表示：“中國在英飛凌的全球業務中占有重要的戰略地位。無錫工廠的升級擴能，不僅能進一步提升我們在中國的產能，而且還將幫助英飛凌鞏固其在全球IGBT業務發展中的領導地位。”
英飛凌巨頭的布局和收購動作，也預示著與之相關產業鏈競爭者更要加快在創新研發和市場拓展步伐，往往巨頭的技術研發實力和市場拓展能力會給相關領域帶來“革命性”的改變，留給競爭對手的時間真的不多了，所以唯有創新不止，才能在未來市場競爭中贏得一線生機！加油！
