士蘭微發布公告稱，擬向特定對象發行A股股票募集資金總額不超過650,000.00萬元（含本數）， 扣除發行費用后的募集資金凈額擬用于SiC功率器件生產線等項目。

公告顯示，本次向特定對象發行募集資金擬主要用于投資建設“年產36萬片12英寸芯片生產線項目”、“SiC 功率器件生產線建設項目”和“汽車半導體封裝項目（一 期）”。其中，“年產36萬片12英寸芯片生產線項目”建成后將形成一條年產36萬片12英寸功率芯片生產線，用于生產FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片產品；“SiC功率器件生產線建設項目”達產后將新增年產14.4萬片 SiC-MOSFET/SBD功率半導體器件芯片的生產能力；“汽車半導體封裝項目（一 期）”達產后將實現年產720萬塊汽車級功率模塊的新增產能。

上述三個項目建設系公司在高端功率半導體領域的核心戰略規劃之一，是公司積極推進產品結構升級轉型的重要舉措。公司將充分利用自身在車規和工業級功率半導體器件與模塊領域的技術優勢和IDM模式下的長期積累，把握當前汽車和新能源產業快速發展的機遇，進一步加快產品結構調整步伐，抓住國內高門檻行業和客戶積極導入國產芯片的時間窗口，擴大公司功率芯片產能規模、銷售占比和成本優勢，不斷提升市場份額和盈利能力。該項目的順利實施有助于提高公司對下游市場的供貨保障能力和客戶供應鏈安全性，持續鞏固公司國內半導體IDM 龍頭企業優勢地位，實現打造具有國際一流競爭力的綜合性的半導體產品供應商的戰略發展目標。

士蘭微系國內功率半導體IDM龍頭企業，資料顯示，近年來，公司憑借其在8英寸和12英寸產線的率先布局，成為行業景氣度上行的受益者，實現了從家電向汽車和工業領域的擴張和產品結構的四大升級。在IGBT領域，公司產品線由IPM 模塊拓展至車規級IGBT模塊與單管；在MOSFET領域，公司實現了高壓超級結 MOS 和 SGT MOS 產品的批量出貨；在電源管理IC領域，公司自主研發的快充芯片和 DC/DC 批量出貨；在MEMS傳感器領域，公司所采用MEMS工藝的重力傳感器正在快速實現國產替代。相比于國內功率半導體廠商正處在從8英寸轉向12英寸生產的過程中，公司目前已在12英寸晶圓產線上生 MOSFET和IGBT等功率半導體產品。

公告指出，半導體行業屬于典型的技術密集型和資本密集型行業。作為IDM企業，公司具有資產相對偏重的特征，為滿足產業鏈中下游客戶強勁的產品需求，保障公司的業務拓展、產品迭代和產線建設，公司需要持續的研發投入和大量的流動資金支持。通過本次向特定對象發行募集資金補充流動資金，一方面，可以滿足公司業務持續發展需要，提升公司核心競爭力，鞏固公司龍頭地位；另一方面，可以緩解公司流動資金壓力，優化公司資產負債結構，降低公司財務風險，提高公司資金使用的靈活性。