半導體激光器是以半導體材料為增益介質的激光器，依靠半導體能帶間的躍遷發光，通常以天然解理面為諧振腔。因此其具有波長覆蓋面廣、體積小、結構穩定、抗輻射能力強、泵浦方式多樣、成品率高、可靠性好、易高速調制等優勢。新物理、新概念以及新技術與半導體激光器的融合，為其發展注入了新鮮的血液.其中，半導體激光器在光纖通信領域的發展潛力巨大。得益于半導體激光器成本低、功耗低的優勢，目前其已在光纖通信網絡領域被廣泛地應用。

近日，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利召開。本屆論壇是在國家科學技術部高新技術司、國家科學技術部國際合作司、國家工業與信息化部原材料工業司、 國家節能中心、國家新材料產業發展專家咨詢委員會、江蘇省科學技術廳、蘇州市科學技術局、蘇州工業園區管理委員會的大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）聯合主辦。

論壇現場

期間，由化合積電（廈門）半導體科技有限公司、寧波升譜光電股份有限公司、江蘇省第三代半導體研究院協辦支持的“化合物半導體激光器技術論壇“，在廈門大學電子科學與技術學院副院長張保平教授主持下如期召開。會上，波蘭高壓物理研究所研究員Mike LESZCZYNSKI、蘇州長光華芯光電技術有限公司副董事長、首席技術官王俊、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米器件研究部研究員劉建平、寧波升譜光電股份有限公司副總經理林勝、日本名城大學教授Tetsuya TAKEUCHI、化合積電（廈門）半導體科技有限公司聯合創始人&CEO張星，河南仕佳光子科技股份有限公司有源產品技術總監、中科院半導體所研究員黃永光，廈門大學助理教授梅洋、珠海鼎泰芯源晶體有限公司董事長趙有文，河北工業大學教授張紫輝，云南鍺業公司首席科學家、云南鑫耀半導體材料有限公司總經理惠峰等精英專家們帶來精彩報告，分享前沿研究成果。

波蘭高壓物理研究所研究員Mike LESZCZYNSKI做了題為”基于藍光半導體激光器的新器件：SWOT分析“的線上主題報告。

蘇州長光華芯光電技術有限公司副董事長、首席技術官王俊做了題為”激光雷達用大功率 GaAs VCSEL 激光芯片“的主題報告。

中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米器件研究部研究員劉建平做了題為”氮化鎵基激光器和超輻射管研究進展“的主題報告。

寧波升譜光電股份有限公司副總經理林勝做了題為”GaAs VCSEL先進封裝技術進展及應用“的主題報告。

日本名城大學教授Tetsuya TAKEUCHI做了題為”Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers“的線上主題報告z。

化合積電（廈門）半導體科技有限公司 聯合創始人&CEO張星做了題為”金剛石在激光器的應用及產業化進展“的主題報告

河南仕佳光子科技股份有限公司有源產品技術總監,中科院半導體所研究員黃永光做了題為”激光雷達用的1550nm磷化銦半導體激光器”的主題報告

廈門大學助理教授梅洋帶來了題為”GaN基微腔激光器制備“的主題報告，分享了GaN基回音壁激光器、柔性GaN基微腔激光器的研究進展與成果，研究顯示，基于InGaN量子點材料制備了低閾值綠光GaN基VCSEL；基于AlGaN與InGaN材料實現了UVC波段與UVA波段GaN基VCSEL光泵激射。實現了高Q值GaN基微盤激光器的低閾值激射，利用游標效應實現了單模GaN基微盤激光器的制備；進行了電注入GaN基微盤激光器的工藝開發。開發了GaN基微腔激光器的柔性襯底轉移工藝，實現了柔性VCSEL與柔性微盤激光器的光泵激射。

云南鍺業公司首席科學家、云南鑫耀半導體材料有限公司總經理惠峰做了題為”高品質磷化銦襯底對激光器性能影響研究“的主題報告，介紹了高品質InP單晶的生長技術，InP在半導體激光器應用開發的優勢，InP單晶襯底對激光器性能影響等研究進展。其中，報告指出，InP襯底主要應用領域包括光子學領域和射頻領域，光子學領域的應用開發包括：激光器、光探測器，應用在光器件、芯片、光電集成電路及模塊，汽車防撞系統、圖像傳感器等。其中的激光器開發，對比GaAs襯底，InP基器件可做成高質量的共振腔，也可做差頻器件、并可基于QCL量子級聯激光器的差頻特性，開發太赫茲光源。

河北工業大學教授張紫輝帶來了題為”GaN半導體垂直腔面激光器的仿真設計與分析“的主題報告，介紹了利用二維耗盡效應改善GaN基VCSEL的橫向電流限制、GaN基VCSEL PNP結的電流擴展、GaN基VCSEL中p-AlGaN插入層的空穴注入增強、MQW中具有梯度InN成分的GaN VCSEL的獨特財產、反相位表面起伏結構對光學模式和激光的影響、450nm GaN基VCSEL的輸出功率及其他類型的激光二極管的相關研究成果。

珠海鼎泰芯源晶體有限公司董事長趙有文做了題為”高質量磷化銦和銻化鎵襯底制備技術進展及批量生產“的主題報告，介紹了單晶生長和襯底制備技術及標準、單晶缺陷及其控制技術、襯底缺陷與外延材料缺陷的研究進展。研究建立并完善了磷化銦多晶合成、單晶生長到襯底制備的整套生產工藝技術并實現襯底的大批量生產銷售，實現關鍵原材料的國產化自主保障。通過長晶、襯底加工、清洗等諸多工藝環節的技術優化完善，有效控制襯底晶格缺陷和表面缺陷數量，實現穩定高量產良率，滿足下游客戶外延生長及器件生產的要求。通過優化單晶生長熱場、襯底拋光清洗技術工藝等，實現銻化鎵單晶生長缺陷和襯底表面缺陷的可控，滿足分子束外延材料生長要求，并制備出性能優異的紅外成像面陣。國內大尺寸襯底材料（3英寸、4英寸磷化銦；4英寸和6英寸銻化鎵）的市場需求逐步增長，國際上已基本成為市場主流。