以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等為代表的第三代寬禁帶半導體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能，顯示出比傳統功率器件更優異的特性，給電力電子產業的發展帶來了新的生機。

碳化硅電力電子器件具備更高的效率、更高的開關頻率和更高的工作溫度，在新能源發電、電動汽車等一些重要領域展現出其巨大的應用潛力。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。

近日，開年盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州勝利召開。期間，“功率模塊與電源應用峰會“由浙江大學杭州國際科創中心電源管理技術創新聯盟、英諾賽科、蘇州博湃半導體技術有限公司、江蘇省第三代半導體研究院協辦支持，在浙江大學教授吳新科和北京世紀金光半導體有限公司副總裁于坤山共同主持下成功召開。

浙江大學教授吳新科和北京世紀金光半導體有限公司副總裁于坤山共同主持會議

峰會現場

峰會上，來自意大利帕多瓦大學信息工程系教授Enrico Zanoni、北京世紀金光半導體有限公司副總裁于坤山、臺達電子高階客制電源事業部中國區總監董慨，蘇州博湃半導體技術有限公司市場銷售總監周鑫，錦浪科技技術研究中心總監劉保頌，北京衛星制造廠有限公司領域總師萬成安，西交利物浦大學教授文輝清，上海科技大學信息學院長聘副教授、研究員王浩宇，上海沛塬電子有限公司市場產品總監劉正陽等精英專家們帶來精彩報告，分享前沿研究成果。

意大利帕多瓦大學信息工程系教授Enrico Zanoni

會上，意大利帕多瓦大學信息工程系教授Enrico Zanoni分享了用于高效能量轉換應用的GaN HEMT的深能級效應和可靠性主題報告。他在報告中回顧影響設備動態性能和可靠性的潛在問題。并分析了導致動態導通電阻增加和閾值電壓不穩定性的陷阱相關效應，以及軟開關和硬開關引起的熱電子效應。提出捕集/脫捕集動力學模型。并介紹了由關態偏置條件加速的失效機制，如電介質和GaN中的時間依賴擊穿效應和雪崩能力的問題。最后并給出了物理失效分析的結果。

北京世紀金光半導體有限公司副總裁于坤山

數字能源是物聯網IoT技術與能源產業的深度融合，通過能源設施的物聯接入，并依托大數據及人工智能，打通物理世界與數字世界，信息流與能量流互動，實現能源品類的跨越和邊界的突破，放大設施效用，品類協同優化，是支撐現代能源體系建設的有效方式。北京世紀金光半導體有限公司副總裁于坤山做了題為“第三代半導體助力數字能源產業發展”的主題報告，分享了數字能源生態體系、數字能源的發展趨勢，報告指出，推動數字能源技術和產業化的時機已經成熟；第三代半導體與數字能源深度融合將構建市場廣闊的新興產業；數字能源產業的可持續發展和演進，需要產、學、研高度協同，在核心技術（硬件和軟件）、裝備、標準，以及國家產業政策等方面共同發力，以期實現數字能源產業有序、高效、可持續發展。

臺達電子高階客制電源事業部中國區總監董慨

臺達電子高階客制電源事業部中國區總監董慨分享了寬禁帶器件在數據中心AC-DC電源上的應用及展望主題報告。

蘇州博湃半導體技術有限公司市場銷售總監周鑫

蘇州博湃半導體技術有限公司市場銷售總監周鑫分享了用于先進SiC功率模塊的整體解決（核心設備/材料/工程）方案，其中報告指出，SiC功率模塊封裝新要求為耐受更高結溫, 所有結合面熔點從200°C提高到400°C以上；封裝總體散熱能力提高3~7倍, 以便在更小的體積小耐受相當的耗散功率；連接面的電阻值要小, 以便耐受較高的電流；要求更小的封裝體積有助于進一步提高功率密度并減低雜散電感，適應更高的開關頻率。

上海沛塬電子有限公司市場產品總監劉正陽

上海沛塬電子有限公司市場產品總監劉正陽做了題為“基于寬禁帶器件的高頻大功率模組應用”的主題報告，報告指出，寬禁帶半導體電源設備確實在改變游戲規則，模塊化趨勢更加清晰和強烈，應用程序在當今市場上蓬勃發展，成熟的電子建模和封裝建模是最關鍵的，企業需要通過內部研發快速反應和交付。

錦浪科技演講人員技術研究中心總監劉保頌

錦浪科技演講人員技術研究中心總監劉保頌SiC功率器件在光伏逆變器中的應用，分析了SiC功率器件在光伏逆變器中的使用情況以及SiC功率器件在使用中的若干難點，報告指出使用成本的進一步下降，以鋪開SiCMOS在DC-AC電路中的運用；SiCMOS 本體上集成SBD以進一步降低在死區時間內SiCMOS的續流損耗（部分供應商已經開始應用）；更高提升SiCMOS的BV，更好適配光伏應用場景的電壓需求。降低器件的結殼熱阻，提高器件最大結溫度；使用混合拓撲，降低現有IGBT損耗，針對性發揮SiC功率器件優勢，獲得更高的性價比。優化SiC Hybrid IGBT的二極管性能，更好地應用于光伏逆變電路的續流橋臂；相適應的測試方法的優化。

北京衛星制造廠有限公司領域總師萬成安

北京衛星制造廠有限公司領域總師萬成安帶來了“碳化硅、氮化鎵功率器件在航天電源的應用前景”的主題報告，報告指出，GaN/SiC功率器件應用場景涉及電機驅動、能量變換、高電壓、無線遙測；月球探測；空間燃料電池電源系統；空間電源系統等。展望未來，GaN/SiC功率器件將是新一代航天器電源系統的核心器件。和地面用GaN/SiC功率器件相比較，航天器用GaN/SiC功率器件將涉及：材料技術；抗輻射器件技術；抗輻射器件評價與驗證技術；板卡級與系統級設計技術；長壽命及空間環境驗證技術等。

西交利物浦大學教授文輝清

西交利物浦大學教授文輝清現場分享了基于氮化鎵材料的電力電子功率集成電路設計主題報告。他表示，利用氮化鎵材料寬禁帶寬度、臨界擊穿電場高、飽和速度快等優點，開發基于GaN材料的電力電子功率集成電路，實現高效率及高功率密度的功率變換；明確GaN器件典型失效模式，建立GaN等效電路模型，研究GaN電力電子器件的高溫高頻工作特性，優化驅動電路設計；開發基于GaN材料電力電子功率集成電路，提高功率變換效率及功率密度，降低系統成本，推動電力電子功率集成電路在高壓、高頻及高溫領域如航空航天、電動汽車、風機、壓縮機等領域的推廣應用。為此，他在報告中詳細介紹了GaN-MIS-HEMT及功率二極管研制，GaN電力電子器件特性及可靠性研究、GaN電力電子功率集成研究以及基于GaN雙向開關的矩陣變換器等方面最新研究進展。

上海科技大學信息學院長聘副教授、研究員王浩宇

上海科技大學信息學院長聘副教授、研究員王浩宇分享了基于氮化鎵的CRM圖騰柱PFC整流器的無傳感器電流過零預測技術，研究提出了一種用于圖騰柱Boost PFC變換器的新型無電流傳感器CRM控制。分析了考慮開關器件模型非線性電容的估計器的行為。為了減小電感和寄生電阻的變化，提高預測精度，提出了一種擾動阻尼控制。建立了額定功率為550W的實驗樣機，以驗證所提出的概念。 

現場人氣爆棚

現場人氣爆棚

場外展示交流人氣爆棚